EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術數據 EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動,無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術可對卷筒上的膠帶進行打孔,然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術,可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關。 特征 將任何類型的干膠膜自動,無應力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術數據 晶圓直徑(基板尺寸) 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側保護襯套剝離 層壓 選件 頂側保護膜剝離 光學對準 加熱層壓 自動鍵合系統(tǒng)EVG?540,擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。上海鍵合機樣機試用
表面帶有微結構硅晶圓的界面已受到極大的損傷,其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ra < 0. 5 nm) ,有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間,加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度,即 363 ℃ , 金硅混合物從預鍵合的硅片中奪取硅原子,達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài),冷卻后形成良好的鍵合[12,13]。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質的硅晶圓完成鍵合,達到既定的鍵合質量成為研究重點。青海圖像傳感器鍵合機業(yè)內主流鍵合機使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮。
EVG®520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG®501和EVG®510鍵合機的所有功能■200mm的單個或者雙腔自動化系統(tǒng)■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉移■集成冷卻站,實現(xiàn)高產量EVG®540自動鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動處理多達4個鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動底側冷卻EVG®560自動晶圓鍵合系統(tǒng)■多達4個鍵合室,滿足各種鍵合操作■自動裝卸鍵合室和冷卻站■遠程在線診斷■自動化機器人處理系統(tǒng),用于機械對準的自動盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局,適用于所有鍵合工藝的設備配置EVG®GEMINI®自動化生產晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上,同時利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術,前/列的GEMINI大批量生產系統(tǒng),并結合了自動光學對準和鍵合操作。有關更多詳/細信息,請參/閱我們的GEMINI手冊。
一旦將晶片粘合在一起,就必須測試粘合表面,看該工藝是否成功。通常,將批處理過程中產生的一部分產量留給破壞性和非破壞性測試方法使用。破壞性測試方法用于測試成品的整體剪切強度。非破壞性方法用于評估粘合過程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常,從而有助于確保成品沒有缺陷。
EV Group(EVG)是制造半導體,微機電系統(tǒng)(MEMS),化合物半導體,功率器件和納米技術器件的設備和工藝解決方案的**供應商。主要產品包括晶圓鍵合,薄晶圓加工,光刻/納米壓印光刻(NIL)和計量設備,以及光刻膠涂布機,清潔劑和檢查系統(tǒng)。成立于1980年的EV Group服務于復雜的全球客戶和合作伙伴網絡,并為其提供支持。有關EVG的更多信息,請訪問"鍵合機"。 EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。
EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統(tǒng) 用途:自動化生產鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此,經過實踐檢驗的行業(yè)標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,高產量生產工藝。EVG的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統(tǒng)。GEMINI FB鍵合機保修期多久
對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質。上海鍵合機樣機試用
EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔**單元。處理室允許進行異位處理(晶圓被一一激/活并結合在等離子體激/活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(熔融/分子和中間層粘結) 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學 無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結強度 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)上海鍵合機樣機試用
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