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神經(jīng)電子芯片的MEMS微納加工技術(shù)與臨床應(yīng)用：神經(jīng)電子芯片作為植入式醫(yī)療設(shè)備的**組件，對微型化、生物相容性及功能集成度提出了極高要求。公司依托0.35/0.18μm高壓工藝，成功開發(fā)多通道神經(jīng)電刺激SoC芯片，可實現(xiàn)無線充電與通訊功能，將控制信號轉(zhuǎn)化為精細電刺激脈沖，用于神經(jīng)感知、調(diào)控及阻斷。以128像素視網(wǎng)膜假體芯片為例，通過MEMS薄膜沉積技術(shù)在硅基基板上制備高密度電極陣列，單個電極尺寸*50μm×50μm，間距100μm，確保對視網(wǎng)膜神經(jīng)細胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亞胺（PI）與氮化硅復(fù)合涂層，經(jīng)120℃高溫固化處理后，涂層厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附與炎癥反應(yīng)，植入體壽...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項特點，當(dāng)要維持一個近乎于垂直且平滑的側(cè)壁輪廓時，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產(chǎn)生具有輕微傾斜角度的側(cè)壁輪廓。不過當(dāng)采用這類塊體蝕刻時，工藝中很少需要垂直的側(cè)壁。 2.準(zhǔn)確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側(cè)壁輪廓平滑性上升為關(guān)鍵因素的組...

弧形柱子點陣的微納加工技術(shù)：弧形柱子點陣結(jié)構(gòu)在細胞黏附、流體動力學(xué)調(diào)控中具有重要應(yīng)用，公司通過激光直寫與反應(yīng)離子刻蝕（RIE）技術(shù)實現(xiàn)該結(jié)構(gòu)的精密加工。首先利用激光直寫系統(tǒng)在光刻膠上繪制弧形軌跡，**小曲率半徑可達5μm，線條寬度10-50μm；然后通過RIE刻蝕硅片或石英基板，刻蝕速率50-200nm/min，側(cè)壁弧度偏差＜±2°。柱子高度50-500μm，間距20-100μm，陣列密度可達10?個/cm2。在細胞培養(yǎng)芯片中，弧形柱子表面通過RGD多肽修飾，促進成纖維細胞沿曲率方向鋪展，細胞取向率提升70%，用于肌腱組織工程研究。在微流控芯片中，弧形柱子陣列可降低流體阻力30%，減少氣泡滯留...

MEMS技術(shù)的主要分類：光學(xué)方面相關(guān)的資料與技術(shù)。光學(xué)隨著信息技術(shù)、光通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，MEMS發(fā)展的又一領(lǐng)域是與光學(xué)相結(jié)合，即綜合微電子、微機械、光電子技術(shù)等基礎(chǔ)技術(shù)，開發(fā)新型光器件，稱為微光機電系統(tǒng)(MOEMS)。微光機電系統(tǒng)(MOEMS)能把各種MEMS結(jié)構(gòu)件與微光學(xué)器件、光波導(dǎo)器件、半導(dǎo)體激光器件、光電檢測器件等完整地集成在一起。形成一種全新的功能系統(tǒng)。MOEMS具有體積小、成本低、可批量生產(chǎn)、可精確驅(qū)動和控制等特點。超聲影像 SoC 芯片采用 0.18mm 高壓 SOI 工藝，發(fā)射與開關(guān)復(fù)用設(shè)計節(jié)省面積并提升性能。河南MEMS微納米加工原料MEMS技術(shù)的主要分類：傳感MEMS技術(shù)是...

