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來源: 發(fā)布時間:2025-05-27

DDR3信號質(zhì)量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高,信號電平降低,信號質(zhì)量問題也會變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質(zhì)量;DDR2/3/4會將外部電阻變成內(nèi)部ODT;對于多負載的控制命令信號,DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接,而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅(qū)動能力的選擇等方面,可以通過仿真 來得到正確驅(qū)動和端接,使DDR工作時信號質(zhì)量改善,從而增大DDRI作時序裕量。是否可以使用多個軟件工具來執(zhí)行DDR3一致性測試?HDMI測試DDR3測試HDMI測試

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使用了一個 DDR 的設(shè)計實例,來講解如何規(guī)劃并設(shè)計一個 DDR 存儲系統(tǒng),包括從系統(tǒng)性能分析,資料準備和整理,仿真模型的驗證和使用,布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用,一直到的 PCB 布線完成,一整套設(shè)計方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計思路和方法。隨著技術(shù)的發(fā)展,DDR 技術(shù)本身也有了很大的改變,DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場淘汰,而 DDR3 是目前存儲系統(tǒng)的主流技術(shù)。

并且,隨著設(shè)計水平的提高和 DDR 技術(shù)的普及,大多數(shù)工程師都已經(jīng)對如何設(shè)計一個 DDR 系統(tǒng)不再陌生,基本上按照通用的 DDR 設(shè)計規(guī)范或者參考案例,在系統(tǒng)不是很復(fù)雜的情況下,都能夠一次成功設(shè)計出可以「運行」的 DDR 系統(tǒng),DDR 系統(tǒng)的布線不再是障礙。但是,隨著 DDR3 通信速率的大幅度提升,又給 DDR3 的設(shè)計者帶來了另外一個難題,那就是系統(tǒng)時序不穩(wěn)定。因此,基于這樣的現(xiàn)狀,在本書的這個章節(jié)中,著重介紹 DDR 系統(tǒng)體系的發(fā)展變化,以及 DDR3 系統(tǒng)的仿真技術(shù),也就是說,在布線不再是 DDR3 系統(tǒng)設(shè)計難題的情況下,如何通過布線后仿真,驗證并保證 DDR3 系統(tǒng)的穩(wěn)定性是更加值得關(guān)注的問題。 陜西DDR3測試維修電話如何進行DDR3內(nèi)存模塊的熱插拔一致性測試?

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DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知,對于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計,首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?,也就是?qū)動器能發(fā)出什么樣的信號,接收器能接受和判別什么樣的信號,用術(shù)語講,就是信號的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V,Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實際設(shè)計中,除了要精確設(shè)計供電電源模塊之外,還需要對整個電源系統(tǒng)進行PI仿真,而這是高速系統(tǒng)設(shè)計中另一個需要考慮的問題,在這里我們先不討論它,暫時認為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中,可以選擇檢查所有信號網(wǎng)絡(luò)、部分信號網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)。可以通過 Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會生成較詳 細的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional: Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網(wǎng)絡(luò)、無源器件及 其模型。 DDR3一致性測試需要運行多長時間?

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從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數(shù)據(jù)率成倍增加,位寬成倍減小,工作電壓持續(xù)降 低,而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏??偟膩碚f,隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低,DDRx內(nèi)存子系統(tǒng)對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高,這也給系 統(tǒng)設(shè)計帶來了更多、更大的挑戰(zhàn)。

Bank> Rank及內(nèi)存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內(nèi)部的一種結(jié)構(gòu),它通過Bank信號BA(BankAddress)控制,可以把它看成是對地址信號的擴展,主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應(yīng)于有4個Bank的內(nèi)存顆粒,其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應(yīng)Bank信號為BA[2:0],在DDR4內(nèi)存顆粒內(nèi)部有8個或16個Bank,通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖,可以從中看到芯片內(nèi)部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…,Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。 DDR3內(nèi)存的一致性測試可以修復(fù)一致性問題嗎?陜西DDR3測試維修電話

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瀏覽選擇控制器的IBIS模型,切換到Bus Definition選項卡,單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮,將鼠標移動到Signal Names下方高亮處,單擊 出現(xiàn)的字母E,打開Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號,單擊0K按鈕確認。

同樣,在Timing Ref下方高亮處,單擊出現(xiàn)的字母E打開TimingRef列表。在這個列表 窗口左側(cè),用鼠標左鍵點選DQS差分線的正端,用鼠標右鍵點選負端,單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認。

很多其他工具都忽略選通Strobe信號和時鐘Clock信號之間的時序分析功能,而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在內(nèi)的完整的各類信號間的時序關(guān)系。如果要仿真分析選通信號Strobe和時鐘信號Clock之間的時序關(guān)系,則可以設(shè)置與Strobe對應(yīng)的時鐘信號。在Clock 下方的高亮處,單擊出現(xiàn)的字母E打開Clock列表。跟選擇與Strobe -樣的操作即可選定時 鐘信號。 HDMI測試DDR3測試HDMI測試