人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車間內(nèi)，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面，并盡可能保持濕潤。操作人員應(yīng)穿防靜電鞋，以減少人體帶電。如鋪有地毯應(yīng)夾織金屬絲，并與自來水管等接地體連接，以盡快導(dǎo)除靜電。(2)在易燃易爆場所，工作人員不應(yīng)穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場所的坐椅不宜采用人造革之類的高阻材料制造。(4)對高壓帶電體應(yīng)加屏蔽，人體應(yīng)避免與高速噴射的氣體接近，以防靜電感應(yīng)。避免靜電過量積累有幾種簡單易行的方法：***，到自然環(huán)境中去。有條件的話，在地上赤足運(yùn)動一下，因?yàn)槌Ｒ姷男锥紝俳^緣體，身體無法和大地直接接觸，也就無法釋放身上積累的靜電。第二，盡量少穿化纖類衣物，或者選用經(jīng)過防靜電處理的衣物。貼身衣服、被褥一定要選用純棉制品或真絲制品。同時，遠(yuǎn)離化纖地毯。第三，秋冬季要保持一定的室內(nèi)濕度，這樣靜電就不容易積累。室內(nèi)放上一盆清水或擺放些花草，可以緩解空氣中的靜電積累和灰塵吸附。第四，長時間用電腦或看電視后，要及時清洗裸露的皮膚，多洗手、勤洗臉，對消除皮膚上的靜電很有好處。第五，多飲水，同時補(bǔ)充鈣質(zhì)和維生素c，減輕靜電對人帶來的影響。ESD靜電保護(hù)元器件是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計的器件。上海USB TYPE C ESD保護(hù)元件參數(shù)

高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產(chǎn)品內(nèi)部接口的靜電放電風(fēng)險主要是在產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，當(dāng)制造環(huán)境和測試策略進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆漓o電控制后，ESD風(fēng)險能夠得到一定程度的降低，但是實(shí)際經(jīng)驗(yàn)表明，這些內(nèi)部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達(dá)到+2000V以上才是比較安全的。通信產(chǎn)品外部接口的ESD風(fēng)險不僅存在于產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實(shí)際經(jīng)驗(yàn)表明，這些外部接口的ESDS需要達(dá)到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應(yīng)選用防靜電能力強(qiáng)的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機(jī)器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數(shù)。一般HBM參數(shù)應(yīng)不低于500V，CDM和MM參數(shù)應(yīng)不低工200V。上海USB TYPE C ESD保護(hù)元件參數(shù)ESD靜電保護(hù)元件具有單向和雙向之分。

降低防護(hù)器件結(jié)電容的設(shè)計方法當(dāng)防護(hù)器件的并聯(lián)結(jié)電容較大時，將對高頻信號產(chǎn)生“衰耗”作用，此時需要改進(jìn)防護(hù)電路的設(shè)計，降低結(jié)電容對信號質(zhì)量的影響。常用的設(shè)計方法有;A二極管偏置法二極管結(jié)電容隨反向偏升高而降低，對防護(hù)一極管施加話當(dāng)?shù)姆聪蚱珘嚎蛇m用更高頻率電路。B.二極管串聯(lián)法一-兩個相同防護(hù)二極管串聯(lián)可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當(dāng)防護(hù)二極管的結(jié)電容太大，可以對防護(hù)器件并聯(lián)小電感，使之和二極管結(jié)電容并聯(lián)諧振在工作信號頻率點(diǎn)，這時保護(hù)電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強(qiáng)防護(hù)。

MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。高頻信號接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計主要是致力于降低防護(hù)電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感。

人體靜電電壓比較高可達(dá)約50kV以下，因?yàn)楫?dāng)存在連續(xù)起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動產(chǎn)生的靜電電位有所不同。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達(dá)幾千伏甚至幾萬伏。3、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負(fù)電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無法流失，就會聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。硅基ESD靜電保護(hù)元件具有較低的鉗位電壓。浙江耳機(jī)接口ESD保護(hù)元件電容

在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關(guān)二極管是比較廉價的方案。上海USB TYPE C ESD保護(hù)元件參數(shù)

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2來評價電子設(shè)備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時，主要關(guān)心的是靜電放電產(chǎn)生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設(shè)備及其他一些靜電敏感系統(tǒng)的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應(yīng)，直到20世紀(jì)90年代初Wilson才***提出ESD過程中產(chǎn)生的輻射場影響。IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)雖幾經(jīng)修改，規(guī)范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關(guān)于ESD輻射場的明確規(guī)定，對ESD模擬器也*規(guī)定了放電電流的典型波形和4個關(guān)鍵點(diǎn)參數(shù)。通常被測設(shè)備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場影響的。許多學(xué)者在實(shí)際測試時發(fā)現(xiàn)，由于ESD模擬器內(nèi)部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)要求的不同END模擬器所得測試結(jié)果并不相同。上海USB TYPE C ESD保護(hù)元件參數(shù)

來明電子，2010-08-11正式啟動，成立了TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等幾大市場布局，應(yīng)對行業(yè)變化，順應(yīng)市場趨勢發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬的市場競爭力，把握市場機(jī)遇，推動電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。是具有一定實(shí)力的電子元器件企業(yè)之一，主要提供TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。同時，企業(yè)針對用戶，在TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等幾大領(lǐng)域，提供更多、更豐富的電子元器件產(chǎn)品，進(jìn)一步為全國更多單位和企業(yè)提供更具針對性的電子元器件服務(wù)。值得一提的是，來明電子致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案，在有效降低用戶成本的同時，更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘晶導(dǎo)微電子,意昇,美碩,成鎬的應(yīng)用潛能。