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對于ESD,我們應(yīng)該如何進行一個選型呢?ESD主要分為四類:TVS二極管、壓敏電阻、MLCC、ESD抑制器,各個器件的應(yīng)用場景也不太一樣,我們**常用的esd器件就是tvs二極管了。1)工作電壓選擇ESD器件應(yīng)該選擇系統(tǒng)工作電壓小于ESD器件的工作電壓(VRWM),例如系統(tǒng)是0~5V,那么我們應(yīng)該選擇工作電壓(VRWM)大于5V的TVS。2)信號類型單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇,雙向ESD器件可以通過正負(fù)擊穿電壓(VBR)的信號,而單向ESD器件只可以通過正擊穿電壓(VBR)的信號,如果通過負(fù)的就會造成ESD器件擊穿。3)寄生電容ESD器件是有寄生電容的,如圖是寄生電容對高速電路接口的影響,寄生電容會影響電平的上升和下降速度,影響輸出后的信號。4)根據(jù)電路系統(tǒng)的比較大承受電壓沖擊,選擇適合的鉗位電壓;5)確保ESD器件可達(dá)到或超過IEC61000-4-2level4。靜電源控制,絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除,因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制。上海BNC接口ESD保護元件應(yīng)用
靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內(nèi)部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應(yīng)及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認(rèn)良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十?dāng)_是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經(jīng)通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現(xiàn)ADC的異常工作呢?ADC電路的設(shè)計肯定存在較薄弱的環(huán)節(jié)。檢查電路發(fā)現(xiàn),ADC存在模擬地和數(shù)字地,電路設(shè)計時為了使數(shù)字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數(shù)字地和模擬地之問跨接了磁珠進行隔離。河南SD卡ESD保護元件選型ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理,通過隔離、箝位(限幅)、衰減、濾波等降低ESD沖擊電壓。
ESD是一種常見的近場危害源,可形成高電壓,強電場,瞬時大電流,并伴有強電磁輻射,形成靜電放電電磁脈沖?!る娏?gt;1A,·上升時間~15ns,衰減時間~150ns。ESD靜電放電的特點:靜電起電的**常見原因是兩種材料的接觸和分離。**經(jīng)常發(fā)生的靜電起電現(xiàn)象是固體間的摩擦起電現(xiàn)象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應(yīng)起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強電場和寬帶電磁干擾等特點。
Resistor不單獨用于芯片的ESD保護,它往往用于輔助的ESD保護,如芯片Input***級保護和第二級保護之間的限流電阻。當(dāng)ESD電流過大,***級ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時,第二級ESD器件的導(dǎo)通將使其與電阻分壓,從而進一步降低進入內(nèi)部電路的電壓。又如用于GG-NMOS的柵電阻,如圖6所示,NMOS的柵極通過一電阻接地,而非直接接地。如此一來,在NMOS漏端發(fā)生正向的ESD脈沖時,由于NMOS的漏一柵電容,會使得器件的柵極耦合出一正的電勢,該電勢會促使NMOS的溝道開啟,從而起到降低NMOS在ESD應(yīng)力下觸發(fā)電壓的目的。ESD靜電保護元件可以做成陣列式,同時保護幾路數(shù)據(jù)線免遭ESD的損壞。
提高防護電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號可能的**人峰值電壓時,防護器件將對高頻信號產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題,此時可以采用以下優(yōu)化設(shè)計方法,提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓,使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián),導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián),導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護二極管串聯(lián)電容后,高頻信號通過二極管對電容充電,電容充電后對二極管提供偏壓,提升二極管的正向?qū)姌?。ESD靜電保護元件被廣泛應(yīng)用于各類通信接口。上海BNC接口ESD保護元件應(yīng)用
ESD靜電保護元件可提供多種封裝形式。上海BNC接口ESD保護元件應(yīng)用
人體放電模型(HBM)法規(guī):十九世紀(jì)時,人們曾用這種模型來調(diào)查礦坑中的氣體混合物事件。美國***標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883的第3015.8號方法建立了一個簡化的等效電路,以及模擬人體模型需要的測試程序。另一個國際廣為使用的法規(guī)是ANSI/ESDA-JEDECJS-001:靜電放電敏感度測試。人體模型主要用在工廠生產(chǎn)環(huán)境中,另一個類似的法規(guī)IEC61000-4-2,是系統(tǒng)級的靜電測試法規(guī),則是在在系統(tǒng)層級的測試。我國靜電放電對應(yīng)的國標(biāo)相對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)為GB/T17626.2。上海BNC接口ESD保護元件應(yīng)用