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航空航天領(lǐng)域?qū)﹄娮釉骷男阅?、可靠性與穩(wěn)定性有著極為嚴(yán)苛的要求，二極管作為基礎(chǔ)元件，其發(fā)展前景同樣廣闊。在飛行器的電子控制系統(tǒng)中，耐高溫、抗輻射的二極管用于保障系統(tǒng)在極端環(huán)境下的正常運(yùn)行；在衛(wèi)星通信系統(tǒng)中，高頻、低噪聲二極管用于信號的接收與發(fā)射，確保衛(wèi)星與地...

太陽能逆變器中的TVS保護(hù)方案需要綜合考慮直流側(cè)和交流側(cè)的不同需求。直流側(cè)主要防范太陽能電池板產(chǎn)生的雷擊浪涌，需要600V以上耐壓的大功率TVS。交流輸出側(cè)則要應(yīng)對電網(wǎng)波動和負(fù)載切換引起的瞬態(tài)，通常采用MOV與TVS組合的保護(hù)策略。微型逆變器因空間限制，更青睞...

雪崩二極管通過雪崩擊穿效應(yīng)產(chǎn)生納秒級脈沖，適用于雷達(dá)和激光觸發(fā)等場景。當(dāng)反向電壓超過擊穿閾值時，載流子在強(qiáng)電場中高速運(yùn)動，碰撞電離產(chǎn)生連鎖反應(yīng)，形成急劇增長的雪崩電流。這一過程可在 10 納秒內(nèi)產(chǎn)生陡峭的脈沖前沿，例如 2N690 雪崩二極管在 50V 偏置下...

1960 年代，砷化鎵（GaAs）PIN 二極管憑借 0.5pF 寄生電容和 10GHz 截止頻率，成為雷達(dá)接收機(jī)的關(guān)鍵元件 —— 在 AN/APG-66 機(jī)載雷達(dá)中，GaAs PIN 二極管組成的開關(guān)矩陣可在微秒級切換信號路徑，實(shí)現(xiàn)對 200 個目標(biāo)的同時跟...

醫(yī)療設(shè)備的智能化、化發(fā)展，為二極管開辟了全新的應(yīng)用空間。在醫(yī)療影像設(shè)備如 X 光機(jī)、CT 掃描儀中，高壓二極管用于產(chǎn)生穩(wěn)定的高電壓，保障成像的清晰度與準(zhǔn)確性；在血糖儀、血壓計(jì)等家用醫(yī)療設(shè)備中，高精度的穩(wěn)壓二極管為傳感器提供穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓，確保檢測數(shù)據(jù)的可靠性。...

等離子切割機(jī)通過高溫等離子電弧熔化和吹走金屬，其電源系統(tǒng)需要穩(wěn)定的直流電源，整流二極管將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，為切割機(jī)提供強(qiáng)大的電力。等離子切割機(jī)工作時電流大、電壓高，對整流二極管的耐壓和通流能力要求極高。為保證切割機(jī)正常工作，會采用多個高壓大功率整流二極管并聯(lián)...

在電動汽車充電樁中，MOSFET是功率轉(zhuǎn)換和控制的關(guān)鍵元件。充電樁需要將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，為電動汽車的電池充電。MOSFET在功率轉(zhuǎn)換電路中，實(shí)現(xiàn)高效的交流 - 直流轉(zhuǎn)換，提高充電效率。同時，它還能夠精確控制充電電流和電壓，根據(jù)電動汽車電池的狀態(tài)和充電需求，...

高頻二極管（＞10MHz）：通信世界的神經(jīng)突觸 GaAs PIN 二極管（Cj＜0.2pF）在 5G 基站 28GHz 毫米波電路中，插入損耗＜1dB，切換速度達(dá) 1ns，用于相控陣天線的信號路徑切換，可同時跟蹤 200 個以上目標(biāo)。衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)（如 GPS）...

在工業(yè)機(jī)器人的智能涂膠密封系統(tǒng)中，穩(wěn)壓二極管為涂膠密封設(shè)備和控制系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電壓。智能涂膠密封系統(tǒng)需要實(shí)現(xiàn)工件表面的精確涂膠和密封，對電源的穩(wěn)定性要求極高。電壓波動可能導(dǎo)致涂膠不均勻、密封效果不佳等問題，影響產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。穩(wěn)壓二極管能夠穩(wěn)定電源電壓，確保...

1947 年是顛覆性轉(zhuǎn)折點(diǎn)：貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利團(tuán)隊(duì)研制出鍺點(diǎn)接觸型半導(dǎo)體二極管，采用金觸絲壓接在鍺片上形成結(jié)面積 0.01mm2 的 PN 結(jié)，無需加熱即可實(shí)現(xiàn)電流放大（β 值達(dá) 20），體積較真空管縮小千倍，功耗降低至毫瓦級。1950 年，首只硅二極管誕生...

