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普通晶閘管普通晶閘管（SCR）是由PNPN四層半導體材料構成的三端半導體器件，三個引出端分另為陽極A、陰極K和門極G、圖8-4是其電路圖形符號。普通晶閘管的陽極與陰極之間具有單向?qū)щ姷男阅?，其?nèi)部可以等效為由一只PNP晶閘管和一只NPN晶閘管組成的組合管，如圖8-5所示。當晶閘管反向連接（即A極接電源負端，K極接電源正端）時，無論門極G所加電壓是什么極性，晶閘管均處于阻斷狀態(tài)。當晶閘管正向連接（即A極接電源正端，K極接電源負端）時，若門極G所加觸發(fā)電壓為負時，則晶閘管也不導通，只有其門極G加上適當?shù)恼蛴|發(fā)電壓時，晶閘管才能由阻斷狀態(tài)變?yōu)閷顟B(tài)。此時，晶閘管陽極A極與陰極K極之間呈低...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶閘管的工作原理晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關短狀態(tài)。...

模塊內(nèi)部晶閘管主要參數(shù) （1）正反向峰值耐壓：≥1400V； （2）di／dt：100A／μs； （3）dv／dt：500V／μs 晶閘管智能模塊的應用方法 模塊的控制功能端口 模塊可應用于各行各業(yè)需要對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合。如變壓器調(diào)壓；加熱行業(yè)調(diào)溫；金屬加工行業(yè)的電鍍、電解；電源行業(yè)電池充放電、電源穩(wěn)壓；電磁行業(yè)的勵磁以及各行業(yè)使用的直流電機調(diào)速、交流電機軟起動等。 模塊如何使用？ 模塊的使用非常簡單，只需用一個可調(diào)的電壓或者電流信號即可對模塊輸出電壓的大小進行平滑調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)弱電對強電的控制。 電壓或電流信號可取自各...

當C5上的電壓上升到氛管的導通電壓時，雙向晶閘管就會被觸發(fā)導通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯(lián)（基極開路）代替雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果還不錯。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果要差一些，在對調(diào)壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢？雙向晶閘管的特點是不論給它的控制極加上正的或負的觸發(fā)脈沖都能使它導通，所以，單結晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調(diào)壓效果很好，只是電路比較復雜。由于單結晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓，再經(jīng)過穩(wěn)壓管VD削波成為梯...

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。...

檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負）接單結晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數(shù)應為3～10kΩ。[7]檢測PN結正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數(shù)均應為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結反向電阻，讀數(shù)均應為無窮大。如果測量結果與上述不符，說明被測單結管已損壞。[8]測量單結晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結晶體管的基本應用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結構大為簡化。圖示為單結晶體管弛張振蕩器。單結管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，...

[1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區(qū)開始進入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發(fā)射極電流...

但是在設定電流限值時必須要根據(jù)電動機的初始轉(zhuǎn)矩來設定，否則設置過小會起動失敗或燒壞電機。此種起動方式起動時間相對較長。圖3限流起動4、突跳起動這種起動方式主要應用在負載相對較重的工作環(huán)境下。在轉(zhuǎn)矩控制的基礎下，在起動的瞬間采用一個突跳轉(zhuǎn)矩用來克服負載的靜轉(zhuǎn)矩，然后轉(zhuǎn)矩在逐漸上升，直至電動機到達正常工作狀態(tài)。這種起動方式的優(yōu)點是可以縮短起動時間，起動較重的負載，但在起動的時候會對電網(wǎng)產(chǎn)生一定的沖擊，影響同一電網(wǎng)下其他負荷的工作。圖4突跳起動5、軟停車軟停車的實際上就相當于相反軟起動過程，主要作用是消除了系統(tǒng)的反慣性沖擊，對于泵類負載來講就是克服了“水錘”效應。其主要過程是在電動機實行軟停...

晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法 考慮到晶閘管智能模塊產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算： I>K×I負載×U較大∕U實際 K ：安全系數(shù)，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2； I負載：負載流過的較大電流； U實際：負載上的較大電壓； U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）； I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電...

