DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為400? 800MHz；數(shù)據(jù)信號(hào)速率為800?1600Mbps,通過(guò)差分選通信號(hào)雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號(hào)在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數(shù)據(jù)和選通信號(hào) 仍然使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹形拓?fù)洌瑫r(shí)鐘/地址/命令/控制信號(hào)則改用Fly-by的拓?fù)洳季€；數(shù)據(jù)和選 通信號(hào)有動(dòng)態(tài)ODT功能；使用Write Leveling功能調(diào)整時(shí)鐘和選通信號(hào)間因不同拓?fù)湟鸬?延時(shí)偏移，以滿足時(shí)序要求。DDR3一致性測(cè)試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？河北DDR3測(cè)試維修

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對(duì)話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對(duì)話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對(duì)話框在NewWorkspace對(duì)話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實(shí)際的IBIS模型。雙擊Controller模塊，在工作區(qū)下方彈出Property界面，左側(cè)為Block之間的連接信息，右側(cè)是模型設(shè)置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對(duì)話框。 河北PCI-E測(cè)試DDR3測(cè)試DDR3一致性測(cè)試可以幫助識(shí)別哪些問(wèn)題？

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號(hào)網(wǎng)絡(luò)、部分信號(hào)網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)?？梢酝ㄟ^(guò) Prepare Nets步驟來(lái)選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會(huì)生成較詳 細(xì)的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網(wǎng)絡(luò)、無(wú)源器件及 其模型。

DDRx接口信號(hào)的時(shí)序關(guān)系

DDR3的時(shí)序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統(tǒng)，主要有3組時(shí)序設(shè)計(jì)要求。 一組是DQ和DQS的等長(zhǎng)關(guān)系，也就是數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長(zhǎng)關(guān)系，也就是時(shí)鐘和地址控制總線的關(guān)系；一組是CLK和DQS的關(guān)系， 也就是時(shí)鐘和選通信號(hào)的關(guān)系。其中數(shù)據(jù)和選通信號(hào)的時(shí)序關(guān)系又分為讀周期和寫周期兩個(gè) 方向的時(shí)序關(guān)系。

要注意各組時(shí)序的嚴(yán)格程度是不一樣的，作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號(hào)，需要非常嚴(yán)格的 等長(zhǎng)關(guān)系。Intel或者一些大芯片廠家，對(duì)DQ組的等長(zhǎng)關(guān)系經(jīng)常在土25mil以內(nèi)，在高速的 DDR3設(shè)計(jì)時(shí)，甚至?xí)笤凇?mil以內(nèi)。相對(duì)來(lái)說(shuō)地址控制和時(shí)鐘組的時(shí)序關(guān)系會(huì)相對(duì)寬松 一些，常見的可能有幾百mil。同時(shí)要留意DQS和CLK的關(guān)系，在絕大多數(shù)的DDR設(shè)計(jì)里 是松散的時(shí)序關(guān)系，DDR3進(jìn)行Fly-by設(shè)計(jì)后更是降低了 DQS和CLK之間的時(shí)序控制要求。 何時(shí)需要將DDR3內(nèi)存模塊更換為新的？

· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，Specification：如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后，才能開始設(shè)計(jì)。

因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的 DDR 模塊，需要的技術(shù)資料和文檔。

由于我們要設(shè)計(jì) DDR 存儲(chǔ)模塊，那么在所有的資料當(dāng)中，應(yīng)該較早了解 DDR 規(guī)范。通過(guò)對(duì) DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R」的閱讀，我們了解到，設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC，AC 特性及信號(hào)時(shí)序特征。下面我們從設(shè)計(jì)規(guī)范要求和器件本身特性兩個(gè)方面來(lái)解讀，如何在設(shè)計(jì)中滿足設(shè)計(jì)要求。 DDR3一致性測(cè)試期間是否會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)完整性產(chǎn)生影響？山西眼圖測(cè)試DDR3測(cè)試

如何確保DDR3內(nèi)存模塊的兼容性進(jìn)行一致性測(cè)試？河北DDR3測(cè)試維修

雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號(hào)耦合，考慮非理想電源地的S參數(shù)模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號(hào)的SPICE模型。前者模型提取時(shí)間長(zhǎng)，但模型細(xì)節(jié)完整，適合終的仿真驗(yàn)證；后者模型提取快，SPICE模型仿真收斂性好，比較適合設(shè)計(jì)前期的快速仿真迭代。河北DDR3測(cè)試維修