導(dǎo)通電阻更為大，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高，導(dǎo)通電阻越發(fā)小。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高，導(dǎo)通電阻的曲線總體向上平移。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度轉(zhuǎn)變的曲線3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差稱(chēng)之為導(dǎo)通電阻的平坦度，這個(gè)值越大，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選項(xiàng)設(shè)立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯(lián)系，這是因?yàn)镽on隨著Vin在變動(dòng)，會(huì)在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從源極注入或流出的電流叫作Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，從漏極注入或流出的電流稱(chēng)作Id。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，讓您滿意，期待您的光臨！上?？刂瓢寺纺M開(kāi)關(guān)板維修

    電源端的電壓等于0v)信號(hào)輸出端y的電位大于信號(hào)輸入端a的電位為例，假設(shè)晶體管m1至m3的導(dǎo)通閾值為，晶體管m1至m3形成的二極管的正向?qū)妷簽?，晶體管mp1寄生二極管的正向?qū)妷簽?，此時(shí)參考電壓vmax為：vmax＝max(va,vy,vcc)-vtn＝可以得到此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間的電壓差為，小于寄生二極管的正向?qū)妷海虼碎_(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。進(jìn)一步的，本實(shí)施例的掉電保護(hù)電路302還包括電壓上拉模塊321，電壓上拉模塊321與參考電壓vmax相連接，用于在電源電壓正常時(shí)將參考電壓vmax上拉至電源電壓vcc，保證模擬開(kāi)關(guān)電路300可以正常工作。作為一個(gè)非限制性的例子，電壓上拉模塊321包括晶體管m4、晶體管m5以及電阻r1，晶體管m4和m5分別選自pmos管。晶體管m4和電阻r1連接于晶體管m1至m3的源極與地之間，晶體管m4的柵極連接至電源端以接收電源電壓vcc。晶體管m5的源極連接至電源端以接收電源電壓vcc，晶體管m5的柵極連接至晶體管m4和電阻r1的中間節(jié)點(diǎn)，晶體管m5的漏極連接至參考電壓vmax。當(dāng)電源電壓正常時(shí)，參考電壓vmax＝vcc–vtn，晶體管m4關(guān)斷。湖北單八路模擬開(kāi)關(guān)板上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司，有想法可以來(lái)我司咨詢！

    掉電保護(hù)電路402用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)信號(hào)輸入端a、信號(hào)輸入端b、信號(hào)輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax，并將參考電壓vmax提供至開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向?qū)妷?，開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管保持在截止?fàn)顟B(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的寄生二極管導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露的問(wèn)題。掉電保護(hù)電路402還用于在電源電壓掉電時(shí)將參考電壓vmax提供至驅(qū)動(dòng)電路403和驅(qū)動(dòng)電路405的供電端，使得開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2的柵源電壓vgs小于晶體管的導(dǎo)通閾值vtp，保證當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源端掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mp2誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。進(jìn)一步的，掉電保護(hù)電路402包括晶體管m1、晶體管m2、晶體管m3以及晶體管m8，晶體管m1的漏極與信號(hào)輸入端a連接，晶體管m8的漏極與信號(hào)輸入端b連接，晶體管m2的漏極與信號(hào)輸出端y連接，晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc，并且晶體管m1至m3以及晶體管m8的柵極、漏極和襯底彼此連接，分別連接成二極管結(jié)構(gòu)。