在光伏和儲能領(lǐng)域，二極管提升能量轉(zhuǎn)換效率。硅基肖特基二極管（如 MUR1560）在太陽能電池板中作為防反接元件，反向漏電流＜10μA，較早期鍺二極管效率提升 5%。碳化硅 PiN 二極管在光伏逆變器中承受 1500V 高壓，正向損耗降低 60%，使 1MW 電...

1960 年代，砷化鎵（GaAs）PIN 二極管憑借 0.5pF 寄生電容和 10GHz 截止頻率，成為雷達(dá)接收機(jī)的關(guān)鍵元件 —— 在 AN/APG-66 機(jī)載雷達(dá)中，GaAs PIN 二極管組成的開關(guān)矩陣可在微秒級切換信號路徑，實(shí)現(xiàn)對 200 個目標(biāo)的同時跟...

MOSFET在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用，對于保障數(shù)據(jù)的安全、高效存儲和處理至關(guān)重要。在服務(wù)器中MOSFET用于電源管理和信號處理。它能夠根據(jù)服務(wù)器的負(fù)載情況，動態(tài)調(diào)整電源供應(yīng)，提高能源利用效率。同時，在高速數(shù)據(jù)傳輸過程中，MOSFET可確保信號的完整性和穩(wěn)定性，減少...

在工業(yè)機(jī)器人視覺識別系統(tǒng)中，MOSFET用于圖像傳感器和圖像處理電路的電源管理和信號控制。圖像傳感器需要穩(wěn)定的電源供應(yīng)和精確的信號控制，以確保采集到高質(zhì)量的圖像數(shù)據(jù)。MOSFET能夠?yàn)閳D像傳感器提供穩(wěn)定的電壓和電流，同時精確控制圖像信號的傳輸和處理。在機(jī)器人進(jìn)...

肖特基二極管的輻射效應(yīng)不容忽視。當(dāng)器件暴露在輻射環(huán)境中，如宇宙射線、核輻射等，輻射粒子會與半導(dǎo)體材料發(fā)生相互作用。這些相互作用會產(chǎn)生電子 - 空穴對，改變半導(dǎo)體中的載流子濃度和分布。同時，輻射還可能引起晶格損傷，導(dǎo)致半導(dǎo)體材料的電學(xué)性能發(fā)生改變。對于在航天、核...

集成電路 IC 在衛(wèi)星通信領(lǐng)域是實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定通信的關(guān)鍵要素，如同衛(wèi)星的 “信息橋梁”，保障信息在浩瀚宇宙與地球之間順暢傳遞。衛(wèi)星上搭載的通信芯片負(fù)責(zé)將地面站發(fā)送的信號進(jìn)行放大、變頻等處理，然后通過天線向指定區(qū)域轉(zhuǎn)發(fā)；同時，接收來自地面終端的信號，進(jìn)行反向處理...

物聯(lián)網(wǎng)邊緣計(jì)算設(shè)備的TVS保護(hù)需要兼顧高性能和小型化。邊緣網(wǎng)關(guān)的多種通信接口(Wi-Fi、藍(lán)牙、LoRa等)都需要專門的TVS保護(hù)方案。工業(yè)邊緣設(shè)備通常采用通過IEC 61000-4-5認(rèn)證的TVS器件，能夠承受嚴(yán)酷的工業(yè)環(huán)境干擾。為節(jié)省空間，現(xiàn)代邊緣設(shè)備更傾...

農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化進(jìn)程中，集成電路 IC 成為推動智慧農(nóng)業(yè)發(fā)展的 “科技引擎”，為傳統(tǒng)農(nóng)業(yè)注入強(qiáng)大的創(chuàng) 活力。在 農(nóng)業(yè)方面，土壤傳感器中的集成電路能夠?qū)崟r監(jiān)測土壤的酸堿度、濕度、養(yǎng)分含量等關(guān)鍵參數(shù)，通過無線通信芯片將數(shù)據(jù)傳輸至農(nóng)業(yè)管理平臺?；谶@些數(shù)據(jù)，微控制器芯片控...

快恢復(fù)二極管（FRD）通過控制少子壽命實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)功能，在于縮短 “反向恢復(fù)時間”。傳統(tǒng)整流二極管在反向偏置時，PN 結(jié)內(nèi)存儲的少子（P 區(qū)電子）需通過復(fù)合或漂移逐漸消失，導(dǎo)致恢復(fù)過程緩慢（微秒級）?？旎謴?fù)二極管通過摻雜雜質(zhì)（如金、鉑）或電子輻照，引入復(fù)合中心...

占據(jù)全球 90% 市場份額的硅二極管，憑借 1.12eV 帶隙與成熟的平面鈍化工藝，成為通用。典型如 1N4007（1A/1000V）整流管，采用玻璃鈍化技術(shù)將漏電流控制在 0.1μA 以下，在全球超 10 億臺家電電源中承擔(dān)整流任務(wù)，其面接觸型結(jié)構(gòu)可承受 1...

