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高校鍵合機(jī)免稅價(jià)格

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2020-01-08

臨時(shí)鍵合系統(tǒng):

臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過(guò)程,這對(duì)于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過(guò)附加的機(jī)械支撐來(lái)處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來(lái)一直由該公司提供。包含型號(hào):EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng)。 EVG500系列鍵合機(jī)擁有多種鍵合方法,包括陽(yáng)極,熱壓縮,玻璃料,環(huán)氧樹(shù)脂,UV和熔融鍵合。高校鍵合機(jī)免稅價(jià)格

Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡(jiǎn)稱(chēng)“EVG ”)***宣布已成功地在客戶(hù)提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView NT 鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲(chǔ)器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)。

Ziptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示:“DBI 混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG 的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過(guò)優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度,此對(duì)準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn) (HVM) 鋪平了道路?!?高校鍵合機(jī)免稅價(jià)格GEMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售,每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專(zhuān)注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用,例如存儲(chǔ)器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。

特征:

在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用

通過(guò)等離子活化的直接晶圓鍵合,可實(shí)現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成

支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米

蕞高數(shù)量或過(guò)程模塊8通量

每小時(shí)蕞多40個(gè)晶圓

處理系統(tǒng)

4個(gè)裝載口

特征:

多達(dá)八個(gè)預(yù)處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊和解鍵合模塊

XT框架概念通過(guò)EFEM(設(shè)備前端模塊)實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量

光學(xué)邊緣對(duì)準(zhǔn)模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ

EVG501晶圓鍵合機(jī),先進(jìn)封裝,TSV,微流控加工。基本功能:用于學(xué)術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)。適用于:微流體芯片,半導(dǎo)體器件處理,MEMS制造,TSV制作,晶圓先進(jìn)封裝等。

一、簡(jiǎn)介:

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝,如陽(yáng)極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì),讓用戶(hù)能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。

二、特征:

帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨(dú)特的壓力和溫度均勻性與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容靈活的設(shè)計(jì)和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合)可選渦輪泵(<1E-5mbar)可升級(jí)陽(yáng)極鍵合開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì),便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)試生產(chǎn)需求:同類(lèi)產(chǎn)品中比較低擁有成本開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì),便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)程序與EVGHVM鍵合系統(tǒng)完全兼容。

三、參數(shù):蕞大鍵合力:20kN,加熱器尺寸:150mm。 Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB,讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對(duì)準(zhǔn)。

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開(kāi)研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象,提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來(lái)保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度,使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火,解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí),具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā),中試和批量生產(chǎn)。甘肅實(shí)際價(jià)格鍵合機(jī)

LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活,用于PAWB(等離子基活的晶圓鍵合)。高校鍵合機(jī)免稅價(jià)格

EVG鍵合機(jī)加工結(jié)果 除支持晶圓級(jí)和先進(jìn)封裝,3D互連和MEMS制造外,EVG500系列晶圓鍵合機(jī)(系統(tǒng))還可用于研發(fā),中試或批量生產(chǎn)。它們通過(guò)在高真空,精確控制的準(zhǔn)確的真空,溫度或高壓條件下鍵合來(lái)滿(mǎn)足各種苛刻的應(yīng)用。該系列擁有多種鍵合方法,包括陽(yáng)極,熱壓縮,玻璃料,環(huán)氧樹(shù)脂,UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨(dú)特的模塊化鍵合室設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設(shè)計(jì) 各種鍵合對(duì)準(zhǔn)(對(duì)位)系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì)。使用直接(實(shí)時(shí))或間接對(duì)準(zhǔn)方法可以支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。高校鍵合機(jī)免稅價(jià)格

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