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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-11-06

模擬開(kāi)關(guān)404包括開(kāi)關(guān)管mp2和開(kāi)關(guān)管mn2,開(kāi)關(guān)管mp2為pmos管,開(kāi)關(guān)管mn2為nmos管。開(kāi)關(guān)管mp2和開(kāi)關(guān)管mn2并聯(lián)連接,二者的漏極彼此連接且都連接至信號(hào)輸入端b,二者的源極彼此連接且都連接至信號(hào)輸出端y,開(kāi)關(guān)管mp2的襯底與掉電保護(hù)電路402相連接,開(kāi)關(guān)管mn2的襯底接地。驅(qū)動(dòng)電路403包括晶體管m6和m7,晶體管m6選自pmos管,晶體管m7選自nmos管。晶體管m6的源極連接至掉電保護(hù)電路402,晶體管m6的漏極與晶體管m7的漏極連接,晶體管m7的源極接地。晶體管m6和晶體管m7的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp1,晶體管m6和晶體管m7的中間節(jié)點(diǎn)連接至開(kāi)關(guān)管mp1的柵極。驅(qū)動(dòng)電路403用于根據(jù)控制信號(hào)cp1控制開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通和關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)電路405包括晶體管m9和m10,晶體管m9選自pmos管,晶體管m10選自nmos管。晶體管m9的源極連接至掉電保護(hù)電路402,晶體管m9的漏極與晶體管m10的漏極連接,晶體管m10的源極接地。晶體管m9和晶體管m10的柵極彼此連接且接收所述控制信號(hào)cp2,晶體管m9和晶體管m10的中間節(jié)點(diǎn)連接至開(kāi)關(guān)管mp2的柵極。驅(qū)動(dòng)電路405用于根據(jù)控制信號(hào)cp2控制開(kāi)關(guān)管mp2的導(dǎo)通和關(guān)斷。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板,歡迎您的來(lái)電!河南編程八路模擬開(kāi)關(guān)板廠家

模擬開(kāi)關(guān)在電子裝置中主要起接通信號(hào)或斷開(kāi)信號(hào)的效用。由于模擬開(kāi)關(guān)具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和采用壽命長(zhǎng)等特色,因而,在自動(dòng)控制系統(tǒng)和電腦中獲得了普遍應(yīng)用。每個(gè)通道由一個(gè)操縱極和一個(gè)輸入一個(gè)輸出端組成,為了實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǎτ貌糠钟幸粋€(gè)PMOS和一個(gè)NMOS并聯(lián),門(mén)極信號(hào)分為兩路,一路直接驅(qū)動(dòng)NMOS,另一路經(jīng)反相器反相后驅(qū)動(dòng)PMOS,確保雙向?qū)?。型?hào)TC4066電源電壓VDD控制輸入電壓VCIN開(kāi)啟電阻RON70Ω關(guān)閉電阻Roff>10^9Ω下圖展示了在一些自動(dòng)檢查水位的實(shí)際上應(yīng)用,當(dāng)器皿里的水漸漸升高時(shí),操縱極端子依次被浸沒(méi),則LED依次被導(dǎo)通展開(kāi)顯示水位,水滿后自動(dòng)斷開(kāi)水源,因此他可以運(yùn)用在洗衣機(jī)等領(lǐng)域自動(dòng)支配水位。相關(guān)料號(hào):18FMN-STK-A(LF)(SN)、1743059-2、7116-6040、PNIRP-04V-S、MG632946-5、FV2-M5、7282-7020-10、7、ZLR-12V、284848-1、S20B-PUDSS-1(LF)(SN)、STO-21T-205N、ST730498-3、ZER-09V-S、MG681373、1565377-1、、SM05B-PASS-TBT(LF)(SN)、6188-0083、174265-7、MG610392、MG681372、8100-1007、FV2-M4、BS13P-SHF-1AA(LF)(SN、936261-1、XADRP-32V、PS-187-E、、3-520150-2、1217754-1、S20B-PHDSS-B(LF)。河南編程八路模擬開(kāi)關(guān)板廠家八路模擬開(kāi)關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,有需求可以來(lái)電咨詢!

所述第四晶體管的源極用于接收所述參考電壓,漏極與所述第五晶體管的漏極連接,所述第五晶體管的源極接地,所述第四晶體管和所述第五晶體管的柵極接收***控制信號(hào),所述第四晶體管和所述第五晶體管的中間節(jié)點(diǎn)與對(duì)應(yīng)的模擬開(kāi)關(guān)的所述p型開(kāi)關(guān)管的柵極連接。推薦地,每個(gè)所述模擬開(kāi)關(guān)還包括連接于所述信號(hào)輸入端和所述信號(hào)輸出端之間的n型開(kāi)關(guān)管,所述n型開(kāi)關(guān)管和所述p型開(kāi)關(guān)管并聯(lián)連接,所述n型開(kāi)關(guān)管的柵極接收第二控制信號(hào),所述n型開(kāi)關(guān)管的襯底接地,其中,所述***控制信號(hào)和所述第二控制信號(hào)為同相信號(hào)。推薦地,所述多個(gè)***晶體管分別選自n型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。推薦地,所述第二晶體管和所述第三晶體管分別選自p型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。推薦地,所述第四晶體管選自p型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,所述第五晶體管選自n型的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本發(fā)明實(shí)施例的模擬開(kāi)關(guān)電路具有以下有益效果。模擬開(kāi)關(guān)電路還包括掉電保護(hù)電路,掉電保護(hù)電路用于在電源電壓掉電時(shí)根據(jù)模擬開(kāi)關(guān)電路的至少一個(gè)信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端以及電源端中電位更高者得到一參考電壓,然后將該參考電壓提供給模擬開(kāi)關(guān)的p型開(kāi)關(guān)管的襯底。

