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河南PSP光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

來源: 發(fā)布時間:2025-06-16

Polos-BESM支持GDS文件直接導(dǎo)入和多層曝光疊加,簡化射頻器件(如IDC電容器)制造流程。研究團隊利用類似設(shè)備成功制備高頻電路元件,驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。其高重復(fù)性(0.1 μm)確??蒲谐晒目赊D(zhuǎn)化性,助力國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破技術(shù)封鎖56。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。電子學(xué)應(yīng)用:2μm 線寬光刻能力,第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。河南PSP光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

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在科研領(lǐng)域,設(shè)備的先進(jìn)程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機 POLOS μ 帶來了革新之光。它們運用無掩模激光光刻技術(shù),摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長的掩模,極大降低了成本。這些光刻機可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光,在微流體、電子學(xué)和納 / 微機械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中,能precise制造復(fù)雜的微通道網(wǎng)絡(luò),助力藥物傳輸、細(xì)胞培養(yǎng)等研究。在電子學(xué)方面,可實現(xiàn)高精度的電路圖案曝光,為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小,對于空間有限的研究實驗室來說堪稱完美。憑借出色特性,它們已助力眾多科研團隊取得成果,成為科研創(chuàng)新的得力助手 。河南PSP光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米能源收集:微型壓電收集器效率 35%,低頻振動發(fā)電支持無源物聯(lián)網(wǎng)。

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在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時,Polos 光刻機的亞微米級定位精度(±50nm)確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實驗室使用該設(shè)備,在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列,模板的圖案保真度達(dá) 99.8%,邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產(chǎn)的柔性 OLED 背光模組,亮度均勻性提升至 98%,厚度減至 50μm,成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機,相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

上海有機化學(xué)研究所通過光刻技術(shù)制備多組分納米纖維,實現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地,Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工,為新能源器件(如柔性電池)和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性(0.1 μm)確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。納 / 微機械:亞微米級結(jié)構(gòu)加工,微型齒輪精度達(dá) ±50nm,推動微機電系統(tǒng)創(chuàng)新。

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無掩模激光光刻技術(shù)為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具,可用于創(chuàng)建亞微米級特征,并促進(jìn)電路和器件的快速原型設(shè)計。經(jīng)濟高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴展至微機電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計和制造,例如以下領(lǐng)域:醫(yī)療(包括微流體)、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進(jìn)材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預(yù)計在 2022 年達(dá)到 3.3606 億美元,預(yù)計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元,復(fù)合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長,預(yù)計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。6英寸晶圓兼容:Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工,工業(yè)級重復(fù)精度0.1 μm。POLOSBEAM-XL光刻機光源波長405微米

無掩模技術(shù)優(yōu)勢:摒棄傳統(tǒng)掩模,圖案實時調(diào)整,研發(fā)成本降低 70%,小批量生產(chǎn)經(jīng)濟性突出。河南PSP光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。河南PSP光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米