在高頻高速信號(hào)電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對(duì)電路的阻抗匹配、信號(hào)質(zhì)量會(huì)產(chǎn)生較大的影響，這要求設(shè)計(jì)的ESD防護(hù)電路具有很小的寄生參數(shù)，對(duì)信號(hào)質(zhì)量和阻抗匹配產(chǎn)生**小的影響，即要保證高頻信號(hào)盡量無(wú)損失地通過(guò)防護(hù)電路，同時(shí)ESD防護(hù)電路要對(duì)寬頻譜的ESD信號(hào)具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進(jìn)入被保護(hù)電路。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數(shù)字IC內(nèi)部的I/0端口一般無(wú)法直接設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路，因?yàn)榉雷o(hù)電路的寄生參數(shù)(主要是結(jié)電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見(jiàn)的器件。北京SIM卡ESD保護(hù)元件應(yīng)用

提高防護(hù)電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計(jì)方法由于低容值要求選用的防護(hù)器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號(hào)可能的**人峰值電壓時(shí)，防護(hù)器件將對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生“壓縮”的限幅問(wèn)題，此時(shí)可以采用以下優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，提高防護(hù)器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對(duì)防護(hù)二極管施加反向偏壓，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號(hào)峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過(guò)低容值防護(hù)二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護(hù)電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護(hù)二極管串聯(lián)電容后，高頻信號(hào)通過(guò)二極管對(duì)電容充電，電容充電后對(duì)二極管提供偏壓，提升二極管的正向?qū)姌?lè)。安徽天線接口ESD保護(hù)元件選型電阻不單獨(dú)用于芯片的靜電保護(hù)，它往往用于輔助的靜電保護(hù)，如芯片***級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。

TVS/ESD靜電保護(hù)元件陣列，ESD靜電保護(hù)元器件RLESD保護(hù)器件可避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD的?？商峁┓浅５偷碾娙?，與其他同類元件相比具有更優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試，以及IEC6100-4-2測(cè)試能力，尤其是在多采樣數(shù)（高達(dá)1000）之后。該器件可比傳統(tǒng)的聚合物SEO器件提供更低的觸發(fā)電壓和更低的箝拉電壓，進(jìn)而改善對(duì)敏感電子元件的保護(hù)。靜電保護(hù)元件(ElertroStaticDischargedProtection)簡(jiǎn)稱ESD，是一種過(guò)壓保護(hù)元件，是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件。RLESD保護(hù)器件是用來(lái)避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響?？商峁┓浅５偷碾娙?，具有優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試，以及IEC6100-4-2測(cè)試能力，尤其是在多采樣數(shù)高達(dá)1000之后，進(jìn)而改善對(duì)敏感電子元件的保護(hù)。

靜電放電形式與帶電體的幾何形狀、電壓和帶電體的材質(zhì)有關(guān)。靜電放電形式：電暈放電(1)電暈放電：是發(fā)生在帶電體前列或曲率半徑很小處附近的局部放電。電暈放電可能伴有輕微的嘶嘶聲和微弱的淡紫色光。電暈放電一般沒(méi)有引燃危險(xiǎn)。刷形放電和傳播型刷形放電(2)刷形放電和傳播型刷形放電:都是發(fā)生在絕緣體表面的有聲光的多分支放電。當(dāng)絕緣體背面緊貼有金屬導(dǎo)體時(shí)，絕緣體正面將出現(xiàn)傳播型刷形放電。同一絕緣體上可發(fā)生多次刷形放電或傳播型刷形放電。刷形放電有一定的引燃危險(xiǎn)；傳播型刷形放電的引燃危險(xiǎn)性大。(3)火花放電:是帶電體之間發(fā)生的通道單一的放電?；鸹ǚ烹娪忻髁恋拈W光和有短促的爆裂聲。其引燃危險(xiǎn)性很大。(4)雷型放電：是懸浮在空間的大范圍、高密度帶電粒子形成的閃電狀放電。其引燃危險(xiǎn)性很大。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開(kāi)關(guān)二極管是比較廉價(jià)的方案。

ESD脈沖頻譜的高頻信號(hào)特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護(hù)器件的可選擇性很小，在高頻電路中進(jìn)行ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號(hào)接口時(shí)，產(chǎn)品的組裝、測(cè)試和用戶使用過(guò)程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長(zhǎng)久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場(chǎng)上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計(jì)和制造通信產(chǎn)品時(shí)除了加強(qiáng)產(chǎn)品制造過(guò)程的ESD控制外，還要加強(qiáng)產(chǎn)品的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，尤其是高頻信號(hào)接口的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。國(guó)際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器。安徽天線接口ESD保護(hù)元件選型

通過(guò)串聯(lián)的方式可以有效降低ESD防護(hù)電路的電容。北京SIM卡ESD保護(hù)元件應(yīng)用

人體放電模型（HBM）是靜電放電（ESD）模型的一種，是分析電子元件對(duì)靜電放電耐受性特性時(shí)，**常使用的模型。人體放電模型是模擬帶有靜電的人碰到電子元件時(shí)，在幾百納秒（ns）的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流。對(duì)2千伏的ESD放電電壓而言，其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33安培。1.HBM：HumanBodyModel，人體模型：該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb為等效人體電阻，Cb為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時(shí)給出了器件HBM模型的ESD等級(jí)。北京SIM卡ESD保護(hù)元件應(yīng)用

上海來(lái)明電子有限公司致力于電子元器件，是一家貿(mào)易型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會(huì)各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造高質(zhì)量服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。