高壓SOI工藝在MEMS芯片中的應(yīng)用創(chuàng)新：高壓SOI（絕緣體上硅）工藝是制備高耐壓、低功耗MEMS芯片的**技術(shù)，公司在0.18μm節(jié)點實現(xiàn)了發(fā)射與開關(guān)電路的集成創(chuàng)新。通過SOI襯底的埋氧層（厚度1μm）隔離高壓器件與低壓控制電路，耐壓能力達200V以上，漏電流＜1nA，適用于神經(jīng)電刺激、超聲驅(qū)動等高壓場景。在神經(jīng)電子芯片中，高壓SOI工藝實現(xiàn)了128通道**驅(qū)動，每通道輸出脈沖寬度1-1000μs可調(diào)，幅度0-100V可控，脈沖邊沿抖動＜5ns，確保精細的神經(jīng)信號調(diào)制。與傳統(tǒng)體硅工藝相比，SOI芯片的寄生電容降低40%，功耗節(jié)省30%，芯片面積縮小50%。公司優(yōu)化了SOI晶圓的鍵合與減薄工藝...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應(yīng)用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

MEMS制作工藝-太赫茲傳感器： 超材料(Metamaterial)是一種由周期性亞波長金屬諧振的單元陣列組成的人工復(fù)合型電磁材料,通過合理的設(shè)計單元結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)特殊的電磁特性,主要包括隱身、完美吸和負(fù)折射等特性。目前,隨著太赫茲技術(shù)的快速發(fā)展,太赫茲超材料器件已成為當(dāng)前科研的研究熱點,在濾波器、吸收器、偏振器、太赫茲成像、光譜和生物傳感器等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。 這項研究提出了一種全光學(xué)、端到端的衍射傳感器，用于快速探測隱藏結(jié)構(gòu)。這種衍射太赫茲傳感器具有獨特的架構(gòu)，由一對編碼器和解碼器構(gòu)成的衍射網(wǎng)絡(luò)組成，每個網(wǎng)絡(luò)都承擔(dān)著結(jié)構(gòu)化照明和空間光譜編碼的獨特職責(zé)，這種設(shè)計較為新穎。基...

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？ 消費電子產(chǎn)品在MEMSDrive出現(xiàn)之前，手機攝像頭主要由音圈馬達移動鏡頭組的方式實現(xiàn)防抖(簡稱鏡頭防抖技術(shù))，受到很大的局限。而另一個在市場上較好的防抖技術(shù)：多軸防抖，則是利用移動圖像傳感器(ImageSensor)補償抖動，但由于這個技術(shù)體積龐大、耗電量超出手機載荷，一直無法在手機上應(yīng)用。憑著微機電在體積和功耗上的突破，新的技術(shù)MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達，帶動圖像傳感器在三個旋轉(zhuǎn)軸移動。MEMSDrive的防抖技術(shù)是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動，依靠精密算法，計算出馬達應(yīng)做的移動幅度并做出快速補償。這一系列動...

MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù)： 太赫茲波是天文探測領(lǐng)域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。當(dāng)前，太赫茲超導(dǎo)接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術(shù)的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數(shù)值建模與...

弧形柱子點陣的微納加工技術(shù)：弧形柱子點陣結(jié)構(gòu)在細胞黏附、流體動力學(xué)調(diào)控中具有重要應(yīng)用，公司通過激光直寫與反應(yīng)離子刻蝕（RIE）技術(shù)實現(xiàn)該結(jié)構(gòu)的精密加工。首先利用激光直寫系統(tǒng)在光刻膠上繪制弧形軌跡，**小曲率半徑可達5μm，線條寬度10-50μm；然后通過RIE刻蝕硅片或石英基板，刻蝕速率50-200nm/min，側(cè)壁弧度偏差＜±2°。柱子高度50-500μm，間距20-100μm，陣列密度可達10?個/cm2。在細胞培養(yǎng)芯片中，弧形柱子表面通過RGD多肽修飾，促進成纖維細胞沿曲率方向鋪展，細胞取向率提升70%，用于肌腱組織工程研究。在微流控芯片中，弧形柱子陣列可降低流體阻力30%，減少氣泡滯留...

