重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來設(shè)置。 DDR3一致性測(cè)試是否適用于工作站和游戲電腦？廣西DDR3測(cè)試PCI-E測(cè)試

· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè)，ApplicationNote：在這個(gè)文檔中，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊(cè)的一部分出現(xiàn)在器件手冊(cè)文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。

· 參考設(shè)計(jì)，ReferenceDesign：對(duì)于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì)，以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。

· IBIS 文件：這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。 廣西DDR3測(cè)試PCI-E測(cè)試DDR3一致性測(cè)試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個(gè)圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時(shí)序圖中，所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS信號(hào)的控制下，對(duì)DQ和DM信號(hào)進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時(shí)序圖中，所有信號(hào)是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號(hào)是同步的，都是和時(shí)鐘沿對(duì)齊的!這時(shí)候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對(duì)DQ信號(hào)的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號(hào)之間的相位延時(shí)!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡(jiǎn)單，是要把邏輯設(shè)計(jì)的復(fù)雜性留在控制器一端，從而使得外設(shè)(DDR存儲(chǔ)心片)的設(shè)計(jì)變得簡(jiǎn)單而廉價(jià)。因此，對(duì)于DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言，信號(hào)完整性仿真和分析的大部分工作，實(shí)質(zhì)上就是要保證這兩個(gè)時(shí)序圖的正確性。

DDR3一致性測(cè)試是一種用于檢查和驗(yàn)證DDR3內(nèi)存模塊在數(shù)據(jù)操作和傳輸方面一致性的測(cè)試方法。通過進(jìn)行一致性測(cè)試，可以確保內(nèi)存模塊在工作過程中能夠按照預(yù)期的方式讀取、寫入和傳輸數(shù)據(jù)。

一致性測(cè)試通常涵蓋以下方面：

電氣特性測(cè)試：對(duì)內(nèi)存模塊的電壓、時(shí)鐘頻率、時(shí)序等電氣特性進(jìn)行測(cè)試，以確保其符合規(guī)范要求。

讀寫測(cè)試：驗(yàn)證內(nèi)存模塊的讀取和寫入功能是否正常，并確保數(shù)據(jù)的正確性和一致性。

數(shù)據(jù)一致性檢查：通過檢查讀取的數(shù)據(jù)與預(yù)期的數(shù)據(jù)是否一致來驗(yàn)證內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸準(zhǔn)確性。

時(shí)序一致性測(cè)試：確認(rèn)內(nèi)存模塊的時(shí)序設(shè)置是否正確，并檢查內(nèi)存模塊對(duì)不同命令和操作的響應(yīng)是否符合規(guī)范。

并發(fā)訪問測(cè)試：測(cè)試內(nèi)存模塊在并發(fā)訪問和多任務(wù)環(huán)境下的性能和穩(wěn)定性。

一致性測(cè)試有助于檢測(cè)潛在的內(nèi)存問題，如數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤、時(shí)序不一致、并發(fā)訪問等，以確保內(nèi)存模塊在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的正常運(yùn)行。這種測(cè)試可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性，并減少不一致性可能帶來的數(shù)據(jù)損壞或系統(tǒng)故障。 DDR3一致性測(cè)試是否包括高負(fù)載或長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行測(cè)試？

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個(gè)選項(xiàng)卡，Pin Mapping跟IBIS 規(guī)范定義的Pin Mapping 一樣，它指定了每個(gè)管腳對(duì)應(yīng)的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對(duì)應(yīng)關(guān)系；Bus Definition用來定義總線Bus和相關(guān)的時(shí)鐘參考信號(hào)。對(duì)于包 含多個(gè)Component的IBIS模型，可以通過右上角Component T拉列表進(jìn)行選擇。另外，如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網(wǎng)絡(luò)的分布參數(shù)模型，則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項(xiàng)，將每條I/O 口和其對(duì)應(yīng)的電源地網(wǎng)絡(luò)對(duì)應(yīng)起來，以更好地仿真SSN效應(yīng)，這 個(gè)選項(xiàng)通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。DDR3一致性測(cè)試期間是否會(huì)影響計(jì)算機(jī)性能？廣西DDR3測(cè)試PCI-E測(cè)試

如何確保DDR3一致性測(cè)試的可靠性和準(zhǔn)確性？廣西DDR3測(cè)試PCI-E測(cè)試

每個(gè) DDR 芯片獨(dú)享 DQS，DM 信號(hào)；四片 DDR 芯片共享 RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號(hào)?！DR 工作頻率為 133MHz?！DR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA，型號(hào)為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后，我們首先要進(jìn)行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來講，對(duì)于經(jīng)過選型的器件，為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)，需要有如下資料。

· 器件數(shù)據(jù)手冊(cè) Datasheet：這個(gè)是必須要有的。如果沒有器件手冊(cè)，是沒有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的（一般經(jīng)過選型的器件，設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊(cè)）。 廣西DDR3測(cè)試PCI-E測(cè)試