響度控制、水位監(jiān)測用模擬開關：TC4066東芝模擬開關，雙向模擬開關，四通道雙向模擬開關類型：家電描述：TC4066是東芝推出的一款四通道雙向模擬開關，模擬開關在電子裝置中主要起接通信號或斷開信號的功用。由于模擬開關具有功耗低、速度快、無機械觸點、體積小和采用壽命長等特性，因而，在自動控制系統(tǒng)和電腦中取得了普遍應用。每個通道由一個支配極和一個輸入一個輸出端組成，為了實現雙向導通，機能部分有一個PMOS和一個NMOS并聯，門極信號分為兩路，一路直接驅動NMOS，另一路經反相器反相后驅動PMOS，確保雙向導通。型號TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開啟電阻RON70Ω關閉電阻Roff>10^9Ω下圖展示了在一些自動驗證水位的具體應用，當器皿里的水日益升高時，支配極端子依次被浸沒，則LED依次被導通開展顯示水位，水滿后自動斷開水源，因此他可以運用在洗衣機等領域自動支配水位。天高微代理高速，可替代SGM7227BL1532代理，BL1532原裝，BL1532PDF，BL1532廉價，BL1532現貨，BL1532替代BL1532是一款低功耗，雙端口，高速（480Mbps），雙–單刀雙擲（擲）模擬開關具一個。BL1532與，需通過第三次諧波，引致信號的很小邊沿和相位失真。上海金樽自動化控制科技有限公司是一家專業(yè)提供八路模擬開關板的公司，歡迎您的來電！浙江單八路模擬開關板廠家

在測試測量相關應用中，模擬開關和多路復用器具有十分普遍的應用，例如運放的增益調節(jié)、ADC分時收集多路傳感器信號等等。雖然它的機能很簡單，但是依然有很多細節(jié)，需大家在采用的過程中留意。所以，在這里為大家介紹一下模擬開關和多路復用器的基本參數。在開始介紹根基的參數之前，我們有必要介紹一下模擬開關和多路復用器的基本單元MOSFET開關的基本構造。一.MOSFET開關的架構MOSFET開關常見的架構有3種，如圖1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET。三種架構各有特征，詳實的介紹，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應用文檔。本文主要基于NFET和PFET架構進行介紹和仿真，但是關乎到的定義在三種架構中都是適用的。圖1MOSFET開關構造另外，需留意的是，此處的MOSFET構造，S和D是對稱的，所以在功用上是可以交換的，也因此，開關是雙向的，為了便于討論，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開關和多路復用器直流參數介紹1.導通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號電壓而變動：當芯片的供電電壓固定時，對于NMOS而言，S級的電壓越高。安徽集成電路八路模擬開關板維修上海金樽自動化控制科技有限公司為您提供八路模擬開關板，期待您的光臨！

掉電保護電路402用于在電源電壓掉電時根據信號輸入端a、信號輸入端b、信號輸出端y以及電源端中電位更高者得到一參考電壓vmax，并將參考電壓vmax提供至開關管mp1和開關管mp2的襯底。從而在電源電壓掉電時開關管mp1和開關管mp2的源極與襯底之間或者漏極與襯底之間的電壓小于寄生二極管的正向導通電壓，開關管mp1和開關管mp2的寄生二極管保持在截止狀態(tài)，有效的解決了電源電壓掉電時開關管mp1和開關管mp2的寄生二極管導通造成的信號泄露的問題。掉電保護電路402還用于在電源電壓掉電時將參考電壓vmax提供至驅動電路403和驅動電路405的供電端，使得開關管mp1和開關管mp2的柵源電壓vgs小于晶體管的導通閾值vtp，保證當電源電壓掉電時開關管mp1和開關管mp2可以一直處于截止狀態(tài)，進一步解決了電源端掉電時開關管mp1和開關管mp2誤導通造成的信號泄露問題。進一步的，掉電保護電路402包括晶體管m1、晶體管m2、晶體管m3以及晶體管m8，晶體管m1的漏極與信號輸入端a連接，晶體管m8的漏極與信號輸入端b連接，晶體管m2的漏極與信號輸出端y連接，晶體管m3的漏極用于接收電源電壓vcc，并且晶體管m1至m3以及晶體管m8的柵極、漏極和襯底彼此連接，分別連接成二極管結構。

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容上的電壓可長時間基本維持不變模擬開關S1為電容提供充電回路當S1導通時電源通過S1給電容充電電容上電壓不停增高使VT1導通電阻更為小使響度也愈來愈小模擬開關S2為電容提供放電回路當S2導通時電容通過S2放電電容上電壓不停下滑使響度越發(fā)大模擬開關S3起開機響度復位功用開機時電源在S3控制端產生一短暫的正脈沖使S3導通由于與S3聯接的電阻較小故使電容迅速充到一定的電壓使起始響度處于較小的狀態(tài)F1～F6及其**元件構成高低脈沖識別電路靜態(tài)時F1、F2輸入為高電平當較長時間按壓按鈕開關AN時F4輸出變高經100k電阻給μF電容充電當充電電壓超過CMOS門轉換電壓時F5輸出由高變低F6輸出由低變高模擬開關S2導通100μF電容放電音量變大與此同時F1輸出也變高也給電容充電但F1輸出的一次正跳變不足以使電容上電壓超過轉換電壓故F2輸出仍為高電平F3輸出低電平模擬開關S1維持截止當連續(xù)按動按鈕開關AN時F4輸出也不停轉變輸出為高時給電容充電而輸出變低時電容又迅速通過二極管VD3放電故電容上電壓總是達不到轉換電壓因此F6輸出始終為低而此時F1輸出連續(xù)優(yōu)劣轉變經二極管整流不停給電容充電使μF電容上電壓迅速達到轉換電壓F2輸出變低F3輸出變高模擬開關S1導通給電容充電音量變小由此運用。上海金樽自動化控制科技有限公司為您提供八路模擬開關板，期待為您服務！江蘇雙電源八路模擬開關板維修

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導通電阻越發(fā)大，對于PMOS而言，S級的電壓越高，導通電阻愈加小。圖3導通電阻隨輸入信號電壓變化的曲線2）導通電阻的阻值與溫度有關：當VDD和VSS固定不變時，隨著溫度的升高，導通電阻的曲線總體向上平移。圖4導通電阻隨溫度變動的曲線3）導通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內，導通電阻的最大值與最小值的差叫作導通電阻的平坦度，這個值越大，解釋導通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里，我們通過一個仿真實例來觀察一下導通電阻及平坦度對于系統(tǒng)的影響，如圖6。為了更容易地觀察到影響，我們選取設立R1和R2為100Ω。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結果，這是因為有導通電阻的存在。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線性聯系，這是因為Ron隨著Vin在轉變，會在輸出端引入非線性誤差。所以，Ron的平坦度越小，輸出的非線性誤差越小。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開關斷開時，從源極注入或流出的電流稱做Is(off)，如圖8。2)Drainoff-leakagecurrent:在開關斷開時，從漏極注入或流出的電流稱做Id。浙江單八路模擬開關板廠家

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