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本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積小，立體空間大，引線距離短，信號傳輸快，所以能夠更好地實現(xiàn)封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過程中會對**外層的晶圓表面進(jìn)行顯影蝕刻，當(dāng)中會用到光刻膠剝離液。剝離液的使用方法和條件；惠州銅鈦蝕刻液剝離液私人定做 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻...

當(dāng)前級別腔室101對應(yīng)的過濾器30被薄膜碎屑阻塞后，通過閥門開關(guān)60關(guān)閉當(dāng)前級別腔室101對應(yīng)的存儲箱20與過濾器30之間的液體流通，從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進(jìn)行清理并不會導(dǎo)致之后的下一級腔室102的剝離進(jìn)程無法繼續(xù)。其中，腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液；與多個腔室10分別對應(yīng)連接的多個存儲箱20，各級腔室10分別通過管道與相應(yīng)的存儲箱20連接，存儲箱20用于收集和存儲來自當(dāng)前級腔室101的經(jīng)歷剝離制程的剝離液；過濾器30用于過濾來自當(dāng)前級腔室101的存儲箱20的剝離液，并且過濾器30還可以通過管道與下一級腔室...

利用提升泵將一級過濾罐中濾液抽取到攪拌釜內(nèi)；再向攪拌釜中輸入沉淀劑，如酸性溶液，與前述濾液充分?jǐn)嚢杌旌显俅挝龀龀恋砦铮炊壘€性酚醛樹脂，打開二級過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥，帶有沉淀物的混合液進(jìn)入二級過濾罐中，由其中的過濾筒過濾得到二級線性酚醛樹脂，廢液二級過濾罐底部的廢液出口流出，送往剝離成分處理系統(tǒng)。上述過濾得到的一級線性酚醛樹脂可用于光刻膠產(chǎn)品的原料，而二級線性酚醛樹脂可用于其他場合。綜上，實現(xiàn)了對光刻膠樹脂的充分的回收利用，回收率得到提高。附圖說明圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是過濾筒的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式如圖1、圖2所示，該光刻膠廢剝離液回收裝置，包括攪拌釜10和與攪拌...

隨著電子元器件制作要求的提高，相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢，并規(guī)范世界超凈高純試劑的標(biāo)準(zhǔn)，國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織（SEMI）將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個數(shù)和應(yīng)用范圍等指標(biāo)制定國際等級分類標(biāo)準(zhǔn)。濕電子化學(xué)品在各應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)有所不同，光伏太陽能電池領(lǐng)域一般只需要G1級水平；平板顯示和LED領(lǐng)域?qū)耠娮踊瘜W(xué)品的等級要求為G2、G3水平；半導(dǎo)體領(lǐng)域中，集成電路用濕電子化學(xué)品的純度要求較高，基本集中在G3、G4水平，分立器件對濕電子化學(xué)品純度的要求低于集成電路，基本集中在G2級水平。一般認(rèn)為，產(chǎn)生集...

單片清洗工藝避免了不同硅片之間相互污染，降低了產(chǎn)品缺陷，提高了產(chǎn)品良率?？蛇x擇的，清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液?？蛇x的，進(jìn)一步改進(jìn)，清洗液采用h2so4:h2o2配比范圍為6:1～4:1且溫度范圍為110℃～140℃的過氧化硫磺混合物溶液；以及，nh4oh:h2o2:h2o配比為1:℃～70℃的過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明采用等離子體氮氫混合氣體能與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體，且與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)速率相等能更高效的剝離去除光刻膠，能有效減少光刻膠殘留。進(jìn)而避免由于光刻膠殘留造成對后續(xù)工藝的影響，提高產(chǎn)品良率。附圖說明本發(fā)明附圖...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進(jìn)行干法剝離，氫氮混合比例范圍為4:96～30:70。s5，對襯底表面進(jìn)行清洗，清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第三實施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可...

