測量有機(jī)發(fā)光顯示器有機(jī)發(fā)光顯示器 (OLEDs)有機(jī)發(fā)光顯示器正迅速從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)向大規(guī)模生產(chǎn)。明亮，超薄，動(dòng)態(tài)的特性使它們成為從手機(jī)到電視顯示屏的優(yōu)先。組成顯示屏的多層薄膜的精密測量非常重要，但不能用傳統(tǒng)接觸型的輪廓儀，因?yàn)樗鼤茐娘@示屏表面。我們的F20-UV，F(xiàn)40-UV，和F10-RT-UV將提供廉價(jià)，可靠，非侵入測量原型裝置和全像素化顯示屏。我們的光譜儀還可以測量大氣敏感材料的化學(xué)變化。

測量透明導(dǎo)電氧化膜不論是銦錫氧化物，氧化鋅，還是聚合物（3,4-乙烯基），我們獨(dú)有的ITO光學(xué)模型，加上可見/近紅外儀器，可以測得厚度和光學(xué)常數(shù)，費(fèi)用和操作難度*是光譜橢偏儀的一小部分。 系統(tǒng)測試應(yīng)力的精度小于15mpa (0.03cm-1) ，全自動(dòng)的200mm和300mm硅片檢查，自動(dòng)檢驗(yàn)和聚焦的能力。盒厚測量膜厚儀實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用

F54自動(dòng)化薄膜測繪Filmetrics F54 系列的產(chǎn)品能以一個(gè)電動(dòng)R-Theta 平臺自動(dòng)移動(dòng)到選定的測量點(diǎn)以每秒測繪兩個(gè)點(diǎn)的速度快速的測繪薄膜厚度, 樣品直徑達(dá)450毫米

可選擇數(shù)十種內(nèi)建之同心圓,矩形,或線性圖案模式,或自行建立無數(shù)量限制之測量點(diǎn).*需具備基本電腦技能的任何人可在數(shù)分鐘內(nèi)自行建立配方

F54 自動(dòng)化薄膜測繪只需聯(lián)結(jié)設(shè)備到您運(yùn)行Windows?系統(tǒng)計(jì)算機(jī)的USB端口, 可在幾分鐘輕松設(shè)置

不同的型號主要是由厚度和波長范圍作為區(qū)別。通常較薄的膜需要較短波長作測量(如F54-UV) 用來測量較薄的膜,而較長的波長可以用來測量更厚，更粗糙，或更不透明的薄膜 重慶膜厚儀美元價(jià)F30 系列是監(jiān)控薄膜沉積，**強(qiáng)有力的工具。

集成電路故障分析故障分析 (FA) 技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。

故障分析中需要進(jìn)行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝) 和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個(gè)薄化步驟后剩余的硅厚度是相當(dāng)關(guān)鍵的。 Filmetrics F3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。 厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸**小測量厚度至0.1微米，同時(shí)具有單點(diǎn)和多點(diǎn)測繪的版本可供選擇。

測量范例現(xiàn)在我們使用我們的 F3-s1550 系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學(xué)設(shè)計(jì)之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

F10-AR易于使用而且經(jīng)濟(jì)有效地分析減反涂層和鏡頭上的硬涂層F10-AR 是測試眼科減反涂層設(shè)計(jì)的儀器。 雖然價(jià)格**低于當(dāng)今絕大多數(shù)同類儀器，應(yīng)用幾項(xiàng)技術(shù)， F10-AR 使線上操作人員經(jīng)過幾分鐘的培訓(xùn)，就可以進(jìn)行厚度測量。

在用戶定義的任何波長范圍內(nèi)都能進(jìn)行比較低、比較高和平均反射測試。

我們有專門的算法對硬涂層的局部反射失真進(jìn)行校正。 我們獨(dú)有的 AutoBaseline 能極大地增加基線間隔，提供比其它光纖探頭反射儀高出五倍的精確度。

利用可選的 UPG-F10-AR-HC 軟件升級能測量 0.25-15um 的硬涂層厚度。 在減反層存在的情況下也能對硬涂層厚度進(jìn)行測量。 可見光可測試的深度，良好的厚樣以及多層樣品的局部應(yīng)力。

FSM 8018 VITE測試系列設(shè)備

VITE技術(shù)介紹：

VITE是傅里葉頻域技術(shù)，利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)（Phase shear technology）

設(shè)備介紹

適用于所有可讓近紅外線通過的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………

應(yīng)用:

   襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

   平整度

   厚度變化 (TTV)

   溝槽深度

   過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半導(dǎo)體材料的厚度

   環(huán)氧樹脂厚度

   襯底翹曲度

   晶圓凸點(diǎn)高度(bump height)

MEMS 薄膜測量

TSV 深度、側(cè)壁角度...

Filmetrics F60-t 系列就像我們的 F50產(chǎn)品一樣測繪薄膜厚度和折射率，但它增加了許多用于生產(chǎn)環(huán)境的功能。聚對二甲苯膜厚儀**測試樣品

以真空鍍膜為設(shè)計(jì)目標(biāo)，F(xiàn)10-RT 只要單擊鼠標(biāo)即可獲得反射和透射光譜。盒厚測量膜厚儀實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用

    光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實(shí)例：對于厚度測量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對于光學(xué)常數(shù)測量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應(yīng)用半導(dǎo)體制造液晶顯示器光學(xué)鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動(dòng)來分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準(zhǔn)確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素?zé)?。盒厚測量膜厚儀實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競爭力，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營。誠實(shí)、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求，也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)。公司深耕磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)，正積蓄著更大的能量，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。