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圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結(jié) 合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的...

將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實現(xiàn)精確打孔)。所述若...

根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)uws1至uws6來提高集成電路的設(shè)計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據(jù)示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結(jié)構(gòu)。圖11實質(zhì)上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現(xiàn)。 圖5和圖7示出單個單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖...

存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現(xiàn)圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的...

在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件。圖10示出了對應(yīng)于步驟1306的一些實施例的截面圖1000。在步驟1308中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。圖11示出了對應(yīng)于步驟1308的一些實施例的截面圖1100。在步驟1310中，在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結(jié)構(gòu)的第二互連層。多個互連結(jié)構(gòu)限定位線和一條或多條字線。圖11示出了對應(yīng)于步驟1310的一些實施例的截面圖1100。步驟1302至1310在襯底上方形成存儲單元。在一些實施例中，可以重復(fù)步驟1302至1310(如步驟1312所示)以在存儲單元上方形成第二存儲單元。...

將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實現(xiàn)精確打孔)。所述若...

導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導(dǎo)電接觸件c...

存儲介質(zhì)1100(例如，存儲裝置)可以存儲標準單元庫sclb1110。標準單元庫1110可以從存儲介質(zhì)1100被提供給設(shè)計模塊1400。標準單元庫1110可以包括多個標準單元，并且標準單元可以是用于設(shè)計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質(zhì)1100可以包括用于將命令和/或數(shù)據(jù)提供給計算機作為計算機可讀存儲介質(zhì)的任何計算機可讀存儲介質(zhì)。例如，計算機可讀存儲介質(zhì)可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變r am(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質(zhì)可以入到計算機中，可以被...

導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導(dǎo)電接觸件c...

將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實現(xiàn)精確打孔)。所述若...

可以通過執(zhí)行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖。可以通過電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區(qū)域?qū)?yīng)的多個電路行...

本實用新型涉及集成電路芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術(shù)：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護環(huán)的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環(huán)形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環(huán)電連接，防護環(huán)設(shè)置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環(huán)電連接。目前集成電路芯片在使用的時候會散發(fā)大量的熱量，但現(xiàn)有的芯片散熱效率較低，導(dǎo)致芯片長時間處于高溫環(huán)境中，高溫不光...

轉(zhuǎn)動環(huán)24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的內(nèi)壁元螺紋塊21的外壁螺紋連接，連接機構(gòu)2能夠方便散熱機構(gòu)3與芯片本體1進行連接。散熱機構(gòu)3包括與l形桿23側(cè)壁固定連接的空心導(dǎo)熱塊31，空心導(dǎo)熱塊31的下表面與芯片本體1的下表面活動連接，空心導(dǎo)熱塊31的上表面固定連通有多個連通管32，多個同側(cè)連通管32的頂端共同固定連通有空心散熱塊33，多個空心散熱塊33的頂端均固定連通有多個第二連通管34，多個同側(cè)第二連通管34的頂端共同固定連通有第二空心散熱塊35，空心散熱塊33與第二空心散熱塊35相互呈垂直分布，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了...

本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡單。如中國發(fā)明專利公開號“c...

本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡單。如中國發(fā)明專利公開號“c...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線 ml1至ml12。每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlp...

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設(shè)置有空心導(dǎo)熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構(gòu)的目的，之后打開管蓋，并通過導(dǎo)管向空心導(dǎo)熱塊內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發(fā)熱量的時候，熱量被空心導(dǎo)熱塊吸收，同時空心導(dǎo)熱塊內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，...

發(fā)射機校準包括：apc校準、包絡(luò)調(diào)整、afc頻率補償校準、溫度補償校準等。接收機校準包括：agc校準、rssi校準等。主板校準是手機生產(chǎn)測試的，手機的各項性能指標主要依靠校準工位調(diào)整參數(shù)，使之滿足產(chǎn)品標準。校準完成后的手機，其性能是否滿足規(guī)范要求，或機殼裝配是否對性能有影響，需通過綜測來驗證。手機通過數(shù)據(jù)接口接收測試程序指令，再通過射頻接口與測試儀器相連接，就可以測試發(fā)射機的功率、包絡(luò)、頻率、相位、接收機靈敏度等指標。整機測試完成后，計算機向手機寫入相應(yīng)生產(chǎn)測試信息。所述通訊模塊采用zigbee無線方式與高頻讀卡模塊和數(shù)據(jù)監(jiān)測模塊傳輸連接。所述遠程后臺服務(wù)器通過tcp/ip協(xié)議與無線網(wǎng)關(guān)裝置相...

本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發(fā) 明 公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的 公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡單。如中國發(fā)明專利公開號“c...

存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現(xiàn)圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的...

電腦顯示工作狀態(tài)及數(shù)據(jù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果在于：本實用新型所述集成電路軟件快速錄入裝置,可隨時查看工作狀態(tài)及各項監(jiān)測數(shù)據(jù)， 方便操作者使用，使得產(chǎn)品調(diào)試快捷。附圖說明圖1是本實用新型集成電路軟件快速錄入裝置的原理結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖1所示，一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務(wù)器、錄入終端...

每個單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)距pdg。在這種情況下，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12。 柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以彼此不同。柵極節(jié)距pg11和第二柵極節(jié)距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。...

導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導(dǎo)電接觸件c...

將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次級繞組外過孔17，第三環(huán)初級繞組外過18，第三環(huán)次級繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實現(xiàn)精確打孔)。所述若...

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設(shè)置有空心導(dǎo)熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構(gòu)的目的，之后打開管蓋，并通過導(dǎo)管向空心導(dǎo)熱塊內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發(fā)熱量的時候，熱量被空心導(dǎo)熱塊吸收，同時空心導(dǎo)熱塊內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，...

導(dǎo)電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導(dǎo)電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb可以位于有源區(qū)ac上的層ly1上。多個導(dǎo)電接觸件ca和cb包括連接到有源區(qū)ac的源區(qū)/漏區(qū)116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導(dǎo)電接觸件c...

1可以包括工作mtj器件106和調(diào)節(jié)訪問裝置108，調(diào)節(jié)訪問裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調(diào)節(jié)mtj器件204和206。第二存儲單元202b,1可以根據(jù)與關(guān)于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法1300的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解， 這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述...

存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現(xiàn)圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的...

根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)uws1至uws6來提高集成電路的設(shè)計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據(jù)示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結(jié)構(gòu)。圖11實質(zhì)上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現(xiàn)。 圖5和圖7示出單個單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖...

可以使用側(cè)壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節(jié)距的目標圖案。圖5至圖10是示出應(yīng)用于集成電路的單元線路結(jié)構(gòu)的示例實施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照圖4a至圖4i描述的心軸圖案對應(yīng)，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照圖5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實施例。參照圖5、圖6和圖7，單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個可以包括分...