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模塊劃分（1）布局格點(diǎn)設(shè)置為50Mil。（2）以主芯片為中心的劃分準(zhǔn)則,把該芯片相關(guān)阻容等分立器件放在同一模塊中。（3）原理圖中單獨(dú)出現(xiàn)的分立器件，要放到對(duì)應(yīng)芯片的模塊中，無(wú)法確認(rèn)的，需要與客戶(hù)溝通,然后再放到對(duì)應(yīng)的模塊中。（4）接口電路如有結(jié)構(gòu)要求按結(jié)構(gòu)要求，無(wú)結(jié)構(gòu)要求則一般放置板邊。主芯片放置并扇出（1）設(shè)置默認(rèn)線寬、間距和過(guò)孔：線寬：表層設(shè)置為5Mil；間距：通用線到線5Mil、線到孔（外焊盤(pán)）5Mil、線到焊盤(pán)5Mil、線到銅5Mil、孔到焊盤(pán)5Mil、孔到銅5Mil；過(guò)孔：選擇VIA8_F、VIA10_F、VIA10等；（2）格點(diǎn)設(shè)置為25Mil，將芯片按照中心抓取放在格點(diǎn)上。（3）...

PCBLAYOUT規(guī)范PCBLayout整個(gè)流程是：網(wǎng)表導(dǎo)入-結(jié)構(gòu)繪制-設(shè)計(jì)規(guī)劃-布局-布線-絲印調(diào)整-Gerber輸出。1.1網(wǎng)表導(dǎo)入網(wǎng)表導(dǎo)入子流程如下：創(chuàng)建PCB文件→設(shè)置庫(kù)路徑→導(dǎo)入網(wǎng)表。創(chuàng)建PCB文件（1）建立一個(gè)全新PCBLayout文件，并對(duì)其命名。（2）命名方式：“項(xiàng)目名稱(chēng)+日期+版本狀態(tài)”，名稱(chēng)中字母全部大寫(xiě)，以日期加上版本狀態(tài)為后綴，用以區(qū)分設(shè)計(jì)文件進(jìn)度。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項(xiàng)目名稱(chēng)，1031為日期，A1為版本狀態(tài)，客戶(hù)有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設(shè)置庫(kù)路徑（1）將封裝庫(kù)文件放入LIB文件夾內(nèi)或庫(kù)文件內(nèi)，由客戶(hù)提供的封...

電源、地處理，（1）不同電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮分割帶優(yōu)先≥20Mil，在BGA投影區(qū)域內(nèi)分隔帶小為10Mil。（2）開(kāi)關(guān)電源按器件資料單點(diǎn)接地，電感下不允許走線；（3）電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮的最小寬度處滿(mǎn)足電源、地電流大小的通流能力，參考4.8銅皮寬度通流表。（4）電源、地平面的換層處過(guò)孔數(shù)量必須滿(mǎn)足電流載流能力，參考4.8過(guò)孔孔徑通流表。（5）3個(gè)以上相鄰過(guò)孔反焊盤(pán)邊緣間距≥4Mil，禁止出現(xiàn)過(guò)孔割斷銅皮的情況，（6）模擬電源、模擬地只在模擬區(qū)域劃分，數(shù)字電源、數(shù)字地只在數(shù)字區(qū)域劃分，投影區(qū)域在所有層面禁止重疊，如下如圖所示。建議在模擬區(qū)域的所有平面層鋪模擬地處理（7）跨區(qū)信號(hào)線從模擬地和數(shù)字地的橋接處...

絲印調(diào)整，子流程：設(shè)置字符格式→調(diào)整器件字符→添加特殊字符→添加特殊絲印。設(shè)置字符格式，字符的寬度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基銅）：4/23Mil(推薦設(shè)計(jì)成4/25Mil)；1盎司（基銅）：5/30Mil；2盎司(基銅)：6/45Mil；字高與字符線寬之比≥6:1。調(diào)整器件字符（1）字符與阻焊的間距≥6Mil。字符之間的距離≥6Mil，距離板邊≥10Mil；任何字符不能重疊且不能被元器件覆蓋。（2）絲印字符陰字線寬≥8mil；（3）字符只能有兩個(gè)方向，排列應(yīng)遵循正視時(shí)位號(hào)的字母數(shù)字排序?yàn)閺淖蟮接?，從下到上。?）字符的位號(hào)要與器件一一對(duì)應(yīng)，不能顛倒、變換順序，每個(gè)元器件上必須標(biāo)出位號(hào)不...