晶閘管智能模塊的散熱要求 模塊散熱條件的好壞直接關系到產(chǎn)品的使用壽命和短時過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風機，建議采用帶有過熱保護功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過嚴格測算，確定了不同型號的產(chǎn)品所應該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風機，用戶自備時按以下原則選?。? 1、軸流風機的風速應大于6m/s ； 2、一定要能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于 80℃； 3、模塊負載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻； 4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實現(xiàn)對流并適當增大散熱器面積； ...

以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電...

[1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區(qū)開始進入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發(fā)射極電流...

晶閘管智能模塊過流保護： 加熱爐在實際工作中因加熱絲溫度上升，會導致加熱絲變形，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會使電流增大，電流過大后會超過模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過大，必須采取過流保護措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負載的額定電流或略大于負載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護作用。 正高電氣不斷從事技術革新，改進生產(chǎn)工藝，提高技術水平。聊城MTAC150晶閘管智能模塊組件 使C5上的電壓達到雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電...

晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關鍵的功率器件，整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關系，選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊，其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的比較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機時溫度很低，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電流會很大或加熱到比較高溫度時，額定電...

使得VD1~VD4所組成的橋路不通，作為負載的燈泡中無電流流過，燈泡不亮。以下是一款簡單的光敏電阻延時節(jié)電開關電路圖，它是由三個接線端子［1］、［2］、［3］，三端低壓直流電源［4］，延時電路由（W↓〔1〕、R↓〔1〕、C↓〔1〕構成），脈沖電路（由R↓〔2〕、BG↓〔1〕構成），無觸點開關電路（由SCR↓〔1〕、R↓〔2〕、D↓〔1〕、SCR↓〔2〕構成。它具有電路簡單、成本低、體積小、布線簡單、使用方便、經(jīng)久耐用、節(jié)電顯著、用電設備壽命長的特點。光敏電阻光控燈電路圖（三）：基于光敏電阻的亮度自動調(diào)節(jié)臺燈電路圖本方案介紹的自動調(diào)光臺燈能根據(jù)周圍環(huán)境亮度強弱自動調(diào)整臺燈發(fā)光量。當環(huán)境亮...

2）要準確測量GTO的關斷增益βoff，必須有**測試設備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同，測量結果*供參考，或作為相對比較的依據(jù)。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結構，使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒，工作頻率達幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用...

IC1D及其周圍電路構成壓控時鐘，其輸出信號的周期隨調(diào)節(jié)器的輸出電壓VK而線性變化。壓控時鐘信號輸入到IC6的11P，作為數(shù)字觸發(fā)的時鐘CL0K0。數(shù)字觸發(fā)的特征是用計數(shù)（時鐘脈沖）的辦法來實現(xiàn)移相，6路整流移相觸發(fā)脈沖均由IC6產(chǎn)生，IC2C、IC2D及其周圍電路組成定輸出脈寬電路。6路整流移相觸發(fā)脈沖經(jīng)IC5晶體管陳列放大后，驅(qū)動整流脈沖變壓器輸出，這里脈沖變壓器采用的是反激工作方式。共設有2個調(diào)節(jié)器：中頻電壓/電流調(diào)節(jié)器、逆變角調(diào)節(jié)器。其中電壓/電流調(diào)節(jié)器（IC3C），是常規(guī)的PI調(diào)節(jié)器，在啟動和運行的整個階段，該環(huán)始終參與工作；逆變角調(diào)節(jié)器（IC3B）用于使逆變橋能在某一θ角下...

逆變橋進入工作狀態(tài)，開始起振，若不起振，表現(xiàn)為它激信號反復作掃頻動作，可調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調(diào)一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調(diào)后，仍然起動不起來。此時應確認一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應器的電感量，計算出槽路的諧振頻率，當槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動應該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開關均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調(diào)節(jié)主控板上W4微調(diào)電位器，使逆變換相引前角在...

晶閘管智能模塊工作原理 晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內(nèi)，通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內(nèi)溫度，然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓，形成一個溫度閉環(huán)系統(tǒng)，來保持爐內(nèi)溫度恒定。 晶閘管智能模塊過壓保護： 晶閘管智能模塊工作時由導通到截止時或因雷擊及其他原因都會產(chǎn)生能量較大，持續(xù)時間較長的過電壓，此電壓直接作用與晶閘管上會使晶閘管超過額定電壓而擊穿，為了保護晶閘管，常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來吸收過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。 正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務，全過程滿足客戶的***需求。MTAC480晶閘管智能模塊批發(fā) ...