2).特性圖23簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及通道間串?dāng)_隨信號(hào)頻率的變化ChanneltoChannelcrosstalk是和頻率有關(guān)的一種現(xiàn)象。主要是由于關(guān)斷狀況下寄生電容造成的。有時(shí),也會(huì)由于布局技術(shù)不佳而引入了寄生電容,展現(xiàn)為串?dāng)_。CSS表示兩個(gè)輸入通道之間的寄生電容。這也許是傳輸信號(hào)的兩個(gè)輸入走線之間的電容,或者是多路復(fù)用器的兩個(gè)輸入引腳之間的電容。在較低頻率的時(shí)候,從S1到OUTPUT的阻抗是RON,因?yàn)镾2是斷開(kāi)的,從S2到OUTPUT的阻抗十分高。隨著強(qiáng)加到S1的輸入信號(hào)的頻率增加,寄生電容CSD的阻抗變得更低,并在S2引入了一部分S1的輸入信號(hào)。相同的法則,寄生電容CSS隨頻率的增加也會(huì)將一部分輸入信號(hào)直接耦合到斷開(kāi)的通道S2??s減雜散電容的電路板配置技術(shù)也會(huì)有助于通道間的串?dāng)_疑問(wèn)。5.關(guān)斷隔離Offisolation(1).概念關(guān)斷隔離概念為當(dāng)在關(guān)閉通道的源極引腳上強(qiáng)加已知信號(hào)時(shí)在多路復(fù)用器輸出引腳上引入的電壓。圖24關(guān)斷隔離示意圖(2).特征圖25簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型及關(guān)斷隔離隨信號(hào)頻率的變化像串?dāng)_一樣,關(guān)斷隔離也是一種與頻率相關(guān)的現(xiàn)象,由于模擬開(kāi)關(guān)或多路復(fù)用器的OFF狀況寄生電容CSD而時(shí)有發(fā)生。而開(kāi)關(guān)在截止?fàn)顩r的寄生電容又取決多個(gè)因素。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司致力于提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板,有需求可以來(lái)電咨詢!

off),如圖83)On-leakagecurrent:當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí),從漏極注入或流出的電流叫作Id(on),如圖8。圖8漏電流概念(2).特征漏電流隨溫度變化劇烈。圖9漏電流隨溫度變動(dòng)的曲線(3).影響在很多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,接入MUX前的傳感器有也許是高阻抗的傳感器。這時(shí),漏電流的影響就會(huì)凸顯出來(lái)。例如,在圖10的仿真中,輸入源有1MΩ的源阻抗,我們對(duì)這個(gè)電阻展開(kāi)直流參數(shù)掃描,觀察它從1MΩ變動(dòng)至10MΩ時(shí),對(duì)輸出電壓的影響,結(jié)果可以見(jiàn)到,漏電流通過(guò)傳感器的內(nèi)阻會(huì)給輸出電壓帶來(lái)一個(gè)直流誤差。所以,在為高輸出阻抗的傳感器選項(xiàng)MUX時(shí),要盡量挑選低漏電流的芯片。圖10漏電流仿真電路圖11漏電流仿真結(jié)果三.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器動(dòng)態(tài)參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了開(kāi)關(guān)在斷開(kāi)時(shí)的源極和漏極電容。當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí),CON相等源極的電容和漏極的電容之和,如圖12。圖12OnCapacitance(2).影響圖13MUX36S08示例當(dāng)MUX在不同通道之間切換時(shí),CD也會(huì)隨著通道的切換被充電或者放電。例如,當(dāng)S1閉合時(shí),CD會(huì)被充電至V1。那么此時(shí)CD上的電荷QD1:當(dāng)MUX從S1切換至S2時(shí),CD會(huì)被充電至V2。那么此時(shí)CD上的電荷QD2:那么兩次CD上的電荷差就需V2來(lái)提供,所以這時(shí)候。八路模擬開(kāi)關(guān)板,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,用戶的信賴之選,有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦!四川集成電路八路模擬開(kāi)關(guān)板修理

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控制p型開(kāi)關(guān)管的襯底電位,使得電源電壓掉電時(shí)p型開(kāi)關(guān)管的寄生二極管不會(huì)導(dǎo)通。掉電保護(hù)電路還用于在電源電壓掉電時(shí)將該參考電壓提供至模擬開(kāi)關(guān)電路的驅(qū)動(dòng)電路的供電端,控制p型開(kāi)關(guān)管的柵極電位,保證電源電壓掉電時(shí)p型開(kāi)關(guān)管不會(huì)誤導(dǎo)通,有效解決了電源電壓掉電時(shí)的信號(hào)泄露問(wèn)題,電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用,工作性能穩(wěn)定可靠,適用范圍***。進(jìn)一步的,本發(fā)明實(shí)施例的掉電保護(hù)電路還包括電壓上拉模塊,電壓上拉模塊可在電源電壓正常時(shí)將所述參考電壓上拉至電源電壓,保證模擬開(kāi)關(guān)電路可正常工作。附圖說(shuō)明通過(guò)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述,本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚。圖1示出傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖;圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖;圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖;圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖。具體實(shí)施方式以下將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。在各個(gè)附圖中,相同的元件采用類似的附圖標(biāo)記來(lái)表示。為了清楚起見(jiàn),附圖中的各個(gè)部分沒(méi)有按比例繪制。此外,在圖中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本發(fā)明的許多特定的細(xì)節(jié)。河南編程八路模擬開(kāi)關(guān)板廠家

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