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來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-05

    晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax,此時(shí)開關(guān)管mp1的柵源電壓為:vgs=vmax-vy=由上式可以看出,掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在,小于開關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為),因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài),進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說明。需要說明的是,本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開關(guān)電路,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行適應(yīng)性修改。如圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖,圖4中的模擬開關(guān)電路400例如為單刀雙擲開關(guān),包括模擬開關(guān)401、掉電保護(hù)電路402、驅(qū)動(dòng)電路403、模擬開關(guān)404、以及驅(qū)動(dòng)電路405。模擬開關(guān)401包括開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1,開關(guān)管mp1為pmos管,開關(guān)管mn1為nmos管。開關(guān)管mp1和開關(guān)管mn1并聯(lián)連接,二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a,二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y,開關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路402連接,開關(guān)管mn1的襯底接地。八路模擬開關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,有需要可以聯(lián)系我司哦!合肥智能八路模擬開關(guān)板哪家好

    Note7)VDD=15VIINInputCurrent輸入電流VDD?VSS=15VVDD≥VIS≥VSSVDD≥VC≥VSS??10?5??μA10?5ACElectricalCharacteristics交流電氣屬性:Symbol符號(hào)Parameter參數(shù)Conditions條件**小典型**大Units單位tPHL,tPLHPropagationDelayTimeSignalInputtoSignalOutput信號(hào)輸入到信號(hào)輸出傳遞延遲時(shí)間VC=VDD,CL=50pF,(Figure1)RL=200kVDD=5V2555nsVDD=10V1535VDD=15V1025tPZH,tPZLPropagationDelayTimeControlInputtoSignalOutputHighImpedancetoLogicalLevelRL=Ω,CL=50pF,(Figure2,Figure3)VDD=5V125nsVDD=10V60VDD=15V50tPHZ,tPLZPropagationDelayTimeControlInputtoSignalOutputLogicalLeveltoHighImpedanceSineWaveDistortionFrequencyResponse-Switch“ON”(Frequencyat?3dB)RL=Ω,CL=50pFVDD=5V125nsVDD=10V60VDD=15V50VC=VDD=5V,VSS=?5VRL=10kΩ,VIS=5Vp-p,f=1kHz,(Figure4)%VC=VDD=5V,VSS=?5V,RL=1kΩ,VIS=5Vp-p,20Log10VOS/VOS(1kHz)?dB,(Figure4)40MHzFeedthrough—Switch“OFF”(Frequencyat?50dB)CrosstalkBetweenAnyTwoSwitches(Frequencyat?50dB)Crosstalk;ControlInputtoSignalOutputMaximumControlInputVDD=?Ω,VIS=?50dB,(Figure4)VDD=VC(A)=。江蘇集成電路八路模擬開關(guān)板配件八路模擬開關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,用戶的信賴之選,有需求可以來電咨詢!

    2).特征圖23簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開關(guān)模型及通道間串?dāng)_隨信號(hào)頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容致使的。有時(shí),也會(huì)由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容,展現(xiàn)為串?dāng)_。CSS表示兩個(gè)輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號(hào)的兩個(gè)輸入走線之間的電容,或者是多路復(fù)用器的兩個(gè)輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時(shí)候,從S1到OUTPUT的阻抗是RON,因?yàn)镾2是斷開的,從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強(qiáng)加到S1的輸入信號(hào)的頻率增加,寄生電容CSD的阻抗變得更低,并在S2引入了一部分S1的輸入信號(hào)。相同的法則,寄生電容CSS隨頻率的增加也會(huì)將一部分輸入信號(hào)直接耦合到斷開的通道S2??s減雜散電容的電路板布置技術(shù)也會(huì)有助于通道間的串?dāng)_疑問。5.關(guān)斷隔離Offisolation(1).概念關(guān)斷隔離概念為當(dāng)在關(guān)閉通道的源極引腳上強(qiáng)加已知信號(hào)時(shí)在多路復(fù)用器輸出引腳上引入的電壓。圖24關(guān)斷隔離示意圖(2).特色圖25簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開關(guān)模型及關(guān)斷隔離隨信號(hào)頻率的變化像串?dāng)_一樣,關(guān)斷隔離也是一種與頻率相關(guān)的現(xiàn)象,由于模擬開關(guān)或多路復(fù)用器的OFF狀況寄生電容CSD而時(shí)有發(fā)生。而開關(guān)在截止?fàn)顩r的寄生電容又取決多個(gè)因素。

