臺(tái)達(dá)ME300變頻器:小身材,大能量,開(kāi)啟工業(yè)調(diào)速新篇章
臺(tái)達(dá)MH300變頻器:傳動(dòng)與張力控制的革新利器-友誠(chéng)創(chuàng)
磁浮軸承驅(qū)動(dòng)器AMBD:高速變頻技術(shù)引導(dǎo)工業(yè)高效能新時(shí)代
臺(tái)達(dá)液冷型變頻器C2000-R:工業(yè)散熱與空間難題
臺(tái)達(dá)高防護(hù)型MS300 IP66/NEMA 4X變頻器
重載設(shè)備救星!臺(tái)達(dá)CH2000變頻器憑高過(guò)載能力破局工業(yè)難題
臺(tái)達(dá)C2000+系列變頻器:工業(yè)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)越之選!
臺(tái)達(dá)CP2000系列變頻器:工業(yè)驅(qū)動(dòng)的革新力量!
臺(tái)達(dá)變頻器MS300系列:工業(yè)節(jié)能與智能控制的全能之選。
一文讀懂臺(tái)達(dá) PLC 各系列!性能優(yōu)越,優(yōu)勢(shì)盡顯
**優(yōu)勢(shì) 1.高效節(jié)能,降低損耗低壓MOS管:導(dǎo)通電阻低至1mΩ(如AOSAON6512,30V/1.4mΩ),適合高頻開(kāi)關(guān),減少發(fā)熱(應(yīng)用于小米212W充電寶,提升轉(zhuǎn)換效率至95%+)。高壓超結(jié)MOS:優(yōu)化電場(chǎng)分布,開(kāi)關(guān)速度提升30%(如士蘭微SV...
醫(yī)療電子領(lǐng)域 在超聲波設(shè)備的發(fā)射模塊中,控制高頻脈沖的生成,用于成像和診斷,為醫(yī)生提供清晰、準(zhǔn)確的醫(yī)療影像,幫助疾病的早期發(fā)現(xiàn)和診斷。 在心率監(jiān)測(cè)儀和血氧儀等便攜式醫(yī)療設(shè)備中,實(shí)現(xiàn)電源管理和信號(hào)調(diào)節(jié)功能,保障設(shè)備的精細(xì)測(cè)量,為患者的健康監(jiān)測(cè)提供...
可再生能源領(lǐng)域 在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,用于將太陽(yáng)能產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電并輸出到電網(wǎng),是太陽(yáng)能利用的關(guān)鍵環(huán)節(jié),讓清潔的太陽(yáng)能能夠順利融入日常供電網(wǎng)絡(luò)。 在儲(chǔ)能裝置中,實(shí)現(xiàn)電池的高效充放電控制,優(yōu)化能量管理,提高能源利用率,為可再生能源的存儲(chǔ)和合理...
應(yīng)用場(chǎng)景。常見(jiàn)的應(yīng)用包括電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源、家電、電力傳輸?shù)?。不過(guò)需要更具體一點(diǎn),比如在電動(dòng)汽車中,IGBT用于逆變器驅(qū)動(dòng)電機(jī),而在太陽(yáng)能逆變器中,用于將直流轉(zhuǎn)換為交流。工業(yè)方面可能涉及變頻器和UPS系統(tǒng)。另外,高鐵和智能電網(wǎng)中的使用也很重要,...
隨著全球經(jīng)濟(jì)的發(fā)展以及新能源產(chǎn)業(yè)的崛起,IGBT市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)出持續(xù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,近年來(lái)IGBT市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大,預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年還將保持較高的增長(zhǎng)率。 新能源汽車、可再生能源發(fā)電、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)GBT的強(qiáng)勁需求,成為推動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)的...
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) 我們的MOS管具有極低的導(dǎo)通電阻,相比市場(chǎng)同類產(chǎn)品,能有效降低功率損耗,提升能源利用效率,為用戶節(jié)省成本。 擁有出色的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下嚴(yán)格的質(zhì)量把控,產(chǎn)品經(jīng)過(guò)多道檢測(cè)工序,良品率高,性能穩(wěn)定可靠,讓用戶無(wú)后顧之憂。依然能穩(wěn)定工作...
杭州士蘭微電子(SILAN)作為國(guó)內(nèi)**的半導(dǎo)體企業(yè),在 MOS 管領(lǐng)域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累 士蘭微 MOS 管以高壓、高可靠性為**,傳統(tǒng)領(lǐng)域(消費(fèi)、家電)持續(xù)深耕,新興領(lǐng)域(SiC、車規(guī))加速突破。2025 年 SiC 產(chǎn)線落地后,其在新能...
技術(shù)賦能IDM模式優(yōu)勢(shì):快速響應(yīng)客戶定制需求(如參數(shù)調(diào)整、封裝優(yōu)化),縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期211。全流程支持:提供從芯片選型、散熱設(shè)計(jì)到失效分析的一站式服務(wù),降低客戶研發(fā)門檻711。產(chǎn)能與成本優(yōu)勢(shì)12吋線規(guī)?;a(chǎn):2024年滿產(chǎn)后成本降低15%-20%,保障穩(wěn)定...