隨著電子元器件制作要求的提高，相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢，并規(guī)范世界超凈高純試劑的標(biāo)準(zhǔn)，國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織（SEMI）將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個數(shù)和應(yīng)用范圍等指標(biāo)制定國際等級分類標(biāo)準(zhǔn)。濕電子化學(xué)品在各應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)有所不同，光伏太陽能電池領(lǐng)域一般只需要G1級水平；平板顯示和LED領(lǐng)域?qū)耠娮踊瘜W(xué)品的等級要求為G2、G3水平；半導(dǎo)體領(lǐng)域中，集成電路用濕電子化學(xué)品的純度要求較高，基本集中在G3、G4水平，分立器件對濕電子化學(xué)品純度的要求低于集成電路，基本集中在G2級水平。一般認(rèn)為，產(chǎn)生集...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種，酰胺是用于溶解光刻膠；n-甲基甲酰胺下面簡稱″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種，醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的；二乙二醇丁醚下面簡稱″bdg″。環(huán)胺與鏈胺，用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力；鏈胺：分子量的大小決定瞬間溶解力，分子量過大瞬間溶解力小，光刻膠未被完...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種，酰胺是用于溶解光刻膠；n-甲基甲酰胺下面簡稱″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種，醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的；二乙二醇丁醚下面簡稱″bdg″。環(huán)胺與鏈胺，用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力；鏈胺：分子量的大小決定瞬間溶解力，分子量過大瞬間溶解力小，光刻膠未被完...

本申請實施例還提供一種剝離液機臺的工作方法，請參閱圖5，圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖，該方法包括：步驟110、將多級腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來自于當(dāng)前級腔室經(jīng)歷剝離制程的剝離液收集和存儲于當(dāng)前級腔室相應(yīng)的存儲箱中，所述剝離液中夾雜有薄膜碎屑；步驟130、使用當(dāng)前級腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級腔室；步驟140、若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞，則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān)；步驟150、取出被阻塞的所述過濾器。若過濾器包括多個并列排布...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實施例中，請參閱圖4，圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連...

本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進(jìn)行干法剝離，氫氮混合比例范圍為4:96～30:70。s5，對襯底表面進(jìn)行清洗，清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第三實施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場規(guī)模偏小。剝離液應(yīng)用在太陽能電池中，對于剝離液的潔凈度要求較低，需達(dá)到G1等級，下游客戶主要要天合、韓華、通威等；應(yīng)用到面板中，通常要達(dá)到G2、G3等級，且高世代線對于剝離液的要求要高于低世代線，下游客戶有京東方、中星光電；在半導(dǎo)體中的應(yīng)用可分等級，在8英寸及以下的晶圓制造中，對于剝離液的要求達(dá)到G3、G4水平，大硅片、12英寸晶元等產(chǎn)品要達(dá)到G5水平。...

所述功能切換口3外部并聯(lián)有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級過濾罐13的底部設(shè)有廢液出口20。所述一級過濾罐16和二級過濾罐13內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過濾筒。本實施例中，所述一級過濾罐16和二級過濾罐13的結(jié)構(gòu)相同，以一級過濾罐16為例，由外殼1601、懸設(shè)于外殼1601內(nèi)的過濾筒、扣裝于過濾筒頂部的壓蓋1602組成。所述壓蓋1602中心設(shè)有對應(yīng)進(jìn)料管路15的通孔。所述過濾筒由均勻布設(shè)多孔1606的支撐筒體1605、設(shè)于支撐筒體1605內(nèi)表面的金屬濾網(wǎng)1604、設(shè)于金屬濾網(wǎng)1604表面的纖維濾布1603組成。所述支撐筒體1605的上沿伸出外殼1601頂部并利用水平翻邊支撐...

圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請實施例提供的剝離液機臺的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖。具體實施方式目前剝離液機臺在工作時，如果過濾剝離光阻時產(chǎn)生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞，則需要剝離液機臺內(nèi)的所有工作單元，待被阻塞的過濾器被清理后，才能重新進(jìn)行剝離制程，使得機臺需頻繁停線以更換過濾器，極大的降低了生產(chǎn)效率。請參閱圖1，圖1為本申請實施例提供的過濾液機臺100的種結(jié)構(gòu)示意圖。本申請實施例提供一種剝離液機臺100，包括：依次順序排列的多級腔室10、每一級所述腔...

