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重慶無壓納米銀膏封裝材料

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-27

納米銀膏在封裝行業(yè)的應(yīng)用非常比較廣,尤其是在功率半導(dǎo)體器件的封裝中。納米銀膏兼容錫膏的點(diǎn)膠、印刷工藝和設(shè)備,其工藝溫度低,連接強(qiáng)度高,燒結(jié)后為100%Ag,理論熔點(diǎn)達(dá)到961℃。因此,它可替代現(xiàn)有的高鉛焊料應(yīng)用,且導(dǎo)熱性能優(yōu)異,適用于SIC、IGBT、LED、射頻等功率元器件的封接。 在功率半導(dǎo)體器件封裝中,納米銀膏由于其低溫?zé)Y(jié)、高溫服役、高導(dǎo)熱、導(dǎo)電性,高粘接強(qiáng)度及高可靠性的優(yōu)勢,使得它在功率電子器件封裝領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。納米銀膏是一款具有低溫?zé)Y(jié),高溫服役,高導(dǎo)熱導(dǎo)電,高粘接強(qiáng)度,低熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢的封裝焊料。重慶無壓納米銀膏封裝材料

納米銀膏在SIC/GaN功率器件上應(yīng)用背景 功率器件發(fā)展迅速并被比較廣運(yùn)用,其設(shè)計(jì)與制造朝著高頻開關(guān)速率、高功率密度、高結(jié)溫等方向發(fā)展,尤其是第三代半導(dǎo)體SiC/GaN材料的出現(xiàn),相對于傳統(tǒng)的Si基材料,第三代半導(dǎo)體有著高結(jié)溫 、低導(dǎo)通電阻、高臨界擊穿場強(qiáng)、高開關(guān)頻率等性能優(yōu)勢。在常規(guī)封裝的功率開關(guān)器件中,芯片底部的互連一般采用釬焊工藝,考慮到無鉛化的要求,所選擇的焊料熔點(diǎn)都低于250 ℃,如常用的 SnAgCu 系和 SnSb 系焊料等,因此不能充分發(fā)揮SiC/GaN芯片的高耐溫性能。此外,焊料在界面處極易產(chǎn)生脆硬的金屬間化合物,給產(chǎn)品的可靠性帶來了新的挑戰(zhàn)。目前,納米銀燒結(jié)技術(shù)是一種有效解決方案,銀因其熔點(diǎn)高達(dá)961 ℃,將其作為連接材料能極大提高器件封裝結(jié)構(gòu)的溫度耐受性,且納米銀的燒結(jié)溫度卻低于250℃,使用遠(yuǎn)低于熔點(diǎn)的燒結(jié)溫度就能得到較為致密的組織結(jié)構(gòu),燒結(jié)后的銀層耐熱溫度高,連接強(qiáng)度高,導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能良好安徽光伏逆變器用納米銀膏報(bào)價(jià)納米銀膏高導(dǎo)熱性能,這有利于解決激光器由于熱量產(chǎn)生而引發(fā)的波長紅移、功率降低、閾值電流增大等問題。

納米銀膏:高性能材料,物有所值 納米銀膏作為一種先進(jìn)的材料,具有高導(dǎo)電、導(dǎo)熱等特性,在第三代半導(dǎo)體、、新能源等領(lǐng)域得到比較廣應(yīng)用。作為納米銀膏材料的行家,我們深知這種材料的價(jià)值,并致力于為客戶提供品質(zhì)高的產(chǎn)品和品質(zhì)高的服務(wù)。 在定價(jià)策略上,我們始終堅(jiān)持以客戶為中心,以產(chǎn)品的質(zhì)量和價(jià)值為導(dǎo)向。我們的定價(jià)策略充分考慮了產(chǎn)品的研發(fā)成本、生產(chǎn)成本、品質(zhì)保證以及市場競爭力等因素。同時(shí),我們也深知客戶的實(shí)際需求和預(yù)算限制,因此我們會提供具有競爭力的價(jià)格,確??蛻裟軌颢@得物有所值的產(chǎn)品。 我們深知納米銀膏在各行各業(yè)的應(yīng)用價(jià)值,因此我們注重產(chǎn)品的研發(fā)和品質(zhì)保證。我們的專業(yè)團(tuán)隊(duì)不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新和工藝改進(jìn),以提高產(chǎn)品的性能和可靠性。同時(shí),我們也注重產(chǎn)品的成本控制,以確保我們能夠提供更具競爭力的價(jià)格。 我們相信,通過我們的努力和專業(yè)知識,我們可以為您提供品質(zhì)高、高性能的納米銀膏材料,同時(shí)提供具有競爭力的價(jià)格。在購買我們的產(chǎn)品時(shí),您不僅可以獲得品質(zhì)高的產(chǎn)品,還可以獲得我們的專業(yè)咨詢和服務(wù)支持。我們期待與您合作,共同開創(chuàng)美好的未來!

