專業(yè)濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結構，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。蘇州硅片濕法設備費用

電池濕法XBC工藝制絨清洗設備，功能是硅片正面絨面產(chǎn)生，背面區(qū)域打開。優(yōu)勢進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。光伏電池濕法制絨設備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結構、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。專業(yè)濕法設備價格光伏電池濕法制絨設備（HJT工藝）引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。

電池濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。

電池濕法設備Topcon工藝RCA槽式清洗設備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層，去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢：閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃l引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。光伏電池濕法制絨設備（HJT工藝）采用低溫烘干技術，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。

濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結構，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。太陽能光伏電池濕法制絨設備（Topcon工藝）使用強堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結構。江西硅片濕法

光伏電池濕法制絨設備（HJT工藝）所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出。蘇州硅片濕法設備費用

電池濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結構，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。蘇州硅片濕法設備費用