微納結(jié)構(gòu)的臺階儀與SEM測量技術(shù)：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關(guān)鍵的計量手段，確保結(jié)構(gòu)尺寸與表面形貌符合設(shè)計要求。臺階儀采用觸針式或光學(xué)式測量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內(nèi)的輪廓信息，分辨率達0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、臺階高度的測量。例如，在深硅刻蝕工藝中，通過臺階儀監(jiān)測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%。SEM則用于納米級結(jié)構(gòu)觀測，配備二次電子探測器，可實現(xiàn)5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道側(cè)壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測。在PDMS模具復(fù)制過程中，SEM檢測模具結(jié)構(gòu)的完整性，避免因缺陷導(dǎo)致的芯片流道堵...

柔性電極的生物相容性表面改性技術(shù)：柔性電極的長期植入性能依賴于表面生物相容性改性，公司采用多層涂層工藝解決蛋白吸附與炎癥反應(yīng)問題。以PI基柔性電極為基底，首先通過等離子體處理引入羥基基團，然后接枝硅烷偶聯(lián)劑（如APTES）形成活性界面，再通過層層自組裝技術(shù)沉積PEG（聚乙二醇）與殼聚糖復(fù)合層，**終涂層厚度5-15nm。該涂層可使水接觸角從85°降至50°，蛋白吸附量從100ng/cm2降至＜10ng/cm2，中性粒細胞黏附率下降80%。在動物植入實驗中，改性后的電極在體內(nèi)留置3個月，周圍組織纖維化程度較未處理組減輕60%，信號衰減＜15%，而對照組衰減達40%。該技術(shù)適用于神經(jīng)電極、心臟起搏...

MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW： 聲表面波是一種沿物體表面?zhèn)鞑サ膹椥圆ǎ軌蛟诩孀鱾髀暯橘|(zhì)和電聲換能材料的壓電基底材料表面進行傳播。它是聲學(xué)和電子學(xué)相結(jié)合的一門邊緣學(xué)科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬倍，而且在它的傳播路徑上容易取樣和進行處理。因此，用聲表面波去模擬電子學(xué)的各種功能，能使電子器件實現(xiàn)超小型化和多功能化。隨著微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的發(fā)展進步，聲表面波研究向諸多領(lǐng)域進行延伸研究。上世紀(jì)90年代，已經(jīng)實現(xiàn)了利用聲表面波驅(qū)動固體。進入二十一世紀(jì)，聲表面波SAW在微流體應(yīng)用研究取得了巨大的發(fā)展。應(yīng)用聲表面波器件可以實現(xiàn)固體驅(qū)動、液滴驅(qū)動、微加熱、微粒集聚\混合...

MEMS制作工藝-微流控芯片： 微流控芯片技術(shù)(Microfluidics)是把生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)分析過程的樣品制備、反應(yīng)、分離、檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上，自動完成分析全過程。微流控芯片（microfluidicchip）是當(dāng)前微全分析系統(tǒng)（MiniaturizedTotalAnalysisSystems）發(fā)展的熱點領(lǐng)域。 微流控芯片分析以芯片為操作平臺,同時以分析化學(xué)為基礎(chǔ),以微機電加工技術(shù)為依托,以微管道網(wǎng)絡(luò)為結(jié)構(gòu)特征,以生命科學(xué)為目前主要應(yīng)用對象，是當(dāng)前微全分析系統(tǒng)領(lǐng)域發(fā)展的重點。它的目標(biāo)是把整個化驗室的功能,包括采樣、稀釋、加試劑、反應(yīng)、分離、檢測等集...

MEMS制作工藝柔性電子的定義： 柔性電子可概括為是將有機/無機材料電子器件制作在柔性/可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術(shù)，以其獨特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工藝，在信息、能源、醫(yī)療等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景，如柔性電子顯示器、有機發(fā)光二極管OLED、印刷RFID、薄膜太陽能電池板、電子用表面粘貼(SkinPatches)等。與傳統(tǒng)IC技術(shù)一樣，制造工藝和裝備也是柔性電子技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。柔性電子制造技術(shù)水平指標(biāo)包括芯片特征尺寸和基板面積大小，其關(guān)鍵是如何在更大幅面的基板上以更低的成本制造出特征尺寸更小的柔性電子器件。 超透鏡的電子束直寫和刻蝕工藝其實并不復(fù)雜。天津MEM...