**優(yōu)勢(shì) 1.高效節(jié)能,降低損耗低壓MOS管:導(dǎo)通電阻低至1mΩ(如AOSAON6512,30V/1.4mΩ),適合高頻開(kāi)關(guān),減少發(fā)熱(應(yīng)用于小米212W充電寶,提升轉(zhuǎn)換效率至95%+)。高壓超結(jié)MOS:優(yōu)化電場(chǎng)分布,開(kāi)關(guān)速度提升30%(如士蘭微SV...
為什么選擇國(guó)產(chǎn)MOS? 技術(shù)傳承:清華大學(xué)1970年首推數(shù)控MOS電路,奠定國(guó)產(chǎn)技術(shù)基因,士蘭微、昂洋科技等實(shí)現(xiàn)超結(jié)/SiC量產(chǎn)突破。生態(tài)協(xié)同:與華為、大疆聯(lián)合開(kāi)發(fā)定制方案(如小米SU7車載充電機(jī)),成本降低20%,交付周期縮短50%。 服務(wù)響...
杭州士蘭微電子(SILAN)作為國(guó)內(nèi)**的半導(dǎo)體企業(yè),在MOS管領(lǐng)域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累,以下從產(chǎn)品類型、技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用場(chǎng)景三方面梳理其MOS管業(yè)務(wù): 中低壓MOSFET(40V-200V)屏蔽柵SGT-MOS:低導(dǎo)通電阻(如SVG030R7N...
1.在電池管理領(lǐng)域,杭州瑞陽(yáng)微電子提供的IGBT產(chǎn)品和解決方案,有效提高了電池的充放電效率和安全性,延長(zhǎng)了電池的使用壽命,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)等。2.在無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)方面,公司的IGBT產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了高效的電機(jī)控制,使電機(jī)運(yùn)行更加平穩(wěn)、節(jié)能,應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器人...
**優(yōu)勢(shì) 1.高效節(jié)能,降低損耗低壓MOS管:導(dǎo)通電阻低至1mΩ(如AOSAON6512,30V/1.4mΩ),適合高頻開(kāi)關(guān),減少發(fā)熱(應(yīng)用于小米212W充電寶,提升轉(zhuǎn)換效率至95%+)。高壓超結(jié)MOS:優(yōu)化電場(chǎng)分布,開(kāi)關(guān)速度提升30%(如士蘭微SV...
杭州士蘭微電子(SILAN)作為國(guó)內(nèi)**的半導(dǎo)體企業(yè),在MOS管領(lǐng)域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累,以下從產(chǎn)品類型、技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用場(chǎng)景三方面梳理其MOS管業(yè)務(wù):一、**產(chǎn)品線:覆蓋高低壓、多結(jié)構(gòu)高壓MOSFET(400V-900V)F-Cell系列:第四代平面結(jié)構(gòu)...
MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種重要的電子元器件,在電子電路中具有***的用處,主要包括以下幾個(gè)方面:放大電路?音頻放大器:在音頻設(shè)備中,如收音機(jī)、功放等,MOS管常被用作放大器。它可以將微弱的音頻電信號(hào)進(jìn)行放大,使音頻信號(hào)能夠驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)出...
IGBT具有較低的導(dǎo)通壓降,這意味著在電流通過(guò)時(shí),能量損耗較小。以電動(dòng)汽車為例,IGBT模塊應(yīng)用于電動(dòng)控制系統(tǒng)中,由于其低導(dǎo)通壓降的特性,能夠有效減少能量在傳輸和轉(zhuǎn)換過(guò)程中的損耗,從而提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。 在工業(yè)生產(chǎn)中,大量使用IGBT的設(shè)備可以...
MOS管的應(yīng)用案例:消費(fèi)電子領(lǐng)域手機(jī)充電器:在快充充電器中,MOS管常應(yīng)用于同步整流電路。如威兆的VS3610AE,5V邏輯電平控制的增強(qiáng)型NMOS,開(kāi)關(guān)頻率高,可用于輸出同步整流降壓,能夠提高充電效率,降低發(fā)熱。筆記本電腦:在筆記本電腦的電源管理電路中,使用...
工業(yè)自動(dòng)化與機(jī)器人領(lǐng)域 在工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器中,作為**開(kāi)關(guān)元件,控制電機(jī)的精細(xì)運(yùn)行,確保工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備的高精度運(yùn)轉(zhuǎn),提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量,是工業(yè)自動(dòng)化的關(guān)鍵“執(zhí)行者”。 在可編程邏輯控制器(PLC)中,用于信號(hào)處理和數(shù)字電路的邏輯控制,提高系統(tǒng)響...
可再生能源領(lǐng)域 在光伏發(fā)電系統(tǒng)中,用于將太陽(yáng)能產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電并輸出到電網(wǎng),是太陽(yáng)能利用的關(guān)鍵環(huán)節(jié),讓清潔的太陽(yáng)能能夠順利融入日常供電網(wǎng)絡(luò)。 在儲(chǔ)能裝置中,實(shí)現(xiàn)電池的高效充放電控制,優(yōu)化能量管理,提高能源利用率,為可再生能源的存儲(chǔ)和合理...
