納米銀膏在大功率LED封裝上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì) 納米銀膏是一種先進(jìn)的高導(dǎo)熱導(dǎo)電材料，具有許多獨(dú)特的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，為大功率LED封裝提供了的性能和可靠性。 首先，納米銀膏具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能。其納米級(jí)別的銀顆粒能夠形成高度連接的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，提供出色的電流傳輸能力。這使得大功率LED能夠更高效地發(fā)光，并提高整體亮度和光效。 其次，納米銀膏具有良好的熱導(dǎo)性能。大功率LED在使用過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，如果不能及時(shí)散熱，會(huì)導(dǎo)致芯片溫度升高，影響LED的性能和壽命。而納米銀膏的高熱導(dǎo)率能夠迅速將熱量傳導(dǎo)到散熱器或散熱體上，有效降低芯片溫度，延長(zhǎng)LED的使用壽命。 此外，納米銀膏還具有高粘接強(qiáng)度和高可靠性，確保LED封裝的穩(wěn)定性和可靠性。同時(shí)，納米銀膏具有良好的耐腐蝕性和抗老化性，能夠在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中保持穩(wěn)定的性能。 ，納米銀膏還具有環(huán)保特性。與傳統(tǒng)的含鉛焊料相比，納米銀膏不含鉛，對(duì)環(huán)境友好。這符合環(huán)保要求。納米銀膏在碳化硅器件中的應(yīng)用主要是作為封裝散熱材料，用于提高器件的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能、可靠性和穩(wěn)定性。重慶低溫?zé)Y(jié)納米銀膏源頭工廠
納米銀膏——?jiǎng)?chuàng)新科技帶領(lǐng)行業(yè)革新 隨著電子科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，電子元器件向高功率、小型化發(fā)展. 在封裝領(lǐng)域，隨著功率半導(dǎo)體的興起，尤其是第三代半導(dǎo)體材料如 SiC和 GaN出現(xiàn)，功率器件具有高擊穿電壓、高飽和載流子遷移率、高熱穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率和高溫服役場(chǎng)合等特點(diǎn)；因此對(duì)封裝材料提出了低溫連接、高溫服役、優(yōu)良的熱疲勞抗性、高導(dǎo)電導(dǎo)熱性的要求； 納米銀膏采用納米級(jí)銀顆?；蚣{米級(jí)與微米級(jí)銀顆粒混合形式，同時(shí)添加有機(jī)成分組成。其內(nèi)部的銀顆粒粒徑較小使得燒結(jié)過(guò)程不經(jīng)過(guò)液相線，燒結(jié)溫度<250℃遠(yuǎn)低于金屬銀的熔點(diǎn)（Tm=961℃ ） ，可以實(shí)現(xiàn)其低溫連接、高溫服役，因此得到了國(guó)內(nèi)外比較廣關(guān)注； 南京芯興電子科技有限公司專注于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝材料研發(fā)生產(chǎn)，并成功推出納米銀膏產(chǎn)品，具有低溫?zé)Y(jié)（200℃-250℃），高溫服役（>500℃）,高導(dǎo)熱率（>220W）；高粘接強(qiáng)度（>70MPa）,SiC、GaN 三代半導(dǎo)體功率器件，大功率激光器、MOSFET及IGBT 器件，電網(wǎng)的逆變轉(zhuǎn)換器，新能源汽車電源模塊，半導(dǎo)體集成電路，光電器件以及其它需要高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電的領(lǐng)域廣東低電阻納米銀膏源頭工廠納米銀膏是一款高導(dǎo)熱電子封裝焊料。
納米銀膏是一種具有高導(dǎo)熱導(dǎo)電性能的材料，其導(dǎo)熱率是傳統(tǒng)軟釬焊料的數(shù)倍。通過(guò)采用獨(dú)特的納米技術(shù)，納米銀膏將銀顆粒細(xì)化到納米級(jí)別，并在燒結(jié)后形成納米銀層，能夠快速將器件產(chǎn)生的熱量傳遞到基板或散熱器，從而有效降低器件的工作溫度。此外，納米銀膏還具有高粘接強(qiáng)度和高可靠性，能夠與Ag、Au、Cu等基材牢固結(jié)合，不易脫落或剝落。它還具有抗氧化、抗腐蝕等特性，能夠保護(hù)器件免受外界環(huán)境的影響，延長(zhǎng)器件的使用壽命?？偟膩?lái)說(shuō)，納米銀膏作為一種高導(dǎo)熱導(dǎo)電、高可靠性的封裝材料，能夠有效解決器件散熱問(wèn)題，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和使用壽命。它在電子、通信、汽車等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，發(fā)揮著重要的作用。