在MEMS微納加工領(lǐng)域，公司通過“材料創(chuàng)新+工藝突破”雙輪驅(qū)動，為醫(yī)療健康、生物傳感等場景提供高精度、定制化的微納器件解決方案。公司依托逾700平米的6英寸MEMS產(chǎn)線，可加工玻璃、硅片、PDMS、硬質(zhì)塑料等多種基材的微納結(jié)構(gòu)，覆蓋從納米級（0.5-5μm）到百微米級（10-100μm）的尺度需求。其**技術(shù)包括深硅刻蝕、親疏水改性、多重轉(zhuǎn)印工藝等，能夠?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜三維微流道、高深寬比微孔陣列及柔性電極的精密成型，滿足腦機接口、類***電生理研究、微針給藥等前沿醫(yī)療應(yīng)用的嚴(yán)苛要求。MEMS的深硅刻蝕是什么？廣東MEMS微納米加工檢測金屬流道PDMS芯片與PET基板的鍵合工藝：金屬流道PDMS芯片通...

MEMS制作工藝柔性電子的常用材料-PI： 柔性PI膜是一種由聚酰亞胺（PI）構(gòu)成的薄膜材料，它是通過將均苯四甲酸二酐（PMDA）與二胺基二苯醚（ODA）在強極性溶劑中進行縮聚反應(yīng)，然后流延成膜，然后經(jīng)過亞胺化處理得到的高分子絕緣材料。柔性PI膜擁有許多獨特的優(yōu)點，如高絕緣性、良好的粘結(jié)性、強的耐輻射性和耐高溫性能，使其成為一種綜合性能很好的有機高分子材料。 柔性PI膜的應(yīng)用非常廣，尤其在電子、液晶顯示、機械、航空航天、計算機、光伏電池等領(lǐng)域有著重要的用途。特別是在液晶顯示行業(yè)中，柔性PI膜因其優(yōu)越的性能而被用作新型材料，用于制造折疊屏手機的基板、蓋板和觸控材料。由于OLED顯...

MEMS制作工藝-微流控芯片： 微流控芯片技術(shù)(Microfluidics)是把生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)分析過程的樣品制備、反應(yīng)、分離、檢測等基本操作單元集成到一塊微米尺度的芯片上，自動完成分析全過程。微流控芯片（microfluidicchip）是當(dāng)前微全分析系統(tǒng)（MiniaturizedTotalAnalysisSystems）發(fā)展的熱點領(lǐng)域。 微流控芯片分析以芯片為操作平臺,同時以分析化學(xué)為基礎(chǔ),以微機電加工技術(shù)為依托,以微管道網(wǎng)絡(luò)為結(jié)構(gòu)特征,以生命科學(xué)為目前主要應(yīng)用對象，是當(dāng)前微全分析系統(tǒng)領(lǐng)域發(fā)展的重點。它的目標(biāo)是把整個化驗室的功能,包括采樣、稀釋、加試劑、反應(yīng)、分離、檢測等集...

MEMS制作工藝柔性電子的定義： 柔性電子可概括為是將有機/無機材料電子器件制作在柔性/可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術(shù)，以其獨特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工藝，在信息、能源、醫(yī)療等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景，如柔性電子顯示器、有機發(fā)光二極管OLED、印刷RFID、薄膜太陽能電池板、電子用表面粘貼(SkinPatches)等。與傳統(tǒng)IC技術(shù)一樣，制造工藝和裝備也是柔性電子技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。柔性電子制造技術(shù)水平指標(biāo)包括芯片特征尺寸和基板面積大小，其關(guān)鍵是如何在更大幅面的基板上以更低的成本制造出特征尺寸更小的柔性電子器件。 MEMS器件制造工藝更偏定制化。山西MEMS微納米加...

