加密型U盤除了可以對存儲的內容進行加密之外，也可以當作普通U盤使用。大體有兩種類型：一種是硬件加密，如指紋識別加密U盤，這種U盤價格較高，針對特殊部門的用戶，一般來說，采用硬件加密方式的安全性更好；另一種是軟件加密，軟件加密可以在U盤中專門劃分一個隱藏分區(qū)（加密分區(qū)）來存放要加密的文件，也可以不劃分區(qū)只對單個文件加密，沒有密碼就不能打開加密分區(qū)或加密的單個文件，從而起到保密的作用。 啟動型U盤的出現(xiàn)更使人們對這種便攜產品刮目相看。顧名思義，啟動型U盤加入了引導系統(tǒng)的功能，彌補了加密型及無驅型U盤不可啟動系統(tǒng)的缺陷。正是這種產品的出現(xiàn)，加速了軟驅被淘汰的進程。要進行系統(tǒng)引導，U盤必須模擬一種USB外設來實現(xiàn)。PCB底板將各部件連接在一起，并提供數(shù)據(jù)處理的平臺。江蘇購買U盤布局導入

U盤外殼：按材料分類，有ABS塑料、竹木、金屬、皮套、硅膠、PVC軟件等；按風格分類，有卡片、筆型、迷你、卡通、商務、仿真等；按功能分類，有加密、殺毒、防水、智能等。 計算機把二進制數(shù)字信號轉為復合二進制數(shù)字信號（加入分配、核對、堆棧等指令），讀寫到USB芯片適配接口，通過芯片處理信號分配給EEPROM存儲芯片的相應地址存儲二進制數(shù)據(jù)，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。EEPROM數(shù)據(jù)存儲器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值，柵晶體管的結電容可長時間保存電壓值，斷電后能保存數(shù)據(jù)的原因主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵。在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動柵。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳輸電流的選擇/控制柵。數(shù)據(jù)是0或1取決于在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。江蘇正規(guī)U盤全稱USB閃存驅動器，英文名“ USB flash disk”。

但是2004年12月7日，朗科獲得美國國家專利局正式授權的閃存盤基礎發(fā)明專利，美國專利號US6829672。這一專利權的獲得，終結束了這場爭奪。中國朗科公司才是U盤的全球發(fā)明者。美國時間2006年2月10日，朗科委托美國摩根路易斯律師事務所向美國德克薩斯州東區(qū)聯(lián)邦法院遞交訴狀，控告美國PNY公司侵犯了朗科的美國專利。2008年2月，朗科與PNY達成庭外和解。朗科向PNY簽訂專利許可協(xié)議，PNY向朗科公司繳納專利許可費用1000萬美元。這是中國企業(yè)初次在美國本土收到巨額專利許可費用，也進一步證明了朗科是U盤的全球發(fā)明者。

相較于其他可攜式存儲設備，閃存U盤有許多優(yōu)點：占空間小，通常操作速度較快(USB1.1、2.0、3.0標準)，能存儲較多數(shù)據(jù)，并且性能較可靠(由于沒有機械設備)，在讀寫時斷開而不會損壞硬件(軟盤在讀寫時斷開馬上損壞)，只會丟失數(shù)據(jù)。這類的磁盤使用USB大量存儲設備標準，操作系統(tǒng)如Linux、 Mac OS X、Unix與Windows中皆有內置支持。 U盤通常使用ABS塑料或金屬外殼，內部含有一張小的印刷電路板，讓閃存盤尺寸小到像鑰匙圈飾物一樣能夠放到口袋中，或是串在頸繩上。只有USB連接頭突出于保護殼外，且通常被一個小蓋子蓋住。大多數(shù)的U盤使用標準的Type-A USB接頭，這使得它們可以直接插入個人電腦上的USB端口中。USB的端口連接電腦，是數(shù)據(jù)輸入/輸出的通道。

現(xiàn)在的U盤都支持USB2.0標準，然而因為NAND閃存技術上的限制，它們的讀寫速度還無法達到標準所支持的高傳輸速度480Mb/s。快的閃存盤已使用了雙通道的控制器，但是比起硬盤，或是USB2.0能提供的大傳輸速率來說，仍然差上一截。高的傳輸速率大約為20~40 MB/s，而一般的文件傳輸速度大約為10 MB/s。 U盤的組成很簡單，主要由外殼+機芯組成。機芯：機芯包括一塊PCB+USB主控芯片+晶振+貼片電阻、電容+USB接口+貼片LED（不是所有的U盤都有）+FLASH（閃存）芯片。閃存盤才會啟動，而所需的電力也由USB連接供給。吉林工程U盤調整

即插即用，且其存儲容量遠超過軟盤，極便于攜帶。江蘇購買U盤布局導入

U盤閃存就如同其名字一樣，寫入前刪除數(shù)據(jù)進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數(shù)據(jù)歸“1”。寫入時只有數(shù)據(jù)為0時才進行寫入，數(shù)據(jù)為1時則什么也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。讀取數(shù)據(jù)時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態(tài)（數(shù)據(jù)為1）下，在柵電極施加電壓的狀態(tài)時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態(tài)（數(shù)據(jù)為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收后，很難對溝道產生影響。江蘇購買U盤布局導入

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