本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積小，立體空間大，引線距離短，信號傳輸快，所以能夠更好地實現(xiàn)封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過程中會對**外層的晶圓表面進(jìn)行顯影蝕刻，當(dāng)中會用到光刻膠剝離液。蘇州剝離液哪里可以買到；南京京東方用的蝕刻液剝離液銷售廠家 單片清洗工藝避免了不同硅片之間相互污染，降低了產(chǎn)品缺陷，提高了產(chǎn)品良率。可選擇的，清洗...

所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術(shù)方案中，所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術(shù)方案中，所述的緩蝕劑為三唑類物質(zhì)。的技術(shù)方案中，所述的緩蝕劑為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。技術(shù)方案中，所述的潤濕劑含有羥基。技術(shù)方案中，所述的潤濕劑為聚乙二醇、甘油中的任意一種。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明中加入環(huán)胺與鏈胺，能夠滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力，能夠快速、有效地溶解光刻膠，而配方中加入潤濕劑，能夠有效地減少接觸角，增強親水性，使得剝離...

IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式：混合溶液產(chǎn)品名稱：ANS-908產(chǎn)品功能描述：用于COG重工，使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危險識別可燃性液體和蒸汽警示標(biāo)識外觀：透明或微黃氣味：類氨對人類和環(huán)境的危害：對眼睛和皮膚有刺激性吸入：會引起呼吸道受刺激，肝臟、腎受傷害，對系統(tǒng)有影響攝?。簳鸷粑篮拖来碳らL期接觸：會引起皮膚傷害4.緊急處理...

技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法，可用于微納制造，光學(xué)領(lǐng)域，電學(xué)，生物領(lǐng)域，mems領(lǐng)域，nems領(lǐng)域。技術(shù)背景：微納制造技術(shù)是衡量一個國家制造水平的重要標(biāo)志，對提高人們的生活水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展與經(jīng)濟增長，保障**安全等方法發(fā)揮著重要作用，微納制造技術(shù)是微傳感器、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ)。基于半導(dǎo)體制造工藝的光刻技術(shù)是**常用的手段之一。對于納米孔的加工，常用的手段是先利用曝光負(fù)性光刻膠并顯影后得到微納尺度的柱狀結(jié)構(gòu)，再通過金屬的沉積和溶膠實現(xiàn)圖形反轉(zhuǎn)從而得到所需要的納米孔。然而傳統(tǒng)的方法由于光刻過程中的散焦及臨近效應(yīng)等會造成...

本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域：，特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)：：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，電子器件和電子產(chǎn)品對多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢的推動下，要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積小，立體空間大，引線距離短，信號傳輸快，所以能夠更好地實現(xiàn)封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過程中會對**外層的晶圓表面進(jìn)行顯影蝕刻，當(dāng)中會用到光刻膠剝離液。蘇州博洋化學(xué)股份有限公司剝離液；江蘇中芯國際用剝離液費用 在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請實施例提供...

所述過濾器包括多個并列排布的子過濾器，所述道包括多個子管道，每一所述子管道與一子過濾器連通，且所述多個子管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連通。在一些實施例中，所述第二管道包括公共子管道及多個第二子管道，每一所述第二子管道與一子過濾器連通，每一所述第二子管道與所述公共子管道連通，所述公共子管道與所述下一級腔室連通。在一些實施例中，所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述子管道上。在一些實施例中，所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述第二子管道上。在一些實施例中，所述閥門開關(guān)設(shè)置在每一所述子管道及每一所述第二子管道上。在一些實施例中，所述第二管道包括多個第三子管道，每一所述第三子管道與一子過濾器連通，且每一所述第三子管...

