對(duì)于DDR2-800，這所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都適用，只是有少許的差別。然而，也是知道的，菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢(shì)的。對(duì)于超過(guò)兩片的SDRAM，通常，是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計(jì)。然而，對(duì)于DDR2-800，所列的這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都能滿足其波形的完整性，而在DDR3的設(shè)計(jì)中，特別是在1600Mbps時(shí)，則只有D是滿足設(shè)計(jì)的。DDR存儲(chǔ)器信號(hào)和協(xié)議測(cè)試；上海DDR測(cè)試聯(lián)系方式

DDR測(cè)試

DDRDIMM內(nèi)存條測(cè)試處理內(nèi)存條測(cè)試儀重要的部分是自動(dòng)處理機(jī)。處理機(jī)一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時(shí)，2英寸長(zhǎng)的連接器將會(huì)造成測(cè)試信號(hào)極大衰減。為解決上述難題，一種新型處理機(jī)面市了。它采用普通手動(dòng)測(cè)試儀的插槽。測(cè)試儀可以模擬手動(dòng)插入，平穩(wěn)地插入待測(cè)內(nèi)存條的插槽；一旦測(cè)試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 上海DDR測(cè)試聯(lián)系方式DDR3總線上的工作時(shí)序；

DDR測(cè)試

DDR總線上需要測(cè)試的參數(shù)高達(dá)上百個(gè)，而且還需要根據(jù)信號(hào)斜率進(jìn)行復(fù)雜的查表修正。為了提高DDR信號(hào)質(zhì)量測(cè)試的效率，比較好使用的測(cè)試軟件進(jìn)行測(cè)試。使用自動(dòng)測(cè)試軟件的優(yōu)點(diǎn)是：自動(dòng)化的設(shè)置向?qū)П苊膺B接和設(shè)置錯(cuò)誤；優(yōu)化的算法可以減少測(cè)試時(shí)間；可以測(cè)試JEDEC規(guī)定的速率，也可以測(cè)試用戶自定義的數(shù)據(jù)速率；自動(dòng)讀/寫(xiě)分離技術(shù)簡(jiǎn)化了測(cè)試操作；能夠多次測(cè)量并給出一個(gè)統(tǒng)計(jì)的結(jié)果；能夠根據(jù)信號(hào)斜率自動(dòng)計(jì)算建立/保持時(shí)間的修正值。由于DDR5工作時(shí)鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小，因此信號(hào)的隨機(jī)和確定性抖動(dòng)對(duì)于數(shù)據(jù)的正確傳輸至關(guān)重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引入的PJ、傳輸通道損耗帶來(lái)的DJ等影響。DDR5的測(cè)試項(xiàng)目比DDR4也更加復(fù)雜。比如其新增了nUI抖動(dòng)測(cè)試項(xiàng)目，并且需要像很多高速串行總線一樣對(duì)抖動(dòng)進(jìn)行分解并評(píng)估RJ、DJ等不同分量的影響。另外，由于高速的DDR5芯片內(nèi)部都有均衡器芯片，因此實(shí)際進(jìn)行信號(hào)波形測(cè)試時(shí)也需要考慮模擬均衡器對(duì)信號(hào)的影響。展示了典型的DDR5和LPDDR5測(cè)試軟件的使用界面和一部分測(cè)試結(jié)果。

DDR測(cè)試按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(StaticRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí)延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。DDR3的DIMM接口協(xié)議測(cè)試探頭；

實(shí)際的電源完整性是相當(dāng)復(fù)雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號(hào)的切換頻率和PCB耗電網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于PCB設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，目標(biāo)阻抗的去耦設(shè)計(jì)是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單的，也是比較實(shí)際的解決方案。在DDR的設(shè)計(jì)上有三類(lèi)電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細(xì)在JEDEC里有敘述。通過(guò)電源層的平面電容和用的一定數(shù)量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個(gè)左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴(yán)格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過(guò)一兩個(gè)去耦電容就可以達(dá)到目標(biāo)阻抗的要求。由于Vref相當(dāng)重要，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳。然而，對(duì)VTT的布線是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性，因?yàn)樗恢灰袊?yán)格的容差性，而且還有很大的瞬間電流，不過(guò)此電流的大小可以很容易的就計(jì)算出來(lái)。終，可以通過(guò)增加去耦電容來(lái)實(shí)現(xiàn)它的目標(biāo)阻抗匹配。在4層板的PCB里，層之間的間距比較大，從而失去其電源層間的電容優(yōu)勢(shì)，所以，去耦電容的數(shù)量將增加，尤其是小于10nF的高頻電容。詳細(xì)的計(jì)算和仿真可以通過(guò)EDA工具來(lái)實(shí)現(xiàn)。主流DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的比較；自動(dòng)化DDR測(cè)試價(jià)格多少

一種DDR4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法；上海DDR測(cè)試聯(lián)系方式

4.為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形，可以提高測(cè)試效率。5.為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提出技術(shù)方案：6.一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào)；8.s2，根據(jù)標(biāo)志信號(hào)對(duì)示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號(hào)進(jìn)行讀寫(xiě)信號(hào)分離；9.s3，利用示波器對(duì)分離后的讀寫(xiě)信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。10.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào)，具體包括：11.將示波器與ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)引腳進(jìn)行信號(hào)連接；12.將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)；13.利用示波器對(duì)ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)進(jìn)行采集并根據(jù)相關(guān)信號(hào)的波形確定標(biāo)志信號(hào)。上海DDR測(cè)試聯(lián)系方式