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無錫厚膜光刻膠報(bào)價(jià)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-10

吉田半導(dǎo)體突破光刻膠共性難題,提升行業(yè)生產(chǎn)效率,通過優(yōu)化材料配方與工藝,吉田半導(dǎo)體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題,助力客戶降本增效。
針對(duì)傳統(tǒng)光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴(yán)重等問題,吉田半導(dǎo)體研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產(chǎn)品高 8%,密集圖形側(cè)壁垂直度達(dá)標(biāo)率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯(lián)技術(shù),在顯影過程中減少有機(jī)溶劑對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體的損傷,使芯片良率提升至 99.8%。這些技術(shù)突破有效降低客戶生產(chǎn)成本,推動(dòng)行業(yè)生產(chǎn)效率提升。光刻膠的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域。無錫厚膜光刻膠報(bào)價(jià)

無錫厚膜光刻膠報(bào)價(jià),光刻膠

技術(shù)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)

 半導(dǎo)體先進(jìn)制程:

? EUV光刻膠需降低缺陷率(目前每平方厘米缺陷數(shù)<10個(gè)),開發(fā)低粗糙度(≤5nm)材料;

? 極紫外吸收問題:膠膜對(duì)13.5nm光吸收率高,需厚度控制在50-100nm,挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。

 環(huán)保與低成本:

? 水性負(fù)性膠替代溶劑型膠(如PCB阻焊膠),減少VOC排放;

? 單層膠工藝替代多層膠,簡(jiǎn)化流程(如MEMS厚膠的一次性涂布)。

 新興領(lǐng)域拓展:

? 柔性電子:開發(fā)耐彎曲(曲率半徑<5mm)、低模量感光膠,用于可穿戴設(shè)備電路;

? 光子芯片:高折射率膠(n>1.8)制作光波導(dǎo),需低傳輸損耗(<0.1dB/cm)。

典型產(chǎn)品與廠商

? 半導(dǎo)體正性膠:

? 日本信越(Shin-Etsu)的ArF膠(分辨率22nm,用于12nm制程);

? 美國(guó)陶氏(Dow)的EUV膠(靈敏度10mJ/cm2,缺陷密度<5個(gè)/cm2)。

? PCB負(fù)性膠:

? 中國(guó)容大感光(LP系列):耐堿性蝕刻,厚度20-50μm,國(guó)產(chǎn)化率超60%;

? 日本東京應(yīng)化(TOK)的THMR-V:全球PCB膠市占率30%,適用于高可靠性汽車板。

? MEMS厚膠:

? 美國(guó)陶氏的SU-8:實(shí)驗(yàn)室常用,厚度5-200μm,分辨率1μm(需優(yōu)化交聯(lián)均勻性);

? 德國(guó)Microresist的MR膠:耐深硅蝕刻,線寬精度±2%,用于工業(yè)級(jí)MEMS制造。

蘇州3微米光刻膠品牌正性光刻膠的工藝和應(yīng)用場(chǎng)景。

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廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司以光刻膠為中心,逐步拓展至半導(dǎo)體全材料領(lǐng)域,形成了 “技術(shù)驅(qū)動(dòng)、全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋” 的發(fā)展格局。公司產(chǎn)品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠,還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料,為客戶提供一站式采購(gòu)服務(wù)。

市場(chǎng)與榮譽(yù):
  • 產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球 50 多個(gè)地區(qū),客戶包括電子制造服務(wù)商(EMS)及半導(dǎo)體廠商。
  • 獲評(píng) “廣東省專精特新企業(yè)”“廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)”,并通過技術(shù)企業(yè)認(rèn)證。
  • 生產(chǎn)基地配備自動(dòng)化設(shè)備,年產(chǎn)能超千噸,滿足大規(guī)模訂單需求。
未來展望:
公司計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大研發(fā)中心規(guī)模,聚焦第三代半導(dǎo)體材料研發(fā),如 GaN、SiC 相關(guān)光刻膠技術(shù)。同時(shí),深化全球化布局,在東南亞、歐洲等地設(shè)立分支機(jī)構(gòu),強(qiáng)化本地化服務(wù)能力。

  1. 正性光刻膠(如 YK-300)
    應(yīng)用場(chǎng)景:用于芯片的精細(xì)圖案化,如集成電路(IC)、分立器件(二極管、三極管)的制造。
    特點(diǎn):高分辨率(可達(dá)亞微米級(jí)),適用于多層光刻工藝,確保芯片電路的高精度與可靠性。
  2. 負(fù)性光刻膠(如 JT-1000)
    應(yīng)用場(chǎng)景:用于功率半導(dǎo)體(如 MOSFET、IGBT)的制造,以及傳感器(如 MEMS)的微結(jié)構(gòu)成型。
    特點(diǎn):抗蝕刻能力強(qiáng),適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
  3. 納米壓印光刻膠(JT-2000)
    應(yīng)用場(chǎng)景:第三代半導(dǎo)體(GaN、SiC)芯片、量子點(diǎn)器件及微流控芯片的制造。特點(diǎn):耐高溫(250℃)、耐酸堿,支持納米級(jí)精度圖案復(fù)制,降低芯片的制造成本。
吉田技術(shù)自主化與技術(shù)領(lǐng)域突破!

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 吉田半導(dǎo)體納米壓印光刻膠 JT-2000:國(guó)產(chǎn)技術(shù)突破耐高溫極限

自主研發(fā) JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫,為國(guó)產(chǎn)納米器件制造提供關(guān)鍵材料。吉田半導(dǎo)體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國(guó)產(chǎn)交聯(lián)樹脂,在 250℃高溫下仍保持圖形保真度 > 95%。產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與全自動(dòng)化工藝,其高粘接強(qiáng)度與耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿特性,適用于光學(xué)元件、傳感器等精密器件。產(chǎn)品已通過國(guó)內(nèi)科研機(jī)構(gòu)驗(yàn)證,應(yīng)用于國(guó)產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝,幫助客戶實(shí)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)加工自主化。
LCD 光刻膠供應(yīng)商哪家好?吉田半導(dǎo)體高分辨率 +低 VOC 配方!安徽負(fù)性光刻膠多少錢

松山湖光刻膠廠家吉田,2000 萬級(jí)產(chǎn)能,48 小時(shí)極速交付!無錫厚膜光刻膠報(bào)價(jià)

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢(shì),適用于不同領(lǐng)域。

厚板光刻膠 JT - 3001:具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年,適用于對(duì)光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場(chǎng)景,如一些特殊的電路板制造。

SU - 3 負(fù)性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對(duì)比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng)。重量為 100g,常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。

液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,具有優(yōu)異的分辨率,準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好。主要應(yīng)用于液晶平板顯示器的制造,能滿足其對(duì)光刻膠高精度和穩(wěn)定性的需求。

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠:耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿,耐高溫達(dá) 250°C,長(zhǎng)期可靠性高,粘接強(qiáng)度高。重量 100g,適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝,如一些半導(dǎo)體器件的制造。 無錫厚膜光刻膠報(bào)價(jià)

標(biāo)簽: 光刻膠 錫膏 錫片