加速度傳感器是很早廣泛應(yīng)用的MEMS之一。MEMS，作為一個機械結(jié)構(gòu)為主的技術(shù)，可以通過設(shè)計使一個部件(圖中橙色部件)相對底座substrate產(chǎn)生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理），這個部件稱為質(zhì)量塊（proofmass）。質(zhì)量塊通過錨anchor，鉸鏈hinge，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座。當(dāng)感應(yīng)到加速度時，質(zhì)量塊相對底座產(chǎn)生位移。通過一些換能技術(shù)可以將位移轉(zhuǎn)換為電能，如果采用電容式傳感結(jié)構(gòu)（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響），電容大小的變化可以產(chǎn)生電流信號供其信號處理單元采樣。通過梳齒結(jié)構(gòu)可以極大地擴大傳感面積，提高測量精度，降低信號處理難度。加...

MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應(yīng)用前景： 在通信系統(tǒng)、雷達屏蔽、空間勘測等領(lǐng)域都有著重要的應(yīng)用前景，近年來受到學(xué)術(shù)界的關(guān)注?；谖⒚准{米技術(shù)設(shè)計的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現(xiàn)出優(yōu)異的敏感特性，特別是可與石墨烯二維材料集成設(shè)計，獲得更優(yōu)的頻譜調(diào)制特性。因此、將太赫茲超材料和石墨烯二維材料集成，通過理論研究、軟件仿真、流片測試實現(xiàn)了石墨烯太赫茲調(diào)制器的制備。能夠在低頻帶濾波和高頻帶超寬帶濾波的太赫茲濾波器，通過測試驗證了理論和仿真的正確性，將超材料與石墨烯集成制備的太赫茲調(diào)制器可對太赫茲波進行調(diào)制。 MEMS具有以下幾個基本特點？北京MEMS微納米加工供應(yīng)商家MEA柔性電極的M...

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求： 絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應(yīng)用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tiltingmirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕...

金屬流道PDMS芯片與PET基板的鍵合工藝：金屬流道PDMS芯片通過與帶有金屬結(jié)構(gòu)的PET基板鍵合，實現(xiàn)柔性微流控芯片與剛性電路的集成，兼具流體處理與電信號控制功能。鍵合前，PDMS流道采用氧等離子體活化處理（功率100W，時間30秒），使表面羥基化；PET基板通過電暈處理提升表面能，濺射1μm厚度的銅層并蝕刻形成電極圖案。鍵合過程在真空環(huán)境下進行，施加0.5MPa壓力并保持30分鐘，形成化學(xué)共價鍵，剝離強度＞5N/cm。金屬流道內(nèi)的電解液與外部電路通過鍵合區(qū)的Pad連接，接觸電阻＜100mΩ，確保信號穩(wěn)定傳輸。該技術(shù)應(yīng)用于微流控電化學(xué)檢測芯片時，可在10μL的反應(yīng)體系內(nèi)實現(xiàn)多參數(shù)同步檢測，如...

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？ 運動追蹤在運動員的日常訓(xùn)練中，MEMS傳感器可以用來進行3D人體運動測量，通過基于聲學(xué)TOF，或者基于光學(xué)的TOF技術(shù)，對每一個動作進行記錄，教練們對結(jié)果分析，反復(fù)比較，以便提高運動員的成績。隨著MEMS技術(shù)的進一步發(fā)展，MEMS傳感器的價格也會隨著降低，這在大眾健身房中也可以廣泛應(yīng)用。在滑雪方面，3D運動追蹤中的壓力傳感器、加速度傳感器、陀螺儀以及GPS可以讓使用者獲得極精確的觀察能力，除了可提供滑雪板的移動數(shù)據(jù)外，還可以記錄使用者的位置和距離。在沖浪方面也是如此，安裝在沖浪板上的3D運動追蹤，可以記錄海浪高度、速度、沖浪時間、漿板距離、水溫以...

