組成與結(jié)構(gòu)：IGBT模塊通常由多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護電路、散熱器、連接器等組成。通過內(nèi)部的絕緣隔離結(jié)構(gòu)，IGBT芯片與外界隔離，以防止外界的干擾和電磁干擾。同時，模塊內(nèi)部的驅(qū)動電路和保護電路可以有效地控制和保護IGBT芯片，提高設(shè)備的可靠性和安全性。

特性與優(yōu)勢：

低導(dǎo)通電阻與高開關(guān)速度：IGBT結(jié)合了MOSFET和BJT的特性，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的優(yōu)點，同時也具有BJT器件高電壓耐受性和電流承載能力強的特點，非常適合用于直流電壓600V及以上的變流系統(tǒng)。高集成度與模塊化：IGBT模塊采用IC驅(qū)動、各種驅(qū)動保護電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM，智能化、模塊化成為其發(fā)展熱點。高效節(jié)能與穩(wěn)定可靠：IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點，能夠提高用電效率和質(zhì)量，是能源變換與傳輸?shù)?span>主要器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”。 IGBT模塊國產(chǎn)化態(tài)勢明顯，國產(chǎn)替代迎來發(fā)展機遇。上海電源igbt模塊

交通運輸領(lǐng)域電動汽車：IGBT模塊是電動汽車電力電子系統(tǒng)的部件之一，應(yīng)用于電動汽車的電機控制器、車載充電器（OBC）和DC-DC轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件中。在電機控制器中，IGBT模塊控制著電池電能向電機的轉(zhuǎn)換，實現(xiàn)電機的高效驅(qū)動和精確調(diào)速，直接影響電動汽車的動力性能和續(xù)航里程；車載充電器中，IGBT模塊實現(xiàn)交流電到直流電的轉(zhuǎn)換，為電池充電。軌道交通：在地鐵、高鐵等軌道交通車輛的牽引變流器和輔助電源系統(tǒng)中，IGBT模塊起著至關(guān)重要的作用。牽引變流器中的IGBT模塊將電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電機驅(qū)動的可變頻率和電壓的交流電，驅(qū)動列車的牽引電機，實現(xiàn)列車的啟動、加速、減速和制動等運行控制；輔助電源系統(tǒng)則為列車上的照明、空調(diào)、通風(fēng)等設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。嘉興4-pack四單元igbt模塊斯達半導(dǎo)和士蘭微是國內(nèi)IGBT行業(yè)的領(lǐng)銜企業(yè)。

高效電能轉(zhuǎn)換：IGBT 模塊能夠?qū)崿F(xiàn)直流到交流（逆變）、交流到直流（整流）以及交直流電壓變換等功能，且在轉(zhuǎn)換過程中具有較高的效率。例如在新能源汽車的充電樁中，它可將電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合給汽車電池充電的直流電，同時在車載逆變器中，又能將電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，為車內(nèi)的空調(diào)、音響等交流設(shè)備供電。

精確電力控制：IGBT 模塊可以通過控制其柵極電壓來精確地控制其導(dǎo)通和關(guān)斷，從而實現(xiàn)對電路中電流、電壓的精確控制。在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，通過調(diào)節(jié) IGBT 模塊的導(dǎo)通時間和頻率，可以精確控制電機的轉(zhuǎn)速和扭矩，使電機能夠根據(jù)實際需求高效運行，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化中的電機調(diào)速、機器人控制等領(lǐng)域。

按芯片技術(shù)分類平面型IGBT模塊：是較早出現(xiàn)的技術(shù)，其芯片結(jié)構(gòu)簡單，成本相對較低，但在性能上有一定局限性，如開關(guān)速度、通態(tài)壓降等方面。常用于一些對性能要求不是特別高、成本敏感的應(yīng)用場景，像普通的工業(yè)加熱設(shè)備等。溝槽型IGBT模塊：采用溝槽結(jié)構(gòu)來增加芯片的有效面積，提高了電流密度，降低了通態(tài)壓降，同時開關(guān)速度也有所提升。在新能源汽車、光伏等對效率和性能要求較高的領(lǐng)域應(yīng)用多樣，能有效提高系統(tǒng)的效率和功率密度。場截止型IGBT模塊：通過在芯片內(nèi)部設(shè)置場截止層，優(yōu)化了IGBT的關(guān)斷特性，減少了關(guān)斷損耗，提高了模塊的開關(guān)頻率和效率。適用于高頻、高壓、大功率的應(yīng)用場合，如高壓變頻器、風(fēng)力發(fā)電變流器等。IGBT模塊的低損耗特性減少了開關(guān)過程中的損耗和導(dǎo)通時的能耗。

低導(dǎo)通損耗與高開關(guān)頻率優(yōu)勢：IGBT 結(jié)合了 MOSFET 的高輸入阻抗（驅(qū)動功率?。┖?BJT 的低導(dǎo)通壓降（如 1200V IGBT 導(dǎo)通壓降約 2-3V），在大功率場景下?lián)p耗明顯低于傳統(tǒng)晶閘管（SCR）。應(yīng)用場景：柔性直流輸電（VSC-HVDC）：在換流站中實現(xiàn)交直流轉(zhuǎn)換，降低遠距離輸電損耗（如 ±800kV 特高壓直流工程損耗比傳統(tǒng)交流輸電低 30%）。新能源并網(wǎng)逆變器：在光伏、風(fēng)電變流器中通過高頻開關(guān)（20-50kHz）提升電能質(zhì)量，減少濾波器體積，降低系統(tǒng)成本。IGBT模塊封裝過程中焊接技術(shù)影響運行時的傳熱性。深圳igbt模塊出廠價

IGBT模塊通過非通即斷的半導(dǎo)體特性實現(xiàn)電流的快速開斷。上海電源igbt模塊

電壓參數(shù)集射極額定電壓：這是IGBT能夠承受的集電極與發(fā)射極之間的最高電壓，超過此電壓可能會導(dǎo)致IGBT發(fā)生擊穿損壞。不同應(yīng)用場景需要選擇不同的IGBT模塊，如在中低壓變頻器中，常選用、的IGBT模塊，而在高壓輸電等領(lǐng)域則可能需要及以上的產(chǎn)品。柵射極額定電壓：是指IGBT柵極與發(fā)射極之間允許施加的最大電壓，一般在左右，超過這個范圍可能會損壞柵極絕緣層，導(dǎo)致IGBT失效。集射極飽和壓降：IGBT導(dǎo)通時，集電極與發(fā)射極之間的電壓降，它直接影響IGBT的導(dǎo)通損耗，越低，導(dǎo)通損耗越小，效率越高。上海電源igbt模塊