絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個(gè)極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。

工作特點(diǎn)是，控制部分與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相同，控制信號(hào)為電壓信號(hào)Uge,輸入阻抗很高，柵極電流I≈0，故驅(qū)動(dòng)功率很小。而起主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流I。

至今，IGBT的擊穿電壓也已做到1200V，集電極比較大飽和電流已超過(guò)1500A，由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達(dá)到250KVA以上。

此外，其工作頻率可達(dá)20KHZ。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上，故電動(dòng)機(jī)的電源波形比較平滑，基本無(wú)電磁噪聲。

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如在輸出側(cè)有電磁接觸器，有什么注意事項(xiàng)

①在運(yùn)行中請(qǐng)勿斷開(kāi)再吸合，因會(huì)產(chǎn)生很大的沖擊電流。故有時(shí)變頻器可能會(huì)跳閘。

②發(fā)生瞬時(shí)停電時(shí)，使變頻器停機(jī)。因在發(fā)生極電短時(shí)間的瞬時(shí)停電（0.1秒左右）時(shí)，接觸器會(huì)斷開(kāi)而變頻器不出現(xiàn)欠壓報(bào)警。故在復(fù)電時(shí)，產(chǎn)生沖擊電流，變頻器可能會(huì)過(guò)流跳閘。

8：對(duì)于使用壞環(huán)境有什么要求？

①溫度*允許周圍溫度：-10到40℃（如取下通風(fēng)殼，可到50℃）變頻器內(nèi)部溫度比周圍溫度還高10~20℃*安裝在柜子里時(shí)，一定要注意柜子的體積、變頻器的位置、排氣風(fēng)扇的風(fēng)量。*周圍溫度越低，變頻器壽命就會(huì)越長(zhǎng)。

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技術(shù)系列編輯

過(guò)電流保護(hù)

在變頻器維修中,過(guò)電流保護(hù)的對(duì)象主要指帶有突變性質(zhì)的、電流的峰值超過(guò)了變頻器的容許值的情形.

由于逆變器的過(guò)載能力較差,所以變頻器的過(guò)電流保護(hù)是至關(guān)重要的一環(huán),迄今為止,已發(fā)展得十分完善.

過(guò)電流的原因

1、工作中過(guò)電流即拖動(dòng)系統(tǒng)在工作過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)電流.其原因大致來(lái)自以下幾方面:

①電動(dòng)機(jī)遇到?jīng)_擊負(fù)載,或傳動(dòng)機(jī)構(gòu)出現(xiàn)“卡住”現(xiàn)象,引起電動(dòng)機(jī)電流的突然增加.

②變頻器的輸出側(cè)短路,如輸出端到電動(dòng)機(jī)之間的連接線發(fā)生相互短路,或電動(dòng)機(jī)內(nèi)部發(fā)生短路等.

在VVVF的實(shí)施，有兩種基本的調(diào)制方法：

1.脈幅調(diào)制（PAM）逆變器所得交流電壓的振幅值等于直流電壓值（Um=Ud)。因此，實(shí)現(xiàn)變頻也是變壓的**容易想到的方法，便是在調(diào)節(jié)頻率的同時(shí)，也調(diào)節(jié)直流電壓；

這種方法的特點(diǎn)是，變頻器在改變輸出頻率的同時(shí)，也改變了電壓的振幅值，故稱為脈幅調(diào)制，常用PAM(PulseAmplitudeModulation)表示。PAM需要同時(shí)調(diào)節(jié)兩部分：整流部分和逆變部分，兩者之間還必須滿足Ku和Kf間的一定的關(guān)系，故其控制電路比較復(fù)雜。

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實(shí)施SPWM的基本要求

(1)必須實(shí)時(shí)地計(jì)算調(diào)制波(正弦波)和載波(三角波)的所有交點(diǎn)的時(shí)間坐標(biāo)，根據(jù)計(jì)算結(jié)果，有序地向逆變橋中各逆變器件發(fā)出“通”和“斷”的動(dòng)作指令。

(2)調(diào)節(jié)頻率時(shí)，一方面，調(diào)制波與載波的周期要同時(shí)改變(改變的規(guī)律本文不作介紹)；另一方面，調(diào)制波的振幅要隨頻率而變，而載波的振幅則不變，所以，每次調(diào)節(jié)后，所膠點(diǎn)的時(shí)間坐標(biāo)都必須重新計(jì)算。要滿足上述要求，只有在計(jì)算機(jī)技術(shù)取得長(zhǎng)足進(jìn)步的20世紀(jì)80年代才有可能，同時(shí)，又由于大規(guī)模集成電路的飛速發(fā)展，迄今，已經(jīng)有能夠產(chǎn)生滿足要求的SPWM波形的**集成電路了。西門子420變頻器PID調(diào)試：總結(jié)在變頻器page5-13.14詳細(xì)講解在說(shuō)明書page10-84.85..86.87.88.89.90.91.92.93.94重要幾個(gè)參數(shù)為1.P0004改為 需要變頻器維修，哪個(gè)公司的好？象山三菱變頻器維修推薦

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變頻器用GTR的選用

Uceo通常按電源線電壓U峰值的2倍來(lái)選擇。

Uceo≥2廠2U在電源電壓為380V的變頻器中，應(yīng)有Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V，故選用Uceo=1200V的GTR是適宜的。

Icm按額定電流In峰值的2倍來(lái)選擇Icm≥2廠2InGTR是用電流信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的，所需驅(qū)動(dòng)功率較大，故基極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜，并使工作頻率難以提高，這是其不足之處。我告訴大家的是MOSFET以及IGBT

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（POWERMOSFET）它的3個(gè)極分別是源極S、漏極D和柵極G

其工作特點(diǎn)是，G、S間的控制信號(hào)是電壓信號(hào)Ugs。改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動(dòng)功率很小。和GTR相比，其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡(jiǎn)單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大等優(yōu)點(diǎn)。 象山哪里有變頻器維修

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