TVS 瞬變抑制二極管的熱管理設(shè)計(jì)是大功率應(yīng)用場景的問題。當(dāng)器件承受大能量瞬態(tài)沖擊時，瞬間產(chǎn)生的熱量可能導(dǎo)致結(jié)溫急劇上升，若散熱不及時會引發(fā)熱失效。為提升熱性能，廠商開發(fā)了具有高導(dǎo)熱系數(shù)的封裝材料（如銅合金引腳、陶瓷散熱片），并化芯片結(jié)構(gòu)以降低熱阻。設(shè)計(jì)人員可...

在工業(yè)自動化物流系統(tǒng)中，穩(wěn)壓二極管為各種物流設(shè)備和控制系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電壓。自動化物流系統(tǒng)中的輸送帶、機(jī)器人、自動分揀設(shè)備等需要精確控制運(yùn)行速度和位置，對電源的穩(wěn)定性要求極高。電壓波動可能導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行不準(zhǔn)確、控制系統(tǒng)失靈等問題。穩(wěn)壓二極管確保物流系統(tǒng)的電源供應(yīng)穩(wěn)...

TVS 瞬變抑制二極管（Transient Voltage Suppression Diode）是一種高效的電路保護(hù)器件，其功能是通過非線性特性將電路中的瞬態(tài)過電壓限制在安全范圍內(nèi)，避免敏感電子元件遭受浪涌沖擊。這類器件采用半導(dǎo)體工藝制造，具有響應(yīng)速度快、箝位...

在電子競技的電競鼠標(biāo)配件領(lǐng)域，穩(wěn)壓二極管為各種配件如鼠標(biāo)墊、配重塊等的驅(qū)動和控制模塊提供穩(wěn)定的電壓。電競鼠標(biāo)配件需要提供舒適的使用體驗(yàn)和個性化的功能調(diào)節(jié)，對電源的穩(wěn)定性和兼容性要求極高。電壓波動可能導(dǎo)致配件功能異常、設(shè)備損壞等問題，影響玩家的游戲體驗(yàn)。穩(wěn)壓二極...

TVS瞬變抑制二極管是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓干擾的半導(dǎo)體器件。它能夠在極短的時間內(nèi)響應(yīng)高能量的電壓脈沖，將過電壓鉗位到安全水平，從而保護(hù)后續(xù)電路不受損壞。TVS二極管的工作原理基于雪崩擊穿效應(yīng)，當(dāng)電壓超過其擊穿電壓時，二極管迅速導(dǎo)通，將多余的能量泄放...

在電動汽車的自動駕駛系統(tǒng)的決策規(guī)劃中，MOSFET用于控制決策算法的實(shí)現(xiàn)和計(jì)算資源的分配。自動駕駛系統(tǒng)需要根據(jù)環(huán)境感知結(jié)果進(jìn)行決策規(guī)劃，選擇的行駛路徑和駕駛策略。MOSFET作為決策規(guī)劃電路的元件，能夠精確控制算法的運(yùn)行和計(jì)算資源的分配，確保決策規(guī)劃的準(zhǔn)確性和...

高頻二極管（＞10MHz）：通信世界的神經(jīng)突觸 GaAs PIN 二極管（Cj＜0.2pF）在 5G 基站 28GHz 毫米波電路中，插入損耗＜1dB，切換速度達(dá) 1ns，用于相控陣天線的信號路徑切換，可同時跟蹤 200 個以上目標(biāo)。衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)（如 GPS）...

根據(jù)是否具備反向恢復(fù)特性控制功能，肖特基二極管可分為普通型和反向恢復(fù)特性可控型。普通型肖特基二極管的反向恢復(fù)特性由器件本身材料和結(jié)構(gòu)決定，不可隨意改變。在一些對反向恢復(fù)特性要求不高的常規(guī)電路中，普通型肖特基二極管可滿足需求。反向恢復(fù)特性可控型肖特基二極管可通過...

1955 年，仙童半導(dǎo)體的 “平面工藝” 重新定義制造標(biāo)準(zhǔn)：首先通過高溫氧化在硅片表面生成 50nm 二氧化硅層（絕緣電阻＞1012Ω?cm），再利用光刻技術(shù)（紫外光曝光，分辨率 10μm）刻蝕出 PN 結(jié)窗口，通過磷擴(kuò)散（濃度 101?/cm3）形成 N 型...

TVS 瞬變抑制二極管在電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施中的應(yīng)用涵蓋充電樁和車載充電機(jī)（OBC）。充電樁的交流輸入側(cè)面臨著電網(wǎng)浪涌和雷擊風(fēng)險(xiǎn)，TVS 二極管通過與壓敏電阻配合形成兩級保護(hù)，能有效吸收過電壓能量；而在車載充電機(jī)的直流輸出端，TVS 器件用于抑制充電過程中的瞬...