氮化鋁陶瓷 (AlN) 具有高導熱性、高耐磨性和耐腐蝕性，是半導體和醫(yī)療行業(yè)比較理想的材料。典型應(yīng)用包括：加熱器、靜電卡盤、基座、夾環(huán)、蓋板和 MRI 設(shè)備。

   氮化鋁陶瓷在半導體和醫(yī)療上可表現(xiàn)以下特性：1高導熱性與金屬鋁一樣高，比氧化鋁 (Al2O3) 高 7 倍；2與硅 (Si) 的熱膨脹系數(shù)相似；3高電絕緣性；4在氟基氣體氣氛下對等離子具有高度耐受性；4高密度和細粒結(jié)構(gòu)；5適用于不同用途的多種材料（高導熱型/高純度型）；6適用于半導體制造設(shè)備的尺寸。 精密加工工業(yè)氮化鋁陶瓷異形件。深圳米黃色氮化鋁陶瓷柱塞

     氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料，具有優(yōu)良的熱傳導性，可靠的電絕緣性，低的介電常數(shù)和介電損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件的理想封裝陶瓷材料。另外，氮化鋁陶瓷可用作熔煉有色金屬和半導體材料砷化鎵的坩堝、蒸發(fā)舟、熱電偶的保護管、高溫絕緣件，同時可作為耐高溫耐腐蝕結(jié)構(gòu)陶瓷、透明氮化鋁陶瓷制品，因而成為一種具有廣大應(yīng)用前景的無機材料。肇慶抗氧化氮化鋁陶瓷精密加工機械氮化鋁陶瓷零件。

    氮化鋁的理論密度為3100±10kg/m3，實際測得α- Si3N4的真比重為3184 kg/m3，β- Si3N4的真比重為3187 kg/m3。氮化鋁陶瓷的體積密度因工藝而變化較大，一般為理論密度的80%以上，大約在2200～3200 kg/m3之間，氣孔率的高低是密度不同的主要原因，反應(yīng)燒結(jié)氮化鋁的氣孔率一般在20%左右，密度是2200～2600 kg/m3，而熱壓氮化鋁氣孔率在5%以下，密度達3000～3200 kg/m3，與用途相近的其他材料比較，不僅密度低于所有高溫合金，而且在高溫結(jié)構(gòu)陶瓷中也是密度較低的一種。

氮化鋁陶瓷耐磨管綜合性能較好，既有足夠的強度，又有極好的塑性同時硬度也不高，這也是它們被很好采用的原因之一。耐磨管同絕大多數(shù)的其它金屬相似，氮化鋁陶瓷耐磨管抗拉強度、屈服強度和硬度，隨著溫度的降低而提高:氮化鋁陶瓷耐磨管塑性則隨著溫度降低而減小。其抗拉強度在溫度15-80℃范圍內(nèi)增大較快，溫度進一步降低時則變化緩慢，而屈服強度的增長是較為均勻的。更重要的是隨著氮化鋁陶瓷耐磨管溫度的降低，其沖擊韌度減少緩慢，并不存在脆性轉(zhuǎn)變溫度。所以18一8型不氮化鋁陶瓷耐磨管在低溫時能保持足夠的塑性和韌性，如在溫度一196℃時，沖擊吸收功可達392J;甚至在液氦溫度(一2700C)下具有阻止應(yīng)力集中部位發(fā)生脆性破裂的能力。供應(yīng)氮化鋁陶瓷環(huán)零件源頭廠家。

      氮化鋁陶瓷擁有高硬度和高溫強度性能，在機械行業(yè)上可用作切割工具、砂輪和拉絲模以及制造工具材料、金屬陶瓷材料的原料。還具有優(yōu)良的耐磨損性能，可用作耐磨損零件，但由于造價高，只能用于磨損嚴重的部位。將某些易氧化的金屬或非金屬表面包覆AlN涂層，可以提高其抗氧化、耐磨的性能；也可以用作防腐蝕涂層，如腐蝕性物質(zhì)的處理器和容器的襯里等。

     氮化鋁陶瓷在常溫和高溫下都具有良好的耐蝕性、穩(wěn)定性，在2450℃下才會發(fā)生分解，可以用作高溫耐火材料，如坩堝、澆鑄模具。氮化鋁陶瓷能夠不被銅、鋁、銀等物質(zhì)潤濕以及耐鋁、鐵、鋁合金的溶蝕，可以成為良好的容器和高溫保護層，如熱電偶保護管和燒結(jié)器具；也可以抵御高溫腐蝕性氣體的侵蝕，用于制備氮化鋁陶瓷靜電卡盤這種重要的半導體制造裝備零部件。由于氮化鋁對砷化鎵等熔鹽表現(xiàn)穩(wěn)定，用氮化鋁坩堝代替玻璃來合成砷化鎵半導體，可以消除來自玻璃中硅的污染，獲得高純度的砷化鎵半導體。 支持各種異型結(jié)構(gòu)件的氮化鋁廠家--鑫鼎陶瓷。肇慶高韌性絕緣氮化鋁陶瓷球

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