能夠增強親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實施例對本申請作進(jìn)一步詳細(xì)說明。以下實施例對本申請進(jìn)行進(jìn)一步說明，不應(yīng)理解為對本申請的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配方二所采用的基礎(chǔ)組分基本相同，不同的是配方二中加入有潤濕劑，上述所描述的潤濕劑是用于增強親水性的，滴液與產(chǎn)品表面間的夾角為接觸角，接觸角可用來衡量潤濕程度，水滴角測試儀可測量接觸角，從潤濕角度考慮，接觸角＜90°，且接觸角越小潤濕效果越好加入潤濕劑后的配方二所制得的剝離液，在滴落在高世代面板后，通過水滴角測試儀測接觸角，檢測圖如圖1所示，...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000埃～10000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進(jìn)行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過高劑量或大分子量的源種注入后，會在光刻膠的外層形成一層硬殼即為主要光刻膠層，主要光刻膠層包裹在第二光刻膠層外。使氮氫混合氣體與光刻膠反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體，反應(yīng)速率平穩(wěn)，等離子體氮氫混合氣體與主要光刻膠層、第二光刻膠層的反應(yīng)速率相等。等離子體氮氫混合氣體先剝離去除主要光刻膠層，參考圖8所示。再逐步剝離去除第二光刻膠層，參考圖9和圖10所示?？蛇x的，等離子...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中，需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工藝主要包含光阻涂布、顯影、去光阻、相關(guān)清洗作業(yè)四大階段，其中在去光阻階段會產(chǎn)生部分剝離液。印制電路板生產(chǎn)工藝相當(dāng)復(fù)雜。不僅設(shè)備和制造工藝的科技含量高，工藝流程長，用水量大，而且所用的化學(xué)藥品（包括各種添加劑）種類多、用量大。因此，在用減成法生產(chǎn)印刷線路板的過程中，產(chǎn)污環(huán)節(jié)多，種類繁雜，物料損耗大?？煞譃楦煞庸?設(shè)計和布線、模版制作、鉆孔...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實施例中，請參閱圖4，圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連...

本發(fā)明下述示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實施例是為了使得本發(fā)明的公開徹底且完整，并且將這些示例性具體實施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法主要實施例，用于半導(dǎo)體制造工藝中，可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟，主要包括以下步驟:s1，在半導(dǎo)體襯底上淀積介質(zhì)層；s2，旋涂光刻膠并曝光顯影，形成光刻圖形阻擋層；s3，執(zhí)行離子注入：s4，采用氮氫混合氣體執(zhí)行等離子刻蝕，對光刻膠進(jìn)行干法剝離；s5，對襯底表面進(jìn)行清洗。本發(fā)明...

每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通，所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實施例中，閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的，閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上，在此不做贅述。在一些實施例中，請參閱圖4，圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺100的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503，每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301，且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種，酰胺是用于溶解光刻膠；n-甲基甲酰胺下面簡稱″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種，醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的；二乙二醇丁醚下面簡稱″bdg″。環(huán)胺與鏈胺，用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結(jié)合力；鏈胺：分子量的大小決定瞬間溶解力，分子量過大瞬間溶解力小，光刻膠未被完...

圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請實施例提供的剝離液機臺的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請實施例提供的剝離液機臺的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請實施例提供的剝離液機臺的工作方法的流程示意圖。具體實施方式目前剝離液機臺在工作時，如果過濾剝離光阻時產(chǎn)生的薄膜碎屑的過濾器被阻塞，則需要剝離液機臺內(nèi)的所有工作單元，待被阻塞的過濾器被清理后，才能重新進(jìn)行剝離制程，使得機臺需頻繁停線以更換過濾器，極大的降低了生產(chǎn)效率。請參閱圖1，圖1為本申請實施例提供的過濾液機臺100的種結(jié)構(gòu)示意圖。本申請實施例提供一種剝離液機臺100，包括：依次順序排列的多級腔室10、每一級所述腔...

能夠增強親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實施例對本申請作進(jìn)一步詳細(xì)說明。以下實施例對本申請進(jìn)行進(jìn)一步說明，不應(yīng)理解為對本申請的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配方二所采用的基礎(chǔ)組分基本相同，不同的是配方二中加入有潤濕劑，上述所描述的潤濕劑是用于增強親水性的，滴液與產(chǎn)品表面間的夾角為接觸角，接觸角可用來衡量潤濕程度，水滴角測試儀可測量接觸角，從潤濕角度考慮，接觸角＜90°，且接觸角越小潤濕效果越好加入潤濕劑后的配方二所制得的剝離液，在滴落在高世代面板后，通過水滴角測試儀測接觸角，檢測圖如圖1所示，...