    容許音頻放大器和開關(guān)先加電,而主通道開關(guān)現(xiàn)在關(guān)閉。音頻輸出的共模電壓將從0升高到VCC/2。一段時(shí)間(參見10ms)后,耦合電容器的兩端均充電至等電位,然后開啟主通道,根本并未浪涌電流。因?yàn)榇藭r(shí)電容器的兩極之間的電壓差為0V。此開關(guān)十分適于通過單個(gè)USB連接器(D+/D針)與聽筒和USB數(shù)據(jù)線共享的手機(jī)和MP3/MP4播放器。低的總諧波失真(THD)對(duì)于音頻通道十分關(guān)鍵。另外,由于開關(guān)置于在交流耦合電容器之后,因此須要處置低THD時(shí)較大的反向信號(hào)擺幅。該開關(guān)的**關(guān)斷電容器容許通過裝置“有線”連通高速USB信號(hào)。較低的寄生電容也是Hi-Speed一致性測(cè)試的關(guān)鍵USB規(guī)格。隨著當(dāng)前市場(chǎng)趨向轉(zhuǎn)移到單個(gè)USB充電器/數(shù)據(jù)端口,特別應(yīng)用的USB開關(guān)已成為具充電器檢測(cè)機(jī)能的手機(jī)設(shè)計(jì)中的常用配置。圖2是此類交換機(jī)應(yīng)用程序的示例?;趦蓚€(gè)主要緣故,在此設(shè)計(jì)中需低導(dǎo)通電容開關(guān)。首先,由于基帶處理器和高速當(dāng)手機(jī)進(jìn)入高速模式時(shí),USB控制器輸出在連接器側(cè)共享相同的D+/D-引腳USB模式(例如音樂下載或閃存功用),須要減低基帶/。全速控制器的輸出電容。D+/D-線上的任何附加電容都會(huì)毀損Hi-Speed的眼圖USB信號(hào)。其次,在高速USB模式下,須要切斷D+/D-線上的剩余走線。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供八路模擬開關(guān)板,竭誠(chéng)為您服務(wù)。

    控制p型開關(guān)管的襯底電位,使得電源電壓掉電時(shí)p型開關(guān)管的寄生二極管不會(huì)導(dǎo)通。掉電保護(hù)電路還用于在電源電壓掉電時(shí)將該參考電壓提供至模擬開關(guān)電路的驅(qū)動(dòng)電路的供電端,控制p型開關(guān)管的柵極電位,保證電源電壓掉電時(shí)p型開關(guān)管不會(huì)誤導(dǎo)通,有效解決了電源電壓掉電時(shí)的信號(hào)泄露問題,電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用,工作性能穩(wěn)定可靠,適用范圍***。進(jìn)一步的,本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊,電壓上拉模塊可在電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓,保證模擬開關(guān)電路可正常工作。附圖說明通過以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述,本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚。圖1示出傳統(tǒng)的模擬開關(guān)電路的電路示意圖;圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖;圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖;圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開關(guān)電路的電路示意圖。具體實(shí)施方式以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。在各個(gè)附圖中,相同的元件采用類似的附圖標(biāo)記來表示。為了清楚起見,附圖中的各個(gè)部分沒有按比例繪制。此外,在圖中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本發(fā)明的許多特定的細(xì)節(jié)。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開關(guān)板的公司,歡迎您的來電!四川單片機(jī)八路模擬開關(guān)板修理

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    MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC:K實(shí)際上是**RC電路中,電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以內(nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目,例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來用一個(gè)仿真來說明這種現(xiàn)象:為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象,在Vout端加入一個(gè)電容C1,可以明白為增加了CD,也可以明白為負(fù)載電容和CD的并聯(lián)。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大,需更長(zhǎng)時(shí)間平穩(wěn),所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之后,輸出電壓依然并未平穩(wěn)到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí),整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小,需較短時(shí)間安定,所以在開關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi),輸出電壓平穩(wěn)到了信號(hào)源的電壓。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_關(guān)導(dǎo)通的通道上,缺失損耗這部分電荷的通道,所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí),會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過程示意圖過程如下:當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí),這個(gè)階躍電壓會(huì)通過柵極和漏極之間的寄生電容CGD,耦合至輸出端,輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ,CD和CL。所以,當(dāng)流入的電荷越小時(shí)。合肥智能八路模擬開關(guān)板哪家好

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