高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱(chēng)為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)的，嚴(yán)格地說(shuō)DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱(chēng)之為DDR。

DDRx發(fā)展簡(jiǎn)介

代DDR （通常稱(chēng)為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布。DDR經(jīng)過(guò)幾代的發(fā)展，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 DDR3一致性測(cè)試期間是否會(huì)影響計(jì)算機(jī)性能？天津DDR3測(cè)試推薦貨源

DDR（Double Data Rate）是一種常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）技術(shù)，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述：

架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個(gè)組件組成，包括主板、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫(xiě)操作。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時(shí)都進(jìn)行傳輸，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸。速度等級(jí)：DDR技術(shù)有多個(gè)速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來(lái)表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。不同的速度等級(jí)對(duì)應(yīng)著不同的數(shù)據(jù)傳輸速度和性能。 校準(zhǔn)DDR3測(cè)試修理DDR3一致性測(cè)試是否適用于雙通道或四通道內(nèi)存配置？

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過(guò) Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過(guò)實(shí)例來(lái)介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動(dòng) Allegro Sigrity SI,打開(kāi) DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個(gè).brd 文件將被轉(zhuǎn)換成.spd文件，并自動(dòng)在PowerSI軟件界面中打開(kāi)。

創(chuàng)建工程啟動(dòng)SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項(xiàng),在彈出的WorkspaceFile對(duì)話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕。在彈出的SelectModule對(duì)話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對(duì)話框在NewWorkspace對(duì)話框中選擇Createbytemplate單選框，選擇個(gè)模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字，單擊0K按鈕。如圖4-36所示，左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū)。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實(shí)際的IBIS模型。雙擊Controller模塊，在工作區(qū)下方彈出Property界面，左側(cè)為Block之間的連接信息，右側(cè)是模型設(shè)置。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕，彈出LoadIBIS對(duì)話框。 如果DDR3一致性測(cè)試失敗，是否需要更換整組內(nèi)存模塊？

 閉賦模型窗口，在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項(xiàng) 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù)，如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說(shuō)當(dāng)耦合線長(zhǎng)度超過(guò)lOOmil時(shí)，按耦合模型提取，少于lOOmil時(shí)，按單線模 型提取。

 單擊Via modeling setup按鈕，在過(guò)孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因?yàn)橐抡娴臅r(shí)鐘頻率是533MHz)。

 單擊OK按鈕，關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在彈出的窗 口中單擊Net Browser..菜單，選擇DDR1_CK這個(gè)網(wǎng)絡(luò)(或者可以直接在Allegro界面中選取 網(wǎng)絡(luò))?？梢钥吹揭?yàn)橐呀?jīng)設(shè)置好差分線和差分模型，所以會(huì)自動(dòng)帶出差分線DDRl_NCKo 是否可以使用多個(gè)軟件工具來(lái)執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測(cè)試？浙江DDR測(cè)試DDR3測(cè)試

DDR3一致性測(cè)試是否適用于超頻內(nèi)存模塊？天津DDR3測(cè)試推薦貨源

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性

眾所周知，對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì)，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào)，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào)，用術(shù)語(yǔ)講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求。

在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對(duì)DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V，Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.

在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中，除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外，還需要對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)進(jìn)行PI仿真，而這是高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中另一個(gè)需要考慮的問(wèn)題，在這里我們先不討論它，暫時(shí)認(rèn)為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。 天津DDR3測(cè)試推薦貨源