SDRAM的端接1、時(shí)鐘采用∏型(RCR)濾波，∏型濾波的布局要緊湊，布線時(shí)不要形成Stub。2、控制總線、地址總線采用在源端串接電阻或者直連。3、數(shù)據(jù)線有兩種端接方法，一種是在CPU和SDRAM中間串接電阻，另一種是分別在CPU和SDRAM兩端串接電阻，具體的情況可以根據(jù)仿真確定。SDRAM的PCB布局布線要求1、對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)，如果32bit位寬數(shù)據(jù)總線中的低16位數(shù)據(jù)信號(hào)掛接其它如boot、flashmemory、244\245緩沖器等的情況，SDRAM作為接收器即寫(xiě)進(jìn)程時(shí)，首先要保證SDRAM接收端的信號(hào)完整性，將SDRAM芯片放置在信號(hào)鏈路的遠(yuǎn)端，對(duì)于地址及控制信號(hào)的也應(yīng)該如此處理。2...

放置固定結(jié)構(gòu)件（1）各固定器件坐標(biāo)、方向、1腳位置、頂?shù)讓臃胖门c結(jié)構(gòu)圖固定件完全一致，并將器件按照結(jié)構(gòu)圖形對(duì)應(yīng)放置。（2）當(dāng)有如下列情形時(shí)，需將問(wèn)題描述清楚并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中，同時(shí)郵件通知客戶(hù)修改確認(rèn)。結(jié)構(gòu)圖形與部分管腳不能完全重合；結(jié)構(gòu)圖形1腳標(biāo)識(shí)與封裝1腳焊盤(pán)指示不符；結(jié)構(gòu)圖形指示孔徑與封裝孔徑不符；文字描述、標(biāo)注尺寸等和結(jié)構(gòu)圖實(shí)際不一致；其他有疑問(wèn)的地方。（3）安裝孔坐標(biāo)、孔徑、頂?shù)讓优c結(jié)構(gòu)圖完全一致。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環(huán)時(shí)，焊環(huán)離孔距離8Mil以上，焊盤(pán)單邊比孔大33mil（5）固定結(jié)構(gòu)件放置完畢后，對(duì)器件賦予不可移動(dòng)屬性。（6）在孔符層進(jìn)行尺寸標(biāo)注，標(biāo)...

電源電路放置優(yōu)先處理開(kāi)關(guān)電源模塊布局，并按器件資料要求設(shè)計(jì)。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個(gè)管腳共用同一過(guò)孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過(guò)孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進(jìn)行合并，且合并的管腳不能超過(guò)2個(gè)，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤(pán)或者8角焊盤(pán)：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，04...

布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》對(duì)整板布線約束的要求。同時(shí)也應(yīng)該符合客戶(hù)對(duì)過(guò)孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無(wú)法滿(mǎn)足時(shí)需和客戶(hù)客戶(hù)溝通并記錄到《設(shè)計(jì)中心溝通記錄》郵件通知客戶(hù)確認(rèn)。布線的流程步驟如下：關(guān)鍵信號(hào)布線→整板布線→ICT測(cè)試點(diǎn)添加→電源、地處理→等長(zhǎng)線處理→布線優(yōu)化，關(guān)鍵信號(hào)布線關(guān)鍵信號(hào)布線的順序：射頻信號(hào)→中頻、低頻信號(hào)→時(shí)鐘信號(hào)→高速信號(hào)。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循如下基本原則：★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號(hào)層走線。★依照布局情況短布線?！镒呔€間距單端線必須滿(mǎn)足3W以...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過(guò)孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對(duì)整板DRC進(jìn)行檢查、修改、確認(rèn)、記錄。（3）Stub殘端走線及過(guò)孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過(guò)孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對(duì)在分隔帶上的阻抗線進(jìn)行調(diào)整。（5）走線串?dāng)_檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對(duì)稱(chēng)層需檢查殘銅率是否對(duì)稱(chēng)并進(jìn)行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。PCB布局設(shè)計(jì)中布線的設(shè)...