過流保護如果想得到較安全的過流保護，建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元...

限流作用的強弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數(shù)量級。對于電動機系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產(chǎn)生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會比工作于...

晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡，該網(wǎng)絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結結面相當于...

限流作用的強弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數(shù)量級。對于電動機系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產(chǎn)生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會比工作于...

雙向晶閘管看起來與單向晶閘管的外形差不多，也有三個電極，它的主要工作特性是什么呢？雙向晶閘管相當于兩個單向晶閘管的反向并聯(lián)，但只有一個控制極。這樣，雙向晶閘管在正、反兩個方向上都能夠控制導電，而單向晶閘管卻是一種可控的單方向?qū)щ娖骷?。給雙向晶閘管的控制極加正的或負的觸發(fā)脈沖，都能使管子觸發(fā)導通。這樣，觸發(fā)電路的設計就具有很大的靈活性，可以采用多種不同的觸發(fā)方式。此外，雙向晶閘管的兩個主電極不再分為陽極和陰極，而是稱為電極T1和第二電極T2。雙向晶閘管在電路中不能用作可控整流元件，主要用來進行交流調(diào)壓、交流開關、可逆直流調(diào)速等等。雙向晶閘管觸發(fā)電路中，使用了雙向觸發(fā)二極管，我們過去沒有聽...

調(diào)節(jié)W2微調(diào)電位器可整定過壓電平。IC4D及周圍電路組成水壓過低延時保護電路，延時時間約3秒，輸入到IC6的27P，整流觸發(fā)脈沖；驅(qū)動“”LED指示燈亮和驅(qū)動報警繼電器。復位開關信號由CON2-6、CON2-7輸入，閉合狀態(tài)為復位/暫停。輸入到IC635P的時鐘信號CLOK1，其周期為20mS。7、控制板的接線端子與參數(shù)控制板共有32個M3接線端子，端子排列圖參見圖一，各端子功能表見表一。表一功能端子號參數(shù)故障輸出CON1-1CON1-2常開接點AC5A/220V，DC10A/28V常開接點的定觸頭，接電源N線電壓反饋信號CON2-1CON2-2VF中頻電壓12V電流反饋信號CON2-...

晶閘管智能模塊的保護 在實際應用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。 過熱保護：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實際工作中由于自身功耗，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后，會使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實際應用中，通常采用強迫風冷的方法來及時散除晶閘管工作時產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術改造。青島MTAC40晶閘管智能模塊配件 由與非門的邏輯關系可知此時YFA3腳...

晶閘管模塊的應用方法 1、模塊的控制功能端口定義 +12V： 外接 +12V直流電源正極。 GND： 直流電源地線。 GND1: 控制信號地線，與GND 相通。 CON10V: 0～10V 控制信號輸入。 TESTE： 檢測電源,可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。 CON20mA：4～20mA控制信號輸入。 2、模塊的控制端口與控制線 模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式，分別對應于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號的產(chǎn)品只用**腳端口，其余為空腳，采用電流信號的9腳為信號輸入，控制線的屏...

逆變橋進入工作狀態(tài)，開始起振，若不起振，表現(xiàn)為它激信號反復作掃頻動作，可調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調(diào)一下。若把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對調(diào)后，仍然起動不起來。此時應確認一下槽路的諧振頻率是否正確，可以用電容/電感表測量一下電熱電容器的電容量及感應器的電感量，計算出槽路的諧振頻率，當槽路的諧振頻率處在比較高它激頻率的，起動應該是很容易的。再著就是檢查一下逆變晶閘管是否有損壞的。（W3W4）逆變起振后，可做整定逆變引前然的工作，把DIP開關均打在OFF位置，用示波器觀察電壓互感器100V繞組的波形，調(diào)節(jié)主控板上W4微調(diào)電位器，使逆變換相引前角在...

晶閘管模塊常用的保護措施 ① 過電流保護 過流保護一般都推薦外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可，三相模塊三只，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓，額定電流一般取負載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對于短路引起的過流保護效果很好，對于一般性的過流并不能起到很好的保護效果，因為兩倍于快速熔斷器額定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護功能的模塊或具有過流保護功能的控制板。 ②過電壓保護 模塊的過壓保護，推薦使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。 阻容吸收回路能有效晶閘管由導通到截...