MEMS制作工藝-聲表面波器件的原理：聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個聲一電換能器一叉指換能器。所謂叉指換能器就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實現(xiàn)聲一電換能。聲表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的換能器(輸入換能器)通過逆壓電效應(yīng)將愉入的電信號轉(zhuǎn)變成聲信號，此聲信號沿基片表面?zhèn)鞑?，然后由基片右邊的換能器(輸出換能器)將聲信號轉(zhuǎn)變成電信號輸出。整個聲表面波器件的功能是通過對在壓電基片上傳播的聲信號進行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來完成的。MEMS 微納米加工技術(shù)是現(xiàn)代制造業(yè)中的關(guān)鍵領(lǐng)域，它能夠在微觀尺度上制造出高精度的器件。山西MEMS微納米加工...

MEMS制作工藝柔性電子的定義： 柔性電子可概括為是將有機/無機材料電子器件制作在柔性/可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術(shù)，以其獨特的柔性/延展性以及高效、低成本制造工藝，在信息、能源、醫(yī)療等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景，如柔性電子顯示器、有機發(fā)光二極管OLED、印刷RFID、薄膜太陽能電池板、電子用表面粘貼(SkinPatches)等。與傳統(tǒng)IC技術(shù)一樣，制造工藝和裝備也是柔性電子技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。柔性電子制造技術(shù)水平指標(biāo)包括芯片特征尺寸和基板面積大小，其關(guān)鍵是如何在更大幅面的基板上以更低的成本制造出特征尺寸更小的柔性電子器件。 多圖拼接測量技術(shù)通過 SEM 圖像融合，實現(xiàn)大尺寸微...

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關(guān)、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關(guān)等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產(chǎn)。因為沒有適用的國產(chǎn)5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負(fù)責(zé)接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉(zhuǎn)換，將不受歡迎的頻率信號濾除。金屬流道 P...

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關(guān)、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關(guān)等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產(chǎn)。因為沒有適用的國產(chǎn)5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負(fù)責(zé)接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉(zhuǎn)換，將不受歡迎的頻率信號濾除。MEMS被認(rèn)...

熱敏柔性電極的PI三明治結(jié)構(gòu)加工技術(shù)：熱敏柔性電極采用PI（聚酰亞胺）三明治結(jié)構(gòu)，底層PI作為柔性基板，中間層為金屬電極，上層PI實現(xiàn)絕緣保護，開窗漏出Pad引線位置，兼具柔韌性與電學(xué)性能。加工過程中，首先在25μm厚度的PI基板上通過濺射沉積5μm厚度的銅/金電極層，利用光刻膠作為掩膜進行濕法刻蝕，形成10-50μm寬度的電極圖案，線條邊緣粗糙度＜1μm；然后涂覆10μm厚度的PI絕緣層，通過激光切割開設(shè)引線窗口，窗口定位精度±5μm；***經(jīng)300℃高溫亞胺化處理，提升層間結(jié)合力（剝離強度＞10N/cm）。該電極的彎曲半徑可達5mm，耐彎折次數(shù)＞10萬次，表面電阻＜5Ω/□，適用于可穿戴體...

MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？ 消費電子產(chǎn)品在MEMSDrive出現(xiàn)之前，手機攝像頭主要由音圈馬達移動鏡頭組的方式實現(xiàn)防抖(簡稱鏡頭防抖技術(shù))，受到很大的局限。而另一個在市場上較好的防抖技術(shù)：多軸防抖，則是利用移動圖像傳感器(ImageSensor)補償抖動，但由于這個技術(shù)體積龐大、耗電量超出手機載荷，一直無法在手機上應(yīng)用。憑著微機電在體積和功耗上的突破，新的技術(shù)MEMSDrive類似一張貼在圖像傳感器背面的平面馬達，帶動圖像傳感器在三個旋轉(zhuǎn)軸移動。MEMSDrive的防抖技術(shù)是透過陀螺儀感知拍照過程中的瞬間抖動，依靠精密算法，計算出馬達應(yīng)做的移動幅度并做出快速補償。這一系列動...