DDR的PCB布局、布線要求4、對(duì)于DDR的地址及控制信號(hào)，如果掛兩片DDR顆粒時(shí)拓?fù)浣ㄗh采用對(duì)稱(chēng)的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號(hào)的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置（5mm以?xún)?nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以?xún)?nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長(zhǎng)度上的匹配。地址、控制、時(shí)鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長(zhǎng)范圍為≤200Mil。5、對(duì)于地址、控制信號(hào)的參考差分時(shí)鐘信號(hào)CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時(shí)串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時(shí)要考慮差分線對(duì)內(nèi)的平行布線及等長(zhǎng)(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對(duì)于控制芯片及DDR芯片，為每個(gè)IO2.5V電源管腳...

模塊劃分（1）布局格點(diǎn)設(shè)置為50Mil。（2）以主芯片為中心的劃分準(zhǔn)則,把該芯片相關(guān)阻容等分立器件放在同一模塊中。（3）原理圖中單獨(dú)出現(xiàn)的分立器件，要放到對(duì)應(yīng)芯片的模塊中，無(wú)法確認(rèn)的，需要與客戶(hù)溝通,然后再放到對(duì)應(yīng)的模塊中。（4）接口電路如有結(jié)構(gòu)要求按結(jié)構(gòu)要求，無(wú)結(jié)構(gòu)要求則一般放置板邊。主芯片放置并扇出（1）設(shè)置默認(rèn)線寬、間距和過(guò)孔：線寬：表層設(shè)置為5Mil；間距：通用線到線5Mil、線到孔（外焊盤(pán)）5Mil、線到焊盤(pán)5Mil、線到銅5Mil、孔到焊盤(pán)5Mil、孔到銅5Mil；過(guò)孔：選擇VIA8_F、VIA10_F、VIA10等；（2）格點(diǎn)設(shè)置為25Mil，將芯片按照中心抓取放在格點(diǎn)上。（3）...

電源模塊擺放電源模塊要遠(yuǎn)離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時(shí)鐘等電路模塊，發(fā)熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負(fù)載為整板電源供電的模塊優(yōu)先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放，便于插拔,客戶(hù)有指定位置除外。（2）驅(qū)動(dòng)電路靠近接口擺放。（3）測(cè)溫電路靠近發(fā)熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時(shí)確定正反面。（4）光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開(kāi)擺放,隔離間距40Mil以上。（5）熱敏感元件（電解電容、晶振）遠(yuǎn)離大功率的功能模塊、散熱...

整板布線，1）所有焊盤(pán)必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤(pán)出線與焊盤(pán)長(zhǎng)邊成180度角或0度角出線，焊盤(pán)內(nèi)部走線寬度必須小于焊盤(pán)寬度，BGA焊盤(pán)走線線寬不大于焊盤(pán)的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現(xiàn)銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿(mǎn)足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區(qū)域內(nèi)不能有非地網(wǎng)絡(luò)外的走線和過(guò)孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區(qū)所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網(wǎng)絡(luò)過(guò)孔存在，非地網(wǎng)絡(luò)過(guò)孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進(jìn)行隔離。（9）差分線需嚴(yán)格按照工藝計(jì)...

SDRAM時(shí)鐘源同步和外同步1、源同步：是指時(shí)鐘與數(shù)據(jù)同時(shí)在兩個(gè)芯片之間間傳輸，不需要外部時(shí)鐘源來(lái)給SDRAM提供時(shí)鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)由CLK來(lái)觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)滿(mǎn)足一定的時(shí)序匹配關(guān)系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿(mǎn)足一定的傳輸線長(zhǎng)度匹配。2、外同步：由外部時(shí)鐘給系統(tǒng)提供參考時(shí)鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個(gè)時(shí)鐘，一個(gè)鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個(gè)鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成，對(duì)于SDRAM及其控制芯片，參考時(shí)鐘CLK1、CLK2由外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生，此...

等長(zhǎng)線處理等長(zhǎng)線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長(zhǎng)線段→等長(zhǎng)線處理→鎖定等長(zhǎng)線。（1）檢查組內(nèi)等長(zhǎng)規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W，差分對(duì)蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。（3）差分線對(duì)內(nèi)等長(zhǎng)優(yōu)先在不匹配端做補(bǔ)償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對(duì)內(nèi)間距，長(zhǎng)度＞3倍差分線寬，（4）差分線對(duì)內(nèi)≤3.125G等長(zhǎng)誤差≤5mil，＞3.125G等長(zhǎng)誤差≤2mil。（5）DDR同組等長(zhǎng)：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶(hù)有要求或...

