占據(jù)全球 90% 市場份額的硅二極管，憑借 1.12eV 帶隙與成熟的平面鈍化工藝，成為通用。典型如 1N4007（1A/1000V）整流管，采用玻璃鈍化技術(shù)將漏電流控制在 0.1μA 以下，在全球超 10 億臺家電電源中承擔(dān)整流任務(wù)，其面接觸型結(jié)構(gòu)可承受 100℃高溫與 10 倍浪涌電流。TL431 可調(diào)基準(zhǔn)源通過內(nèi)置硅齊納結(jié)構(gòu)，實現(xiàn) ±0.5% 電壓精度與 25ppm/℃溫漂，被用于鋰電池保護(hù)板的過充檢測電路，在 3.7V 鋰電池系統(tǒng)中可將充電截止電壓誤差控制在 ±5mV 以內(nèi)。硅材料的規(guī)模化生產(chǎn)優(yōu)勢，8 英寸晶圓單片制造成本低于 1 美元，但其物理極限限制了高頻（＞100MHz）與超高壓（＞1200V）場景。快恢復(fù)二極管縮短反向恢復(fù)時間，提升高頻電路效率。靜安區(qū)整流二極管

太空探索與核技術(shù)的發(fā)展，為二極管帶來極端環(huán)境下的創(chuàng)新機(jī)遇。在深空探測器中，耐輻射肖特基二極管（如 RAD5000 系列）可承受 10? rad (Si) 劑量的宇宙射線，在火星車電源系統(tǒng)中實現(xiàn) - 130℃~+125℃寬溫域穩(wěn)定整流，效率達(dá) 94% 以上。核電池（如钚 - 238 溫差發(fā)電器）中，高溫鍺二極管（耐溫 300℃）將衰變熱能轉(zhuǎn)化為電能，功率密度達(dá) 50mW/cm2，為長期在軌衛(wèi)星提供持續(xù)動力。為電子原件二極管的發(fā)展提供新的思路和方法。光電二極管（PD）與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)結(jié)合，在自動駕駛中實現(xiàn)納秒級光強(qiáng)變化檢測。杭州LED發(fā)光二極管哪家好鍺二極管具有較低的正向?qū)妷?，在一些對?dǎo)通電壓要求嚴(yán)苛的電路中表現(xiàn)出色。

1958 年，德州儀器工程師基爾比完成歷史性實驗：將鍺二極管、電阻和電容集成在 0.8cm2 鍺片上，制成首塊集成電路（IC），雖 能實現(xiàn)簡單振蕩功能，卻證明 “元件微縮化” 的可行性。1963 年，仙童半導(dǎo)體推出雙極型集成電路，創(chuàng)新性地將肖特基二極管與晶體管集成 —— 肖特基二極管通過鉗位晶體管的飽和電壓（從 0.7V 降至 0.3V），使邏輯門延遲從 100ns 縮短至 10ns，為 IBM 360 計算機(jī)的高速運算奠定基礎(chǔ)。1971 年，Intel 4004 微處理器采用 PMOS 工藝，集成 2250 個二極管級元件（含 ESD 保護(hù)二極管），時鐘頻率達(dá) 108kHz，標(biāo)志著個人計算機(jī)時代的開端。 進(jìn)入 21 世紀(jì)，先進(jìn)制程重塑二極管形態(tài)：在 7nm 工藝中，ESD 保護(hù)二極管的寄生電容 0.1pF，響應(yīng)速度達(dá)皮秒級，可承受 15kV 靜電沖擊

1947 年是顛覆性轉(zhuǎn)折點：貝爾實驗室的肖克利團(tuán)隊研制出鍺點接觸型半導(dǎo)體二極管，采用金觸絲壓接在鍺片上形成結(jié)面積 0.01mm2 的 PN 結(jié)，無需加熱即可實現(xiàn)電流放大（β 值達(dá) 20），體積較真空管縮小千倍，功耗降低至毫瓦級。1950 年，首只硅二極管誕生，其 175℃耐溫性（鍺 100℃）和 0.1μA 漏電流（鍺為 10μA）徹底改寫規(guī)則，為后續(xù)晶體管與集成電路奠定材料基礎(chǔ)。從玻璃真空管到半導(dǎo)體晶體，這一階段的突破不 是元件形態(tài)的革新，更是電子工業(yè)從 “熱電子時代” 邁向 “固態(tài)電子時代” 的底層改變。汽車大燈逐漸采用發(fā)光二極管技術(shù)，提供更亮、更節(jié)能的照明效果。

光電二極管基于內(nèi)光電效應(yīng)實現(xiàn)光信號到電信號的轉(zhuǎn)換。當(dāng) PN 結(jié)受光照射，光子激發(fā)電子 - 空穴對，在結(jié)區(qū)電場作用下形成光電流，反向偏置時效應(yīng)更。通過減薄有源層與優(yōu)化電極，響應(yīng)速度可達(dá)納秒級。 硅基型號（如 BPW34）在可見光區(qū)量子效率超 70%，用于光強(qiáng)檢測；PIN 型增大耗盡區(qū)寬度，在光纖通信中響應(yīng)度達(dá) 0.9A/W；雪崩型（APD）利用倍增效應(yīng)，可檢測單光子信號，用于激光雷達(dá)。 車載 ADAS 系統(tǒng)中，近紅外光電二極管（850-940nm）夜間可捕捉 200 米外目標(biāo)，推動其向高靈敏度、低噪聲發(fā)展，滿足自動駕駛與智能傳感需求。工業(yè)控制電路依靠二極管實現(xiàn)精確的電流控制與信號處理，保障生產(chǎn)穩(wěn)定運行。靜安區(qū)整流二極管

航空航天設(shè)備選用高性能二極管，在極端環(huán)境下保障電路可靠工作。靜安區(qū)整流二極管

1970 年代，硅整流二極管（如 1N5408）替代機(jī)械式觸點，用于汽車發(fā)電機(jī)整流 —— 其 100V 反向耐壓和 30A 平均電流，使發(fā)電效率從 60% 提升至 85%，同時將故障間隔里程從 5000 公里延長至 5 萬公里。1990 年代，快恢復(fù)二極管（FRD）憑借 50ns 反向恢復(fù)時間，適配車載逆變器的 20kHz 開關(guān)頻率，在 ABS 防抱死系統(tǒng)中實現(xiàn)微秒級電流控制，制動距離縮短 15%。2010 年后，車規(guī)級肖特基二極管（AEC-Q101 認(rèn)證）成為電動車重要：在 OBC 充電機(jī)中，其 0.4V 正向壓降使充電速度提升 30%，而反向漏電流＜10μA 保障電池組安全。 2023 年，碳化硅二極管開啟 800V 高壓平臺時代：耐溫 175℃的 SiC 二極管集成于電驅(qū)系統(tǒng)，支持 1200V 母線電壓，使電動車超快充（10 分鐘補能 80%）成為現(xiàn)實靜安區(qū)整流二極管