納米銀膏——創(chuàng)新科技帶領(lǐng)行業(yè)革新 隨著電子科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展,電子元器件向高功率、小型化發(fā)展. 在封裝領(lǐng)域,隨著功率半導(dǎo)體的興起,尤其是第三代半導(dǎo)體材料如 SiC和 GaN出現(xiàn),功率器件具有高擊穿電壓、高飽和載流子遷移率、高熱穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率和高溫服役場合等特點(diǎn);因此對封裝材料提出了低溫連接、高溫服役、優(yōu)良的熱疲勞抗性、高導(dǎo)電導(dǎo)熱性的要求; 納米銀膏采用納米級銀顆粒或納米級與微米級銀顆?;旌闲问?,同時(shí)添加有機(jī)成分組成。其內(nèi)部的銀顆粒粒徑較小使得燒結(jié)過程不經(jīng)過液相線,燒結(jié)溫度<250℃遠(yuǎn)低于金屬銀的熔點(diǎn)(Tm=961℃ ) ,可以實(shí)現(xiàn)其低溫連接、高溫服役,因此得到了國內(nèi)外比較廣關(guān)注; 南京芯興電子科技有限公司專注于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝材料研發(fā)生產(chǎn),并成功推出納米銀膏產(chǎn)品,具有低溫?zé)Y(jié)(200℃-250℃),高溫服役(>500℃),高導(dǎo)熱率(>220W);高粘接強(qiáng)度(>70MPa),SiC、GaN 三代半導(dǎo)體功率器件,大功率激光器、MOSFET及IGBT 器件,電網(wǎng)的逆變轉(zhuǎn)換器,新能源汽車電源模塊,半導(dǎo)體集成電路,光電器件以及其它需要高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電的領(lǐng)域納米銀膏可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環(huán)境溫度及使用壽命。

在當(dāng)前的功率半導(dǎo)體封裝行業(yè)中,納米銀膏的應(yīng)用已經(jīng)成為了一種趨勢。那么,納米銀膏在半導(dǎo)體封裝上的優(yōu)勢究竟有多大呢?讓我們通過數(shù)據(jù)來揭示這個問題。 首先,我們來看一下納米銀膏的導(dǎo)熱性能。根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,納米銀膏的熱導(dǎo)率(>200W)是傳統(tǒng)銀膠的10倍以上,這意味著使用納米銀膏的半導(dǎo)體器件在工作時(shí),能夠更有效地將熱量傳導(dǎo)出去,從而降低了器件的工作溫度,提高了其穩(wěn)定性和壽命。 其次,納米銀膏的導(dǎo)電性能也非常出色。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,納米銀膏的電阻率(5E-6)是傳統(tǒng)銀膠的5倍以上。這意味著使用納米銀膏的半導(dǎo)體器件在工作時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)更高效的電能傳輸,從而提高了器件的工作效率。 再者,納米銀膏還具有高可靠性。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,納米銀膏其性能衰減速度遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)銀膠。這意味著使用納米銀膏的半導(dǎo)體器件在長期服役時(shí),能夠保持更好的性能,從而提高了器件的使用壽命。 綜上所述,納米銀膏在半導(dǎo)體封裝上的優(yōu)勢是顯而易見的。它的導(dǎo)熱性能、導(dǎo)電性能、高可靠性遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)銀膠。因此,從提高器件的性能和可靠性,納米銀膏都是理想的選擇納米銀膏是一款耐高溫焊料。貴州光耦封裝用納米銀膏定制

納米銀膏不會產(chǎn)生熔點(diǎn)小于300℃的軟釬焊連接層中出現(xiàn)的典型疲勞效應(yīng),具有極高的可靠性。重慶無壓納米銀膏封裝材料

納米銀膏:縮短生產(chǎn)工藝流程,提高生產(chǎn)效率 納米銀膏材料不僅因其優(yōu)異的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能,在半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有比較廣的應(yīng)用,而且無壓納米銀膏可以適配現(xiàn)有的生產(chǎn)工藝和設(shè)備;納米銀膏工藝流程如下:點(diǎn)膠(點(diǎn)膠機(jī))/印刷(絲網(wǎng)印刷機(jī)),貼片(貼片機(jī)),烘烤(烘箱/真空燒結(jié)爐),只需三步即可完成,無需添加新設(shè)備或者導(dǎo)入新工藝即可立即投入生產(chǎn);納米銀膏不含助焊劑,所以固化后無需清洗,縮短工藝流程的同時(shí)避免二次污染,從而提高企業(yè)的生產(chǎn)效率,實(shí)現(xiàn)提效、降本、增產(chǎn),提升企業(yè)產(chǎn)品的競爭力。重慶無壓納米銀膏封裝材料

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標(biāo)簽: 納米銀膏