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MCS-51單片機含有2個定時器/計數(shù)器，具有4種工作方式。具有兩種工作模式（計數(shù)器模式和定時器模式）MCS-51單片機含有1個全雙工串行口，具有4種工作方式。TMOD-》定時器/計數(shù)器方式控制寄存器TCON-》定時器/計數(shù)器控制寄存器SMOD-》串行口波特率...

整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變?yōu)橹绷麟姷陌雽w器件。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路，如需達到全波整流需連成整流橋使用。正向導通狀態(tài)：電流只能從二極管的正極流入，負極流...

3）濾波從理論上（即假設電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會增大。有時會看到有一個電容量較大電解電容并聯(lián)了一個小電容，這時大電容濾低頻，小電容濾高頻。電容的作...

自恢復保險絲選型步驟（1）用于常溫25℃時，知道安裝PPTC位置的實際平均工作電流I和電壓V是多少，不考慮瞬間電流）（2）根據(jù)I值、V值和產(chǎn)品類別及安裝方式（DIP或SMD）選擇一種自復保險絲系列元件.（3）如果設備內部環(huán)境溫度大于25℃，自復保險絲隨著溫度的...

晶體管內部載流子的運動=0時，晶體管內部載流子運動示意圖如下圖所示。1．發(fā)射結加正向電壓，擴散運動形成發(fā)射極電流因為發(fā)射結加正向電壓，發(fā)射區(qū)雜質濃度高，所以大量自由電子因擴散運動越過發(fā)射結到達基區(qū)。與此同時，空穴也從基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散，由于基區(qū)雜質濃度低，空穴形...

電力網(wǎng)供給用戶的是交流電,而各種無線電裝置需要用直流電。整流,就是把交流電變?yōu)橹绷麟姷倪^程。利用具有單向導電特性的器件,可以把方向和大小交變的電流變換為直流電。下面介紹利用晶體二極管組成的各種整流電路。變壓器砍級電壓e2,是一個方向和大小都隨時間變化的正弦波電...

VB---反向峰值擊穿電壓Vc---整流輸入電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發(fā)射極與基極反向電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）VF---正向壓降（正向直流電壓）△VF---正向壓降差VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓VG...

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓VB的一半作為VR。（3）較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數(shù)反映...

1、檢波用二極管就原理而言，從輸入信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小于 100mA 的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達 400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為 2AP 型。類似點觸型那樣...

什么是晶體管配置？通常，共有三種類型的配置，其關于增益的描述如下：共基（CB）配置：它沒有當前增益，但具有公共集電極（CC）配置：它具有電流增益，但是沒有電壓增益.公共發(fā)射極（CE）配置：它同時具有電流增益和電壓增益.晶體管公共基極（CB）配置：在此電路中，將...

特殊二極管穩(wěn)壓二極管是利用二極管反向擊穿后伏安關系特別垂直的特性工作，即擊穿后電壓有微小的增加時，擊穿電流增加巨大這一特性，使得當電路中電流有波動時，穩(wěn)壓管兩端的電壓基本不變。穩(wěn)壓管是否被反向擊穿，可以借用二極管是否導通的方法來判斷，即先斷開穩(wěn)壓管，然后看兩個...

晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base)和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（G...

整流二極管還能夠起到保護作用，當整流二極管外加反向電壓不超過一定范圍時，通過整流二極管的電流少數(shù)載流子漂移運動從而形成的反向電流，可以防止接錯正負極。整流二極管的作用中的反向擊穿，反向擊穿按機理原理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。整流二極管在高摻雜濃度的情況下...

半導體二極管主要是依靠 PN 結而工作的。與 PN 結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據(jù) PN 結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：1、點接觸型二極管點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再...

16、阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。17、瞬變電壓抑制二極管TVP 管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～20...

電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構成，可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。常見的有二極管等。電子元器件包括:電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機電...

