關鍵工藝流程
涂布:
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無氣泡(旋涂轉速500-5000rpm)。
前烘(Soft Bake):
? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強附著力(避免顯影時邊緣剝離)。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。
? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。
? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。
? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影:
? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化學增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應,提高分辨率和耐蝕刻性。
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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢,適用于不同領域。
LCD 正性光刻膠 YK - 200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點,重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉移和良好的涂布效果。
半導體正性光刻膠 YK - 300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蝕的特性,適用于在有腐蝕風險的光刻工藝中,比如一些特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造。
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以 15% 年研發(fā)投入為驅動,吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā),搶占行業(yè)制高點。布局下一代光刻技術。
面對極紫外光刻技術挑戰(zhàn),吉田半導體與中科院合作開發(fā)化學放大型 EUV 光刻膠,在感光效率(<10mJ/cm2)和耐蝕性(>80%)指標上取得階段性進展。同時,公司前瞻性布局木基光刻膠研發(fā),對標日本王子控股技術,探索生物基材料在半導體封裝中的應用。這些技術儲備為 7nm 及以下制程提供支撐,助力中國在下一代光刻技術中占據(jù)重要地位。
廣東吉田半導體材料有限公司憑借技術創(chuàng)新與質量優(yōu)勢,在半導體材料行業(yè)占據(jù)重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產(chǎn)品,其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強酸強堿環(huán)境,適用于高精度納米結構制造;LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。此外,公司還提供焊片、靶材等配套材料,滿足客戶多元化需求。
在技術層面,吉田半導體通過自主研發(fā)與國際合作結合,持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝,實現(xiàn)全流程自動化控制。其生產(chǎn)基地配備先進設備,并嚴格執(zhí)行國際標準,確保產(chǎn)品性能達到國際水平。同時,公司注重人才培養(yǎng)與引進,匯聚化工、材料學等領域的專業(yè)團隊,為技術創(chuàng)新提供堅實支撐。未來,吉田半導體將繼續(xù)以 “中國前列半導體材料方案提供商” 為愿景,推動行業(yè)技術升級與國產(chǎn)化進程。
自研自產(chǎn)的光刻膠廠家。
光刻膠的納米級性能要求
超高分辨率:需承受電子束(10keV以上)或EUV(13.5nm波長)的轟擊,避免散射導致的邊緣模糊,目前商用EUV膠分辨率已達13nm(3nm制程)。
低缺陷率:納米級結構對膠層中的顆?;蚧瘜W不均性極其敏感,需通過化學增幅型配方(如酸催化交聯(lián))提升對比度和抗刻蝕性。
多功能性:兼容多種基底(柔性聚合物、陶瓷)和后處理工藝(干法刻蝕、原子層沉積),例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。
技術挑戰(zhàn)與前沿方向
? EUV光刻膠優(yōu)化:解決曝光后酸擴散導致的線寬波動,開發(fā)含氟聚合物或金屬有機材料以提高靈敏度。
? 無掩膜光刻:結合機器學習優(yōu)化電子束掃描路徑,直接寫入復雜納米圖案(如神經(jīng)網(wǎng)絡芯片的突觸陣列),縮短制備周期。
? 生物基光刻膠:開發(fā)可降解、低毒性的天然高分子光刻膠,用于生物芯片或環(huán)保型納米制造。
松山湖半導體材料廠家吉田,全系列產(chǎn)品支持小批量試產(chǎn)!無錫納米壓印光刻膠國產(chǎn)廠商
挑戰(zhàn)與未來展望的發(fā)展。西安阻焊油墨光刻膠品牌
技術趨勢與挑戰(zhàn)
半導體先進制程:
? EUV光刻膠需降低缺陷率(目前每平方厘米缺陷數(shù)<10個),開發(fā)低粗糙度(≤5nm)材料;
? 極紫外吸收問題:膠膜對13.5nm光吸收率高,需厚度控制在50-100nm,挑戰(zhàn)化學增幅體系的靈敏度。
環(huán)保與低成本:
? 水性負性膠替代溶劑型膠(如PCB阻焊膠),減少VOC排放;
? 單層膠工藝替代多層膠,簡化流程(如MEMS厚膠的一次性涂布)。
新興領域拓展:
? 柔性電子:開發(fā)耐彎曲(曲率半徑<5mm)、低模量感光膠,用于可穿戴設備電路;
? 光子芯片:高折射率膠(n>1.8)制作光波導,需低傳輸損耗(<0.1dB/cm)。
典型產(chǎn)品與廠商
? 半導體正性膠:
? 日本信越(Shin-Etsu)的ArF膠(分辨率22nm,用于12nm制程);
? 美國陶氏(Dow)的EUV膠(靈敏度10mJ/cm2,缺陷密度<5個/cm2)。
? PCB負性膠:
? 中國容大感光(LP系列):耐堿性蝕刻,厚度20-50μm,國產(chǎn)化率超60%;
? 日本東京應化(TOK)的THMR-V:全球PCB膠市占率30%,適用于高可靠性汽車板。
? MEMS厚膠:
? 美國陶氏的SU-8:實驗室常用,厚度5-200μm,分辨率1μm(需優(yōu)化交聯(lián)均勻性);
? 德國Microresist的MR膠:耐深硅蝕刻,線寬精度±2%,用于工業(yè)級MEMS制造。
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