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光電二極管，光電二極管又稱光敏二極管，英文名稱為Photo-Diode，光電二極管是在反向電壓作用之下工作的，在一般照度的光線照射下，所產(chǎn)生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負(fù)載，負(fù)載上就獲得了電信號(hào)，而且這個(gè)電信號(hào)隨著光的變化而相應(yīng)變化。光電二極管和發(fā)光二極...

電流放大原理，下面的分析只對(duì)于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個(gè)電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就用了一個(gè)箭頭來表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

二極管是什么樣子的？二極管在電路中應(yīng)用和之前介紹的電阻，電容，電感一樣，非常常見?？梢哉f正是因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)和半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展才有我們現(xiàn)今琳瑯滿目的電子產(chǎn)品世界。二極管作為半導(dǎo)體材料較原始的應(yīng)用，其在電子技術(shù)中的地位可想而知。那么它究竟是何方神圣呢？二極管...

二極管是否損壞如何判斷：?jiǎn)呜?fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...

三極管基本概念，雙極性晶體管的全稱為雙極性結(jié)型晶體管，也就是我們常說的三極管。三極管顧名思義具有三個(gè)電極。前面的二極管是由一個(gè)P-N結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個(gè)電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)...

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，...

晶體二極管分類如下：1、點(diǎn)接觸型二極管，點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造...

三極管的參數(shù)。三極管主要性能參數(shù)：直流參數(shù)： 1、共射直流電流放大系數(shù)β;2、ICBO是發(fā)射極開路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流;3、ICEO是基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的穿透電流。交流參數(shù)： 1、共射交流電流放大系數(shù)β;2、特征頻率fT，頻率升高，β降為1時(shí)對(duì)...

三極管其作用是把微弱信號(hào)放大成輻值較大的電信號(hào)，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。接下來小編為大家介紹三極管的作用及三極管工作原理。三極管的作用：電流放大，三極管的作用之一就是電流放大，這也是其較基本...

開關(guān)時(shí)間：場(chǎng)效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時(shí)間。柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)開關(guān)時(shí)間有明顯影響，同時(shí)寄生電容的大小也會(huì)影響開關(guān)時(shí)間，此外，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會(huì)影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場(chǎng)效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路：場(chǎng)效...

三極管的工作原理，這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP，PNP是一種BJT，其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中，設(shè)備將控制電流的流動(dòng)。PNP晶體管由2個(gè)串聯(lián)的晶體二極管組成。二極管的右側(cè)和左側(cè)分別稱為集電極-基極二極管和發(fā)射極-...

基本結(jié)構(gòu)三極管的內(nèi)部構(gòu)造非常簡(jiǎn)單，主要由三部分構(gòu)成：基區(qū)：由pn型材料組成、起導(dǎo)電作用的部分稱為本征層；集電極和發(fā)射極：分別由n型和p型的兩種半導(dǎo)體制成、起開關(guān)作用的部分稱為功能層或柵欄層；溝道和耗盡區(qū)：兩個(gè)相鄰的pn結(jié)之間有一條很窄的過渡區(qū)域叫做溝道。功能特...

內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們?cè)倏紤]了，一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電...

二極管是由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成。管芯就是一個(gè)PN結(jié)，在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構(gòu)成了晶體二極管，如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽極，N區(qū)的引出的電極稱為負(fù)極或陰極。二極管的伏安特性，半導(dǎo)體二極管的主要是P...

耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管與增強(qiáng)型截然不同，其初始狀態(tài)下溝道內(nèi)就已存在導(dǎo)電載流子，仿佛一條已經(jīng)有水流的河道。當(dāng)施加?xùn)旁措妷簳r(shí)，就如同調(diào)節(jié)河道的寬窄，可靈活地增加或減少溝道載流子濃度，從而精細(xì)控制電流大小。在模擬電路的偏置電路設(shè)計(jì)中，它扮演著至關(guān)重要的角色。以音頻功率放大器...

開關(guān)作用原理，下面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

光敏（光電）三極管，光敏三極管的基區(qū)面積比普通三極管大，而發(fā)射區(qū)面積較小。光敏三極管具有對(duì)光電信號(hào)的放大作用，當(dāng)光電信號(hào)從基極（大多數(shù)光窗口即為基極）輸入時(shí)，激發(fā)了基區(qū)半導(dǎo)體，產(chǎn)生電子和空穴的運(yùn)動(dòng)，從而在發(fā)射區(qū)有空穴的積累，相等于在發(fā)射極施加了正向偏壓，使光敏...

金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MESFET），其結(jié)構(gòu)獨(dú)特之處在于利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢(shì)壘作為柵極。這種特殊的柵極結(jié)構(gòu)，當(dāng)施加合適的柵源電壓時(shí)，能夠極為精細(xì)地調(diào)控溝道的導(dǎo)電能力。從微觀層面來看，高純度的半導(dǎo)體材料使得電子遷移率極高，電子在其中移動(dòng)時(shí)幾乎不受阻礙...

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。場(chǎng)效應(yīng)管（fet）是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)...

三極管簡(jiǎn)介，三極管，全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。單片機(jī)應(yīng)用電路中三極管主要的作用就是開關(guān)作用。三極管的常用型號(hào)，三極管常用的型號(hào)有...

三極管的 3 種工作狀態(tài)，分別是截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。接下給大家講一下這三種狀態(tài)情況：1、截止?fàn)顟B(tài)，三極管的截止?fàn)顟B(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。這就相當(dāng)于一個(gè)關(guān)緊了的水龍頭，水龍頭里的水是流不出來...

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):頭一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，...

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過器件時(shí)的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動(dòng)能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過這個(gè)電流值可能會(huì)導(dǎo)致器件過熱、性能退化...

PIN二極管，PIN二極管英文名稱為Pin diode，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造出來的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當(dāng)其工作頻率超過100MHz時(shí)，由于少數(shù)載...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電 壓上時(shí)，該...

開關(guān)作用原理，下面說說三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

三極管的作用是通過電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?、半導(dǎo)體三極管(Bipolar Junction Transistor)，也稱雙極型晶體管、晶體三極管。雙極性晶體管是電子學(xué)歷史上具有革新意義的一項(xiàng)發(fā)明，其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時(shí)間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負(fù)阻的固體微波器件。當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí)，PN結(jié)被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

三極管的分類：晶體三極管按材料分類：鍺管和硅管。晶體三極管按工作頻率分類：小于3MHz為低頻;3MHz。晶體三極管按輸出功率分類：小于1W為小功率管;1W。晶體三極管按結(jié)構(gòu)分類：NPN型和PNP型，區(qū)分兩種三極管的關(guān)鍵是看發(fā)射極的箭頭指向。NPN型三極管： 由...