納米銀膏在金屬陶瓷封裝中具有許多優(yōu)勢(shì)。首先，納米銀膏具有良好的導(dǎo)電性能和熱導(dǎo)性能，能夠有效降低封裝體的電阻和熱阻，提高器件的散熱效果。其次，納米銀膏具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和抗疲勞性能，能夠有效抵抗因溫度變化引起的應(yīng)力，延長(zhǎng)器件的使用壽命。此外，納米銀膏還具有良好的耐腐蝕性和抗氧化性，能夠較長(zhǎng)的工作窗口期保持穩(wěn)定的性能。 與金錫焊料相比，納米銀膏在陶瓷封裝中的應(yīng)用具有明顯的優(yōu)勢(shì)。首先，納米銀膏的成本更低，能夠有效降低封裝工藝的成本。其次，納米銀膏的熔點(diǎn)較低，能夠?qū)崿F(xiàn)低溫焊接，減少對(duì)器件的熱損傷。此外，納米銀膏的潤(rùn)濕性更好，能夠提高焊接接頭的可靠性和穩(wěn)定性。綜上所述，納米銀膏在陶瓷封裝中具有比較廣的應(yīng)用前景，是未來(lái)焊接材料領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。納米銀膏高導(dǎo)熱性能，這有利于解決激光器由于熱量產(chǎn)生而引發(fā)的波長(zhǎng)紅移、功率降低、閾值電流增大等問(wèn)題。
納米銀膏在SIC/GaN功率器件上應(yīng)用背景 功率器件發(fā)展迅速并被比較廣運(yùn)用，其設(shè)計(jì)與制造朝著高頻開(kāi)關(guān)速率、高功率密度、高結(jié)溫等方向發(fā)展，尤其是第三代半導(dǎo)體SiC/GaN材料的出現(xiàn)，相對(duì)于傳統(tǒng)的Si基材料，第三代半導(dǎo)體有著高結(jié)溫 、低導(dǎo)通電阻、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高開(kāi)關(guān)頻率等性能優(yōu)勢(shì)。在常規(guī)封裝的功率開(kāi)關(guān)器件中，芯片底部的互連一般采用釬焊工藝，考慮到無(wú)鉛化的要求，所選擇的焊料熔點(diǎn)都低于250 ℃，如常用的 SnAgCu 系和 SnSb 系焊料等，因此不能充分發(fā)揮SiC/GaN芯片的高耐溫性能。此外，焊料在界面處極易產(chǎn)生脆硬的金屬間化合物，給產(chǎn)品的可靠性帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。目前，納米銀燒結(jié)技術(shù)是一種有效解決方案，銀因其熔點(diǎn)高達(dá)961 ℃，將其作為連接材料能極大提高器件封裝結(jié)構(gòu)的溫度耐受性，且納米銀的燒結(jié)溫度卻低于250℃，使用遠(yuǎn)低于熔點(diǎn)的燒結(jié)溫度就能得到較為致密的組織結(jié)構(gòu)，燒結(jié)后的銀層耐熱溫度高，連接強(qiáng)度高，導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能良好納米銀膏通過(guò)先進(jìn)的納米技術(shù)和燒結(jié)固化過(guò)程實(shí)現(xiàn)了超高的粘接強(qiáng)度，提升了電子器件的性能和可靠性。陜西高性價(jià)比納米銀膏費(fèi)用
金屬陶瓷封裝領(lǐng)域，納米銀膏因其粘接強(qiáng)度達(dá)標(biāo)的同時(shí)比金錫焊料更高的熱導(dǎo)率，更低的電阻率而更加適合。重慶低溫?zé)Y(jié)納米銀膏源頭工廠
納米銀膏和金錫焊料是兩種不同的電子封裝材料，它們?cè)趦r(jià)格、工藝、可靠性等方面存在一些差異。首先，納米銀膏的價(jià)格較金錫焊料更為經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。此外，銀的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能也優(yōu)于金，因此在功率半導(dǎo)體器件封裝上，尤其是金屬陶瓷封裝領(lǐng)域，納米銀膏因其較高的熱導(dǎo)率和較低的電阻率而更加適合使用。 其次，納米銀膏的焊接工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，而金錫焊料的焊接工藝需要掌握一定的技巧和經(jīng)驗(yàn)。此外，納米銀膏具有較好的潤(rùn)濕性和流動(dòng)性，能夠更好地填充焊縫，提高焊接質(zhì)量。 在可靠性方面，納米銀膏也表現(xiàn)出一定的優(yōu)勢(shì)。由于銀的導(dǎo)電性能和耐腐蝕性能都優(yōu)于金，因此納米銀膏在長(zhǎng)期使用過(guò)程中能夠保持更好的電氣性能和耐腐蝕性能。 綜上所述，納米銀膏在成本、工藝、可靠性以及導(dǎo)熱率和電阻率等方面都具有一定的優(yōu)勢(shì)，因此在大功率器件封裝，特別是金屬陶瓷封裝應(yīng)用中有望逐步替代金錫焊料。重慶低溫?zé)Y(jié)納米銀膏源頭工廠