一、IGBT**性能指標(biāo)電壓等級(jí)范圍:600V至6.5kV(高壓型號(hào)可達(dá)10kV+)低壓型(<1200V):消費(fèi)電子/家電中壓型(1700V-3300V):工業(yè)變頻/新能源高壓型(4500V+):軌道交通/超高壓輸電電流容量典型值:10A至3600A直接決定功...
MOS管的應(yīng)用案例:消費(fèi)電子領(lǐng)域手機(jī)充電器:在快充充電器中,MOS管常應(yīng)用于同步整流電路。如威兆的VS3610AE,5V邏輯電平控制的增強(qiáng)型NMOS,開(kāi)關(guān)頻率高,可用于輸出同步整流降壓,能夠提高充電效率,降低發(fā)熱。筆記本電腦:在筆記本電腦的電源管理電路中,使用...
IGBT能夠承受較高的電壓和較大的電流,這一特性使其在眾多領(lǐng)域中脫穎而出。在高壓輸電系統(tǒng)中,IGBT可以輕松應(yīng)對(duì)高電壓環(huán)境,確保電力的穩(wěn)定傳輸;在大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,它能夠提供強(qiáng)大的電流支持,驅(qū)動(dòng)電機(jī)高效運(yùn)轉(zhuǎn)。 與其他功率半導(dǎo)體器件相比,IGBT在...
三、技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)芯片工藝微溝槽柵技術(shù):導(dǎo)通電阻降低15%薄晶圓加工:厚度<70μm(1200V器件)封裝創(chuàng)新DSC雙面冷卻:熱阻降低40%.XT互聯(lián)技術(shù):功率循環(huán)能力提升5倍材料突破SiC混合模塊:開(kāi)關(guān)損耗減少30%鋁線鍵合→銅線鍵合:熱疲勞壽命提升10倍...
什么是MOS管? 它利用電場(chǎng)來(lái)控制電流的流動(dòng),在柵極上施加電壓,可以改變溝道的導(dǎo)電性,從而控制漏極和源極之間的電流,就像是一個(gè)電流的“智能閥門”,通過(guò)電壓信號(hào)精細(xì)調(diào)控電流的通斷與大小。 MOS管,全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-...
一、IGBT**性能指標(biāo)電壓等級(jí)范圍:600V至6.5kV(高壓型號(hào)可達(dá)10kV+)低壓型(<1200V):消費(fèi)電子/家電中壓型(1700V-3300V):工業(yè)變頻/新能源高壓型(4500V+):軌道交通/超高壓輸電電流容量典型值:10A至3600A直接決定功...
IGBT的高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度是關(guān)鍵,這些特點(diǎn)使得它在節(jié)能和高效方面表現(xiàn)突出。如新能源汽車的主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、工業(yè)變頻器等。 挑戰(zhàn)與機(jī)遇技術(shù)壁壘:高壓大電流芯片(如1700V/200A)的良率與可靠性仍需突破15。產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同:F...
MOS管的“場(chǎng)景適配哲學(xué)”從納米級(jí)芯片到兆瓦級(jí)電站,MOS管的價(jià)值在于用電壓精細(xì)雕刻電流”:在消費(fèi)電子中省電,在汽車中耐受極端工況,在工業(yè)里平衡效率與成本。隨著第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)的普及,2025年MOS管的應(yīng)用邊界將繼續(xù)擴(kuò)展——從AR眼鏡的微瓦...
**優(yōu)勢(shì) 1.高效節(jié)能,降低損耗低壓MOS管:導(dǎo)通電阻低至1mΩ(如AOSAON6512,30V/1.4mΩ),適合高頻開(kāi)關(guān),減少發(fā)熱(應(yīng)用于小米212W充電寶,提升轉(zhuǎn)換效率至95%+)。高壓超結(jié)MOS:優(yōu)化電場(chǎng)分布,開(kāi)關(guān)速度提升30%(如士蘭微SV...
杭州瑞陽(yáng)微代理有限公司 一站式技術(shù)方案,精細(xì)匹配行業(yè)需求**針對(duì)客戶痛點(diǎn),瑞陽(yáng)微構(gòu)建了“芯片供應(yīng)+方案開(kāi)發(fā)+技術(shù)支持”三位一體服務(wù)體系?;谠瓘S授權(quán)優(yōu)勢(shì),公司確保**質(zhì)量貨源**與**穩(wěn)定供貨**,同時(shí)依托專業(yè)FAE團(tuán)隊(duì),為客戶提供選型適配、電路設(shè)計(jì)、測(cè)試驗(yàn)證...
選型指南與服務(wù)支持選型關(guān)鍵參數(shù): 耐壓(VDS):根據(jù)系統(tǒng)電壓選擇(如快充選30-100V,光伏選650-1200V)。導(dǎo)通電阻(Rds(on)):電流越大,需Rds(on)越?。?A以下選10mΩ,10A以上選<5mΩ)。 封裝形式:DFN(...