常見晶體三極管特性曲線2-18圖所示：圖2-18晶體三極管特性曲線3、晶體三極管共發(fā)射極放大原理如下圖所示：A、vt是一個npn型三極管，起放大作用。B、ecc集電極回路電源（集電結反偏）為輸出信號提供能量。C、rc是集電極直流負載電阻，可以把電流的變化量轉化...

穩(wěn)壓二極管在參數(shù)選擇時，首先需要確定穩(wěn)壓值，這個與負載電路有關，由于穩(wěn)壓二極管并不是每個電壓值都有，并且穩(wěn)壓值會存在一定的離散性，所以在選擇穩(wěn)壓值時，可以根據(jù)負載的情況選擇接近的穩(wěn)壓值，比如5V的負載可以選擇的穩(wěn)壓二極管。確定了穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值之后，需要確定...

VB---反向峰值擊穿電壓Vc---整流輸入電壓VB2B1---基極間電壓VBE10---發(fā)射極與基極反向電壓VEB---飽和壓降VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）VF---正向壓降（正向直流電壓）△VF---正向壓降差VDRM---斷態(tài)重復峰值電壓VG...

IF---正向直流電流（正向測試電流）.鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電...

整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流這一個術語，它是通過二極管的單向導通原理來完成工作的，通俗的來說二極管它是正向導通和反向截整流橋就是將整流管封在一個殼內了.分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起.半...

紅外光敏二極管的檢測將萬用表置于R×1k檔，測量紅外光敏二極管的正、反向電阻值。正常時，正向電阻值（黑表筆所接引腳為正極）為3~10kΩ左右，反向電阻值為500kΩ以上。若測得其正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則說明該光敏二極管已擊穿或開路損壞。在測量紅外光...

15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的...

新型機電元件產(chǎn)業(yè)——磁電子器件主要產(chǎn)品及服務：液晶顯示器背光電源驅動單元以及變壓器、電感線圈、電源模塊；SMT加工業(yè)務。產(chǎn)品適用于液晶顯示器、PDA等顯示設備中使用的LCD背光驅動單元及各類AV設備、通信設備、計測設備、控制設備等使用的各種線圈。新型機電元件產(chǎn)...

由于發(fā)射極是兩個回路的公共端，故稱該電路為共射放大電路。晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結正偏且集電結反向偏置，所以輸入回路加的基極電源和輸出回路加的集電極電源晶體管結構及類型用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，并形成兩個PN結，就構成了晶體...

大體意義上講，PN結的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上，一般半導體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結。具體介紹PN結的形成大體分為三步，首先擴散運動，P區(qū)的空穴濃度遠大于N區(qū)...

第1步：確定被保護電路正常工作的標準工作電流、比較大工作電壓、比較大故障電流、比較大工作環(huán)境溫度、動作時間等參數(shù)；第2步：根據(jù)被保護電路或產(chǎn)品的特點，確定是插件PTC還是貼片PTC；第3步：根據(jù)比較大工作電壓選出耐壓等級大于等于比較大工作電壓的PTC產(chǎn)品第4步...

晶體管公共發(fā)射極（CE）配置：在此電路中，放置了發(fā)射極輸入和輸出通用。輸入信號施加在基極和發(fā)射極之間，輸出信號施加在集電極和發(fā)射極之間。Vbb和Vcc是電壓。它具有高輸入阻抗，即（500-5000歐姆）。它具有低輸出阻抗，即（50-500千歐）。電流增益將很高...

13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區(qū)的 N 型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產(chǎn)生的。如發(fā)生隧道效應具備如下三個條件：①費米能...

晶體管的電流放大作用如下圖所示為基本放大電路，為輸入電壓信號，它接入基極-發(fā)射極回路，稱為輸入回路；放大后的信號在集電極-發(fā)射極回路，稱為輸出回路。由于發(fā)射極是兩個回路的公共端，故稱該電路為共射放大電路。晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件是發(fā)射結正偏且集電結反向偏...