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試管嬰兒技術(shù)給不孕夫婦帶來了希望,越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒技術(shù)成功迎來自己的寶寶??茖W(xué)研究表明,健康的胚胎是成功懷孕的關(guān)鍵。然而,通過試管嬰兒獲得的胚胎中有40-60%存在染色體異常,胚胎染色體異常的風(fēng)險(xiǎn)隨著孕婦年齡的增長而增加。染色體異常是妊娠失敗和自然流產(chǎn)的主要原因。
健康的胚胎是試管嬰兒成功的第一步。因此,植入前遺傳學(xué)篩查越來越受到重視,PGD/PGS應(yīng)運(yùn)而生。那么,染色體異常會(huì)導(dǎo)致哪些遺傳病,基因檢測(cè)是如何進(jìn)行的呢?染色體問題有多嚴(yán)重?首先需要注意的是,能夠順利出生的健康寶寶,其實(shí)只是冰山一角。大部分染色體異常的胚胎無法植入、流產(chǎn)或停止,導(dǎo)致自然淘汰。99%的流產(chǎn)是由胎兒引起的,而不是母親。在卵子受精階段,染色體異常的百分比為45%。成功植入胚胎的染色體異常率為25%。在妊娠早期,染色體異常率為15%。研究表明,40歲以上染色體異常的百分比為60%,43歲以上則高達(dá)85%。這就證明了即使43歲以上的卵子發(fā)育成囊胚,染色體異常的比例其實(shí)很高,這是不可避免的,這也是高齡產(chǎn)婦流產(chǎn)率高的原因。 可選擇是否在圖像中顯示標(biāo)靶。香港Laser激光破膜
特色圖8 藍(lán)光激光二極管當(dāng)激光二極管注入電流在臨界電流密度以下時(shí),發(fā)光機(jī)制主要是自發(fā)放射,光譜分散較廣,頻寬大約在100到500埃(埃=10-1奈米,原子直徑的數(shù)量級(jí)就是幾個(gè)埃〉之間。但當(dāng)電流密度超過臨界值時(shí),就開始產(chǎn)生振蕩,***只剩下少數(shù)幾個(gè)模態(tài),而頻寬也減小到30埃以下。而且,激光二極管的消耗功率極小,以雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光為例,比較大的額定電壓通常低于2伏特,輸入電流則在15到100毫安之間,消耗功率往往不到一瓦特,而輸出功率達(dá)數(shù)十毫瓦特以上。激光二極管的特色之一,是能直接從電流調(diào)制其輸出光的強(qiáng)弱。因?yàn)檩敵龉夤β逝c輸入電流之間多為線性關(guān)系,所以激光二極管可以采用模擬或數(shù)字電流直接調(diào)制輸出光的強(qiáng)弱,省掉昂貴的調(diào)制器,使二極管的應(yīng)用更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。北京Laser激光破膜XYCLONE每一張圖像的標(biāo)簽顯示方式可調(diào)。
發(fā)展上世紀(jì)60年代發(fā)明的一種光源,命名為激光,LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質(zhì)結(jié)GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質(zhì)結(jié)激光二極管,1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光二極管。此后,激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時(shí)以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進(jìn)展,因而推動(dòng)了光纖通信和其他應(yīng)用的發(fā)展。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的遠(yuǎn)紅外波長激光二極管。
激光的產(chǎn)生圖1在講激光產(chǎn)生機(jī)理之前,先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程,一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷,稱之為自發(fā)輻射;二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,稱之為受激輻射;三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發(fā)輻射,即使是兩個(gè)同時(shí)從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子,它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同,但受激輻射就不同,當(dāng)位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷,發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中,發(fā)生的輻射就是受激輻射,它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣。任何的受激發(fā)光系統(tǒng),即有受激輻射,也有受激吸收,只有受激輻射占優(yōu)勢(shì),才能把外來光放大而發(fā)出激光。而一般光源中都是受激吸收占優(yōu)勢(shì),只有粒子的平衡態(tài)被打破,使高能態(tài)的粒子數(shù)大于低能態(tài)的粒子數(shù)(這樣情況稱為粒子數(shù)反轉(zhuǎn)),才能發(fā)出激光。儀器還配備 CCD 攝像機(jī),不僅具有實(shí)時(shí)數(shù)碼錄像功能,還能進(jìn)行數(shù)據(jù)量測(cè)、報(bào)告輸出等多種軟件功能 。
激光二極管內(nèi)包括兩個(gè)部分:***部分是激光發(fā)射部分(可用LD表示),它的作用是發(fā)射激光,如圖12中電極(2);第二部分是激光接受部分(可用PD表示),它的作用是接受、監(jiān)測(cè)『LD發(fā)出的激光(當(dāng)然,若不需監(jiān)測(cè)LD的輸出,PD部分則可不用),如圖12中電極(3);這兩個(gè)部分共用公共電極(1),因此,激光二極管有三個(gè)電極。激光二極管具有體積小、重量輕、耗電低、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、調(diào)制方便、耐機(jī)械沖擊以及抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn),但它對(duì)過電流、過電壓以及靜電干擾極為敏感,因此,在使用時(shí),要特別注意不要使其工作參數(shù)超過其最大允許值,可采用的方法如下:(1)用直流恒流源驅(qū)動(dòng)激光二極管。(2)在激光_極管電路上串聯(lián)限流電阻器,并聯(lián)旁路電容器。(3)由于激光二極管溫度升高將增大流過它的電流值,因此,必須采用必要的散熱措施,以保證器件工作在一定的溫度范圍之內(nèi)。(4)為了避免激光二極管因承受過大的反向電壓而造成擊穿損壞,可在其兩端反并聯(lián)上快速硅二極管。胚胎活組織檢查時(shí),可利用激光精確獲取胚胎部分組織用于遺傳學(xué)分析,且不影響胚胎后續(xù)發(fā)育。上海自動(dòng)打孔激光破膜發(fā)育生物學(xué)
干細(xì)胞研究里,通過激光破膜對(duì)干細(xì)胞進(jìn)行定向分化誘導(dǎo)等操作,推動(dòng)再生醫(yī)學(xué)發(fā)展。香港Laser激光破膜
其它類型LD光模塊激光二極管內(nèi)置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅(qū)動(dòng)電路,輸出光信號(hào)。其體積小,可靠性高,使用方便,在城域網(wǎng)、同步傳輸系統(tǒng)、同步光纖網(wǎng)絡(luò)中都大量采用2.5Gb/s光發(fā)射模塊,10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段,向高速化、低成本、微型化發(fā)展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性,加熱器改變高分子材料光柵溫度,引發(fā)其折射率和光柵節(jié)距變化,使其反射波長改變。已研制出Polymer-AWG波長可調(diào)的集成模塊,有16個(gè)波長通道,波長間隔200GHz,插損8--9dB,串?dāng)_-25dB。用一個(gè)高速調(diào)制器對(duì)每個(gè)波長進(jìn)行時(shí)間調(diào)制的多波長LD正處于研制階段。這是一種全新的多波長和波長可編程光源。香港Laser激光破膜