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三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管，晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件。下面一起來了解一下三極管的作用是什么。三極管的作用是什么？1、擴(kuò)流。在某些情況下，可擴(kuò)大電流限值或電容容量等。比如：將小功率可控硅與大功率三級管相結(jié)合，可以得到大功率可...

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):頭一，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，...

三極管的參數(shù)。三極管主要性能參數(shù)：直流參數(shù)： 1、共射直流電流放大系數(shù)β;2、ICBO是發(fā)射極開路時，集電結(jié)的反向飽和電流;3、ICEO是基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的穿透電流。交流參數(shù)： 1、共射交流電流放大系數(shù)β;2、特征頻率fT，頻率升高，β降為1時對...

頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱為Frequency doubled diode，對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變?nèi)荻?..

三極管的作用：擴(kuò)流。把一只小功率可控硅和一只大功率三極管組合，就可得到一只大功率可控硅，其較大輸出電流由大功率三極管的特性決定，見附圖9(a)。圖9(b)為電容容量擴(kuò)大電路。利用三極管的電流放大作用，將電容容量擴(kuò)大若干倍。這種等效電容和一般電容器一樣，可浮置工...

場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名，場效應(yīng)管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域...

開關(guān)時間：場效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時間。柵極驅(qū)動電路的設(shè)計對開關(guān)時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關(guān)時間，此外，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路：場效...

瞬態(tài)抑制二極管(TVS管)，瞬態(tài)電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS，它是一種高效保護(hù)器件的一種二極管。當(dāng)瞬態(tài)電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10的負(fù)12次方秒量級的速度，將其兩極間的高...

場效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴(kuò)...

二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應(yīng)的電阻。二極管工作原理（正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電），晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當(dāng)不存在外加電壓時，因?yàn)閜-n結(jié)兩...

什么是三極管？三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。它的主要功能是將微弱的電信號放大成幅度值較大的電信號，同時也被用作無觸點(diǎn)開關(guān)。三極管的分類，根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理的不同，三極管可以分為NPN型和PNP型兩種...

溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)管的工作原理：vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，...

判斷源極S、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因?yàn)闇y試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量...

晶體二極管分類如下：1、點(diǎn)接觸型二極管，點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造...

三極管（英語：transistor）是一種電子器件，具有電流放大作用。三極管的三個電極連接著交流電源的正負(fù)極，中間部分是基區(qū)。當(dāng)基區(qū)加上正向電壓時，集電結(jié)正偏而形成發(fā)射結(jié)；反之集電結(jié)反偏而形成漏極-源二極。三極管是電子設(shè)備中較重要的無源元件之一，在電路中用"v...

PIN二極管（P-intrinsic-N Diode），PN之間一層高電阻的半導(dǎo)體層，使少數(shù)載流子的積蓄效果增加，逆回復(fù)時間也較長。利用正向偏置時高頻率信號較容易通過的性質(zhì)，用于天線的頻帶切換以及高頻率開關(guān)。耿效應(yīng)二極管，應(yīng)用于低功率微波振蕩器。二極真空管，氣...

三極管具有放大信號、開關(guān)電路和穩(wěn)壓等多種功能，對電子設(shè)備的正常運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。放大信號，三極管可以將微弱的輸入信號放大成較大的輸出信號。它通過調(diào)節(jié)輸入電流或電壓的變化，使輸出信號得以放大。這種放大作用在無線電、音頻設(shè)備和通信系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。在無線電...

場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名，場效應(yīng)管[2]是常見的電子元件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域...

按照用途可以分為四種 ：普通功率型晶體管 高頻大功率晶體管 超高頻大功率晶體管 特種功率型晶體管 按制造工藝分為六種：雙擴(kuò)散硅雙基型 （bjt） 雙擴(kuò)散鋁雙基型 （btjt） 單向晶閘管 （smcntctbtct等 ） 多晶閘管及門陣列式 （pmicmosfe...

場效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r，會在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個導(dǎo)...

二極管保護(hù)：二極管可用于保護(hù)電路免受電壓峰值和電磁干擾等影響。在電路中加入二極管后，可以有效地限制電壓，保護(hù)電路不受損壞。穩(wěn)壓：二極管還可以作為穩(wěn)壓器使用，它可以在電路中提供一個固定的電壓，使電路的工作更加穩(wěn)定。二極管的實(shí)際案例解說：整流器：二極管被普遍應(yīng)用于...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時，漏——源極之間仍無導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區(qū)相連通，在漏——源極...

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。作用：1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場...

二極管應(yīng)用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關(guān)，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大...

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。2、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3、漏源...

三極管的作用：擴(kuò)流。把一只小功率可控硅和一只大功率三極管組合，就可得到一只大功率可控硅，其較大輸出電流由大功率三極管的特性決定，見附圖9(a)。圖9(b)為電容容量擴(kuò)大電路。利用三極管的電流放大作用，將電容容量擴(kuò)大若干倍。這種等效電容和一般電容器一樣，可浮置工...

在電子工程領(lǐng)域，二極管作為基礎(chǔ)的電子元件，其種類繁多，功能各異。其中，穩(wěn)壓二極管和普通二極管因其獨(dú)特的特性和應(yīng)用場景而備受關(guān)注。本文將詳細(xì)比較穩(wěn)壓二極管與普通二極管的不同之處，以便讀者更好地理解和應(yīng)用這兩種元件。功能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管，也被稱為齊納二極管，其主要...

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)vGS≥VT時，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。溝道形成以后，在漏—...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?，前者?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

三極管的分類：三極管的應(yīng)用十分普遍，種類繁多，分類方式也多種多樣。根據(jù)結(jié)構(gòu)：NPN型三極管；PNP型三極管。根據(jù)功率：小功率三極管；中等功率三極管；大功率三極管。根據(jù)工作頻率：低頻三極管；高頻三極管。根據(jù)封裝形式：金屬封裝型，塑料封裝型。6、根據(jù)PN結(jié)材料：鍺...