晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。二極管應存放在防潮、防塵等環(huán)境中，避免影響性能。肇慶點接觸型二極管參數

PIN二極管（P-intrinsic-N Diode），PN之間一層高電阻的半導體層，使少數載流子的積蓄效果增加，逆回復時間也較長。利用正向偏置時高頻率信號較容易通過的性質，用于天線的頻帶切換以及高頻率開關。耿效應二極管，應用于低功率微波振蕩器。二極真空管，氣體放電管整流器，針狀電極和平板電極相向接近頂端放電。若把針狀電極當做負極，比較低的電壓就會開始放電。利用這樣的性質來做當作整流器。點接觸二極管，用鎢之類的金屬針狀電極與N型半導體的表面接觸，此構造的特征是寄生電容非常小。采用于鍺質二極管和 耿效應二極管 。礦石收音機中使用的 礦石檢波器 （ 日語 ： 鉱石検波器 ） 也是一種點接觸二極管。肇慶點接觸型二極管參數部分二極管還具有光電轉換功能，用于光電器件和光通信。

在1882年的時候，他們突然想了一個辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個辦法不行。他們接下來在這個銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無濟于事。雖然，提高燈絲壽命的實驗失敗了，但是在這個過程中，他們發(fā)現了匪夷所思的事情那就是燈絲和銅片之間會有電流流過，而且加反向電壓的時候沒有電流流過！可是，銅片和燈絲之間沒有任何接觸，二者之間是真空！后來，人們把這種效應叫愛迪生效應。

半導體二極管的參數包括較大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、較大反向工作電壓VRM、反向電流IR、較高工作頻率fmax和結電容Cj等。幾個主要的參數介紹如下：1、較大整流電流IF：是指管子長期運行時，允許通過的較大正向平均電流。因為電流通過PN結要引起管子發(fā)熱，電流太大，發(fā)熱量超過限度，就會使PN結燒壞。例如2APl較大整流電流為16mA。2、反向擊穿電壓VBR：指管子反向擊穿時的電壓值。擊穿時，反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至因過熱而燒壞。一般手冊上給出的較高反向工作電壓約為擊穿電壓的一半，以確保管子安全運行。例如2APl較高反向工作電壓規(guī)定為2OV， 而反向擊穿電壓實際上大于40V。二極管在電子領域的應用極為普遍，是現代電子技術中不可或缺的關鍵器件之一。

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節(jié)電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變容二極管），產生射頻振蕩（隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管）以及產生光（發(fā)光二極管）。半導體二極管中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應，也有利用金屬與半導體接合產生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結型的二極管，在P型側就是陽極，N型側則是陰極。在設計電路時，應充分考慮二極管的溫度特性和工作條件，以確保其正常工作。肇慶點接觸型二極管參數

硅二極管和鍺二極管的工作溫度范圍和耐壓能力不同，需要根據具體要求選擇。肇慶點接觸型二極管參數

1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發(fā)現了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發(fā)現后，二極管成為了世界上頭一種半導體器件?，F如今的二極管大多是使用硅來生產，鍺等其它半導體材料有時也會用到。目前較常見的結構是，一個半導體性能的結芯片通過PN結連接到兩個電終端。肇慶點接觸型二極管參數