等長(zhǎng)線處理等長(zhǎng)線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長(zhǎng)線段→等長(zhǎng)線處理→鎖定等長(zhǎng)線。（1）檢查組內(nèi)等長(zhǎng)規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W，差分對(duì)蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。（3）差分線對(duì)內(nèi)等長(zhǎng)優(yōu)先在不匹配端做補(bǔ)償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對(duì)內(nèi)間距，長(zhǎng)度＞3倍差分線寬，（4）差分線對(duì)內(nèi)≤3.125G等長(zhǎng)誤差≤5mil，＞3.125G等長(zhǎng)誤差≤2mil。（5）DDR同組等長(zhǎng)：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶(hù)有要求或...

電源模塊擺放電源模塊要遠(yuǎn)離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時(shí)鐘等電路模塊，發(fā)熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負(fù)載為整板電源供電的模塊優(yōu)先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放，便于插拔,客戶(hù)有指定位置除外。（2）驅(qū)動(dòng)電路靠近接口擺放。（3）測(cè)溫電路靠近發(fā)熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時(shí)確定正反面。（4）光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開(kāi)擺放,隔離間距40Mil以上。（5）熱敏感元件（電解電容、晶振）遠(yuǎn)離大功率的功能模塊、散熱...

DDR2模塊相對(duì)于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時(shí)稱(chēng)為DDRI），DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn)，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn)；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對(duì)于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶(hù)們所認(rèn)為的兩倍...

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)和提供的參考設(shè)計(jì)進(jìn)行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點(diǎn)連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時(shí)，在電源入口處通過(guò)將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過(guò)磁珠或電感拆分成模擬電源。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過(guò)入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過(guò)經(jīng)過(guò)磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模...

DDR的PCB布局、布線要求4、對(duì)于DDR的地址及控制信號(hào)，如果掛兩片DDR顆粒時(shí)拓?fù)浣ㄗh采用對(duì)稱(chēng)的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號(hào)的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置（5mm以?xún)?nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以?xún)?nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長(zhǎng)度上的匹配。地址、控制、時(shí)鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長(zhǎng)范圍為≤200Mil。5、對(duì)于地址、控制信號(hào)的參考差分時(shí)鐘信號(hào)CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時(shí)串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時(shí)要考慮差分線對(duì)內(nèi)的平行布線及等長(zhǎng)(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對(duì)于控制芯片及DDR芯片，為每個(gè)IO2.5V電源管腳...

工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)（1）與客戶(hù)確認(rèn)阻抗類(lèi)型，常見(jiàn)阻抗類(lèi)型如下：常規(guī)阻抗：?jiǎn)味?0歐姆，差分100歐姆。特殊阻抗：射頻線單端50歐姆、75歐姆隔層參考，USB接口差分90歐姆，RS485串口差分120歐姆。（2）傳遞《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的工藝要求、層疊排布信息和阻抗要求至工藝工程師，由工藝工程師生成《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》，基于以下幾點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明：信號(hào)層夾在電源層和地層之間時(shí),信號(hào)層靠近地層。差分間距≤2倍線寬。相鄰信號(hào)層間距拉大。阻抗線所在的層號(hào)。（3）檢查《PCB加工工藝要求說(shuō)明書(shū)》信息是否有遺漏，錯(cuò)誤，核對(duì)無(wú)誤后再與客戶(hù)進(jìn)行確認(rèn)。布線優(yōu)化的工藝技巧有哪些？黃岡定制...

通過(guò)規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求，提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門(mén)設(shè)計(jì)部。定義與縮略語(yǔ)（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計(jì)為印制電路板圖的全過(guò)程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具繪制，表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具自動(dòng)生成的，表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過(guò)程。（6）布線：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求...

通過(guò)規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求，提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門(mén)設(shè)計(jì)部。定義與縮略語(yǔ)（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計(jì)為印制電路板圖的全過(guò)程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具繪制，表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具自動(dòng)生成的，表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過(guò)程。（6）布線：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求...

