ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離電路、箝位(限幅)電路、衰減電路、濾波電路等降低ESD沖擊電壓、限制脈沖電流的大小，使其降低到被保護器件可以承受的程度。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設(shè)計的難度增火。ESD脈沖具有持續(xù)時間短(ns~數(shù)百ns級)，能量較低(微焦耳級)的特征，頻譜分布在數(shù)百KHz到數(shù)GHz的范圍，其能量主要集中在數(shù)MHz到數(shù)百MHz的范圍內(nèi)，由于ESD的高頻、快速放電特性，其防護電路要求比一般的電浪涌防護電路具有更快的響應(yīng)速度和良好的高頻性能。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。河南SIM卡ESD保護元件測試

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設(shè)計的難度增大。尤其當這些器件應(yīng)用于信號接口時，產(chǎn)品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計和制造通信產(chǎn)品時除了加強產(chǎn)品制造過程的ESD控制外，還要加強產(chǎn)品的ESD防護設(shè)計，尤其是高頻信號接口的ESD防護設(shè)計已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個重要環(huán)節(jié)。北京HDMI接口ESD保護元件選型硅基ESD保護器件的結(jié)電容與其芯片面積成正比關(guān)系。

ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機器模型與人體模型的差異較大，實際上機器的儲電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大于人體模式，同等電壓對器件的損害，機器模式遠大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的。

常見人體帶電過程如下：(1)人從椅子上站起來，或擦拭墻壁等過程(**初的電荷分離發(fā)生在衣物或其他相關(guān)物體外表面，然后，人體由感應(yīng)帶電。(2)人在高電阻率材料制成的地毯等絕緣地板上走動(**初的電荷分離發(fā)生在鞋和地板之間，然后，對于導電性鞋，人體由電荷傳遞而帶電；對于絕緣鞋，人體是因感應(yīng)而帶電)。(3)脫下外衣時的靜電。這是發(fā)生在外層衣物與內(nèi)層衣物之間的接觸起電，人體則經(jīng)過電荷傳遞或感應(yīng)而帶電。(4)液體或粉體從人拿著的容器內(nèi)倒出(該液體或粉體把一種極性的電荷帶走，將等量異性的電荷留在人體上。(5)與帶電材料接觸。如對高度帶電粉體取樣時的帶電。當存在連續(xù)起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位被限制在約50kV以下。常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。

ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強電場，瞬時大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。·電流>1A，·上升時間～15ns，衰減時間～150ns。ESD靜電放電的特點：靜電起電的**常見原因是兩種材料的接觸和分離。**經(jīng)常發(fā)生的靜電起電現(xiàn)象是固體間的摩擦起電現(xiàn)象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應(yīng)起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強電場和寬帶電磁干擾等特點。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。河南SIM卡ESD保護元件測試

靜電保護元件可提供多種封裝形式。河南SIM卡ESD保護元件測試

在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質(zhì)量會產(chǎn)生較大的影響，這要求設(shè)計的ESD防護電路具有很小的寄生參數(shù)，對信號質(zhì)量和阻抗匹配產(chǎn)生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數(shù)字IC內(nèi)部的I/0端口一般無法直接設(shè)計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(shù)(主要是結(jié)電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。河南SIM卡ESD保護元件測試

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