DDR3信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題及仿真解決案例隨著DDR信號(hào)速率的升高，信號(hào)電平降低，信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題也會(huì)變得突出。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號(hào)通常用在源端加上匹配電阻來(lái)改善波形質(zhì)量；DDR2/3/4會(huì)將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對(duì)于多負(fù)載的控制命令信號(hào)，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅(qū)動(dòng)能力的選擇等方面，可以通過(guò)仿真 來(lái)得到正確驅(qū)動(dòng)和端接，使DDR工作時(shí)信號(hào)質(zhì)量改善，從而增大DDRI作時(shí)序裕量。是否可以使用多個(gè)軟件工具來(lái)執(zhí)行DDR3一致性測(cè)試？HDMI測(cè)試DDR3測(cè)試HDMI測(cè)試

使用了一個(gè) DDR 的設(shè)計(jì)實(shí)例，來(lái)講解如何規(guī)劃并設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括從系統(tǒng)性能分析，資料準(zhǔn)備和整理，仿真模型的驗(yàn)證和使用，布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用，一直到的 PCB 布線完成，一整套設(shè)計(jì)方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思路和方法。隨著技術(shù)的發(fā)展，DDR 技術(shù)本身也有了很大的改變，DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場(chǎng)淘汰，而 DDR3 是目前存儲(chǔ)系統(tǒng)的主流技術(shù)。

并且，隨著設(shè)計(jì)水平的提高和 DDR 技術(shù)的普及，大多數(shù)工程師都已經(jīng)對(duì)如何設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 系統(tǒng)不再陌生，基本上按照通用的 DDR 設(shè)計(jì)規(guī)范或者參考案例，在系統(tǒng)不是很復(fù)雜的情況下，都能夠一次成功設(shè)計(jì)出可以「運(yùn)行」的 DDR 系統(tǒng)，DDR 系統(tǒng)的布線不再是障礙。但是，隨著 DDR3 通信速率的大幅度提升，又給 DDR3 的設(shè)計(jì)者帶來(lái)了另外一個(gè)難題，那就是系統(tǒng)時(shí)序不穩(wěn)定。因此，基于這樣的現(xiàn)狀，在本書(shū)的這個(gè)章節(jié)中，著重介紹 DDR 系統(tǒng)體系的發(fā)展變化，以及 DDR3 系統(tǒng)的仿真技術(shù)，也就是說(shuō)，在布線不再是 DDR3 系統(tǒng)設(shè)計(jì)難題的情況下，如何通過(guò)布線后仿真，驗(yàn)證并保證 DDR3 系統(tǒng)的穩(wěn)定性是更加值得關(guān)注的問(wèn)題。 陜西DDR3測(cè)試維修電話如何進(jìn)行DDR3內(nèi)存模塊的熱插拔一致性測(cè)試？

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知，對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì)，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào)，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào)，用術(shù)語(yǔ)講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中，除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外，還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)進(jìn)行PI仿真，而這是高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題，在這里我們先不討論它，暫時(shí)認(rèn)為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號(hào)網(wǎng)絡(luò)、部分信號(hào)網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)。可以通過(guò) Prepare Nets步驟來(lái)選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會(huì)生成較詳 細(xì)的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網(wǎng)絡(luò)、無(wú)源器件及 其模型。 DDR3一致性測(cè)試需要運(yùn)行多長(zhǎng)時(shí)間？

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數(shù)據(jù)率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續(xù)降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏?？偟膩?lái)說(shuō)，隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內(nèi)存子系統(tǒng)對(duì)信號(hào)完整性、電源完整性及時(shí)序的要求越來(lái)越高，這也給系 統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了更多、更大的挑戰(zhàn)。

Bank> Rank及內(nèi)存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內(nèi)部的一種結(jié)構(gòu)，它通過(guò)Bank信號(hào)BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對(duì)地址信號(hào)的擴(kuò)展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對(duì)應(yīng)于有4個(gè)Bank的內(nèi)存顆粒，其Bank信號(hào)為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個(gè)Bank,對(duì)應(yīng)Bank信號(hào)為BA[2:0],在DDR4內(nèi)存顆粒內(nèi)部有8個(gè)或16個(gè)Bank，通過(guò)BA信號(hào)和BG(BankGroup)信號(hào)控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內(nèi)部由8個(gè)Bank組成(BankO,Bankl,…，Bank7),它們通過(guò)BA[2:0]這三條信號(hào)進(jìn)行控制。 DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試可以修復(fù)一致性問(wèn)題嗎？陜西DDR3測(cè)試維修電話

是否可以使用多個(gè)軟件工具來(lái)執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試？HDMI測(cè)試DDR3測(cè)試HDMI測(cè)試

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開(kāi)Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號(hào)，單擊0K按鈕確認(rèn)。

同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開(kāi)TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號(hào)加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。

很多其他工具都忽略選通Strobe信號(hào)和時(shí)鐘Clock信號(hào)之間的時(shí)序分析功能，而SystemSI可以分析包括Strobe和Clock在內(nèi)的完整的各類信號(hào)間的時(shí)序關(guān)系。如果要仿真分析選通信號(hào)Strobe和時(shí)鐘信號(hào)Clock之間的時(shí)序關(guān)系，則可以設(shè)置與Strobe對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)。在Clock 下方的高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開(kāi)Clock列表。跟選擇與Strobe -樣的操作即可選定時(shí) 鐘信號(hào)。 HDMI測(cè)試DDR3測(cè)試HDMI測(cè)試