DDR2模塊相對(duì)于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時(shí)稱(chēng)為DDRI），DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn)，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn)；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對(duì)于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶(hù)們所認(rèn)為的兩倍...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡(jiǎn)稱(chēng)，是使用很的一種存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時(shí)鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時(shí)鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的...

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲?。悍胖迷赑CB的元件面，水平放置，比元件位號(hào)絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識(shí)別。添加特殊絲?。?）條碼：條碼位置應(yīng)靠近PCB板名版本號(hào)，且長(zhǎng)邊必須與傳送方向平行，區(qū)域內(nèi)不能有焊盤(pán)直徑大于0.5mm的導(dǎo)通孔，如有導(dǎo)通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無(wú)法噴碼或貼標(biāo)簽。1、預(yù)留區(qū)域?yàn)橥繚M(mǎn)油墨的絲印區(qū)。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區(qū)外20mm范圍內(nèi)不能有高度超過(guò)25mm的元器件。2）其他絲?。核猩漕lPCB建議添加標(biāo)準(zhǔn)“RF”的絲印...

DDR與SDRAM信號(hào)的不同之處，1、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)與地址\控制信號(hào)是參考不同的時(shí)鐘信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)參考DQS選通信號(hào)，地址\控制信號(hào)參考CK\CK#差分時(shí)鐘信號(hào)；而SDRAM信號(hào)的數(shù)據(jù)、地址、控制信號(hào)是參考同一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。2、數(shù)據(jù)信號(hào)參考的時(shí)鐘信號(hào)即DQS信號(hào)是上升沿和下降沿都有效，即DQS信號(hào)的上升沿和下降沿都可以觸發(fā)和鎖存數(shù)據(jù)，而SDRAM的時(shí)鐘信號(hào)只有在上升沿有效，相對(duì)而言DDR的數(shù)據(jù)速率翻倍。3、DDR的數(shù)據(jù)信號(hào)通常分成幾組，如每8位數(shù)據(jù)信號(hào)加一位選通信號(hào)DQS組成一組，同一組的數(shù)據(jù)信號(hào)參考相同組里的選通信號(hào)。4、為DDRSDRAM接口同步工作示意圖，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)分成多組，同組...

ADC和DAC是數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)的接口，在通信領(lǐng)域，射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為中頻信號(hào)，中頻信號(hào)經(jīng)過(guò)ADC轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，經(jīng)過(guò)數(shù)字算法處理后，再送入DAC轉(zhuǎn)換成中頻，再進(jìn)行了變頻為射頻信號(hào)發(fā)射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原則：優(yōu)先兼顧ADC、DAC前端模擬電路，嚴(yán)格按照原理圖電路順序呈一字型對(duì)ADC、DAC前端模擬電路布局。2、ADC、DAC本身通道要分開(kāi)，不同通道的ADC、DAC也要分開(kāi)。3、ADC、DAC前端模擬電路放置在模擬區(qū)，ADC、DAC數(shù)字輸出電路放置在數(shù)字區(qū)，因此，ADC、DAC器件實(shí)際上跨區(qū)放置，一般在A/D之間將模擬地和數(shù)字地相連或加磁珠處理。4、如果有多路模...

電源電路放置優(yōu)先處理開(kāi)關(guān)電源模塊布局，并按器件資料要求設(shè)計(jì)。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個(gè)管腳共用同一過(guò)孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過(guò)孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進(jìn)行合并，且合并的管腳不能超過(guò)2個(gè)，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤(pán)或者8角焊盤(pán)：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，04...

射頻、中頻電路（2）屏蔽腔的設(shè)計(jì)1、應(yīng)把不同模塊的射頻單元用腔體隔離，特別是敏感電路和強(qiáng)烈輻射源之間，在大功率多級(jí)放大器中，也應(yīng)保證級(jí)與級(jí)之間隔開(kāi)。2、印刷電路板的腔體應(yīng)做開(kāi)窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開(kāi)窗過(guò)孔屏，過(guò)孔應(yīng)相互錯(cuò)開(kāi)，同排過(guò)孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的，一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開(kāi)槽處理，開(kāi)槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設(shè)計(jì)實(shí)例PCB設(shè)計(jì)工藝上的注意事項(xiàng)是什么？襄陽(yáng)高速PCB設(shè)計(jì)怎么樣...