    所述第四晶體管的源極用于接收所述參考電壓，漏極與所述第五晶體管的漏極連接，所述第五晶體管的源極接地，所述第四晶體管和所述第五晶體管的柵極接收***控制信號(hào)，所述第四晶體管和所述第五晶體管的中間節(jié)點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的模擬開(kāi)關(guān)的所述p型開(kāi)關(guān)管的柵極連接。推薦地，每個(gè)所述模擬開(kāi)關(guān)還包括連接于所述信號(hào)輸入端和所述信號(hào)輸出端之間的n型開(kāi)關(guān)管，所述n型開(kāi)關(guān)管和所述p型開(kāi)關(guān)管并聯(lián)連接，所述n型開(kāi)關(guān)管的柵極接收第二控制信號(hào)，所述n型開(kāi)關(guān)管的襯底接地，其中，所述***控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)為同相信號(hào)。推薦地，所述多個(gè)***晶體管分別選自n型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。推薦地，所述第二晶體管和所述第三晶體管分別選自p型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。推薦地，所述第四晶體管選自p型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第五晶體管選自n型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本發(fā)明實(shí)施例的模擬開(kāi)關(guān)電路具有以下有益效果。模擬開(kāi)關(guān)電路還包括掉電保護(hù)電路，掉電保護(hù)電路用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)模擬開(kāi)關(guān)電路的至少一個(gè)信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓，然后將該參考電壓提供給模擬開(kāi)關(guān)的p型開(kāi)關(guān)管的襯底。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，用戶的信賴之選。

    在輸出端引入的誤差會(huì)越小。但同時(shí)，要注意到，流入電荷是一個(gè)與供電電壓、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù)。因此，當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在轉(zhuǎn)變時(shí)，會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差。所以在選在MUX時(shí)，除了要留意chargeinjection的值以外，也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器采用特別的電荷流入掃除電路，可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC，在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開(kāi)關(guān)開(kāi)啟時(shí)，在漏極的輸出刪除至源極輸入衰減3dB時(shí)的頻率，如圖20所示。圖20帶寬概念(2).計(jì)算方式圖21簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型為了簡(jiǎn)化分析，我們忽視RS和CS。根據(jù)圖21中的阻容網(wǎng)絡(luò)，我們可以寫(xiě)出該電路的傳遞函數(shù)：其中，3dBcutofffrequency:根據(jù)這個(gè)公式，結(jié)合MUX和載荷的參數(shù)，我們就可以算出來(lái)在當(dāng)前條件下MUX的帶寬了。4.通道間串?dāng)_ChanneltoChannelcrosstalk(1).概念圖22通道間串?dāng)_示意圖通道間串?dāng)_概念為當(dāng)已知信號(hào)強(qiáng)加到導(dǎo)通通道的源極引腳時(shí)，在截止通道的源極引腳上出現(xiàn)的電壓。。八路模擬開(kāi)關(guān)板，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司，讓您滿意，歡迎您的來(lái)電哦！上海集成電路八路模擬開(kāi)關(guān)板功能

上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供八路模擬開(kāi)關(guān)板，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！上?？刂瓢寺纺M開(kāi)關(guān)板維修

    晶體管m6和晶體管m7根據(jù)參考電壓vmax將開(kāi)關(guān)管mp1的柵極電壓保持在參考電壓vmax，此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓為：vgs＝vmax-vy＝由上式可以看出，掉電保護(hù)電路302可在電源電壓掉電時(shí)將開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓vgs保持在，小于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值vtp(本實(shí)施例的pmos管的導(dǎo)通閾值vtp為)，因此當(dāng)電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1可以一直處于截止?fàn)顟B(tài)，進(jìn)一步解決了電源電壓掉電時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的誤導(dǎo)通造成的信號(hào)泄露問(wèn)題。在上述實(shí)施例中以單通道的模擬開(kāi)關(guān)電路對(duì)本發(fā)明的掉電保護(hù)電路進(jìn)行了說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路也適用于其他通道數(shù)量的模擬開(kāi)關(guān)電路，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行適應(yīng)性修改。如圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖，圖4中的模擬開(kāi)關(guān)電路400例如為單刀雙擲開(kāi)關(guān)，包括模擬開(kāi)關(guān)401、掉電保護(hù)電路402、驅(qū)動(dòng)電路403、模擬開(kāi)關(guān)404、以及驅(qū)動(dòng)電路405。模擬開(kāi)關(guān)401包括開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1，開(kāi)關(guān)管mp1為pmos管，開(kāi)關(guān)管mn1為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp1和開(kāi)關(guān)管mn1并聯(lián)連接，二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端a，二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y，開(kāi)關(guān)管mp1的襯底與掉電保護(hù)電路402連接，開(kāi)關(guān)管mn1的襯底接地。上海控制八路模擬開(kāi)關(guān)板維修