P3電位器調整。調整范圍*電壓限制：板內P1電位器或外接10KΩ電位器調整。調整范圍0~****電流限制（選件）：內置電流變換器，外接10KΩ電位器調整。調整范圍20%~****過流報警（選件）：內置電流變換器，板內P2電位器調整。調整范圍***~150%*散熱器超溫保護:75℃溫度開關，常閉接點動作時間：<10ms*起動/停止開關:外接開關*調功/調壓切換(選件):外接開關*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結露海拔高度2000m以下存儲溫度：-30~+60℃其它要求：通風良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調整器是移相型閉環(huán)電力控制器，其**部件采用國外生產的高性能、高可靠性的**級可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調整。現場調試一般不需要示波器即可完成。 可控硅調整器能與國內外各種控制儀表、微機的輸出信號直接接口。上海通用可控硅

雙向晶閘管的電極引線不規(guī)則，通常G極是在T1極側引出而不是T2極側。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區(qū)別的，雙向晶閘管的觸發(fā)通常是相對與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構成了一個可控整流電路。

 在一個**基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時，可控硅才被觸發(fā)導通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間，來進一步調節(jié)負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。 上海通用可控硅嚴格控制貯存時間ts并恰當調整整機電路，就可以降低對hFE參數的依賴程度。

    選用具有溫度補償特性的2CW234系列硅穩(wěn)壓管作為基準源，并選擇其穩(wěn)定電壓為6．4V。由特性較好的三端集成穩(wěn)壓器供電，限流電阻采用精密金屬膜電阻R（溫度系數約為±1×10－5／℃）。為了減小噪聲的影響，將穩(wěn)壓管封裝在盛油的小容器里，噪聲指標將會有明顯的改善。電壓取樣如圖2所示。分別將調整管的集－射極電壓經電阻分壓，并將分壓后的射極電壓通過一電阻送入比較放大器反相端；在集電極電壓的取樣電路中串入一穩(wěn)壓管，由該管決定調整管壓降大小。此處選3．3V。并將集電極電壓減去穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值后分壓送入比較放大器的同相端。為保證取樣精度，應使集－射極采樣電阻完全對稱，并選取溫度特性較好、同一型號的精密金屬膜電阻。比較放大器采用集成運放并接成負反饋。令R1＝R3，R2＝R4；設分壓系數n＝R2／（R1＋R2）；集成運算放大器輸出為Uo；放大系數為K；調整管集電極電壓為UC；調整管發(fā)射極電壓為UE；A點電壓為UA；B點電壓為UB；有：當調整管壓降增大，UcE上升，使Uo增大，即觸發(fā)器的控制電壓Ub增大，而集成觸發(fā)器KJ785是負極型的：控制電壓增大，導通角減小。因此，觸發(fā)脈沖后移，整流輸出減小?？煽毓枵鲹?**步的穩(wěn)壓工作。

    此時表內電壓較高。當用手接觸柵極Ｇ時，會發(fā)現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。二、.場效應管的使用注意事項（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和比較大電流等參數的極限值。（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。（3）MOS場效應管由于輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內，保存時比較好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環(huán)等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵。整流器/充電機應有輸出濾波器以將加在蓄電池的紋波電壓減少到**小。

    其輸出電壓的變化是由導通角的變化來決定的。相位控制部分正是根據調整管壓降的變化來改變可控硅導通角，進而改變整流濾波電路輸出電壓，將調整管壓降維持在3V左右。該穩(wěn)壓電源中，采用KJ785晶閘管移相觸發(fā)電路。因為作為一種電源產品，應力求在實現同樣功能的前提下，器件性能好，電路簡單，實現容易。該觸發(fā)電路可以輸出兩路相差180度的觸發(fā)脈沖，可在0～180度范圍移相，可用于控制單相、雙向晶閘管和晶體管。KJ785由同步檢測寄存電路，基準電源，鋸齒波形成電路，移相電壓和鋸齒波綜合比較電路與邏輯控制功率放大等部分組成。鋸齒波斜率決定于9腳外接電阻和10腳外接電容。脈沖寬度由腳外接電容決定，不接該電容時，脈沖寬度由內接電容決定，約為30μs。KJ785只需單電源工作，觸發(fā)電路為負極性，即移相電壓增加，導通角減小。同步電壓從5腳輸入，可以直接取自電網電壓，降壓限流電阻取電網電壓×103Ω，也可采用同步變壓器隔離輸入。7，6腳可提供脈沖列和脈沖***的控制端。各管腳功能如表1所示。由于該穩(wěn)壓電源是大功率電源，有發(fā)熱量較大的變壓器、整流二極管、可控硅、集成穩(wěn)壓器等，更主要的是，調整管是大功率晶體管，發(fā)熱較大。因此該穩(wěn)壓電源中，采用風扇送風。整流器可以由真空管，引燃管，固態(tài)矽半導體二極管，汞弧等制成。上?？煽毓瓒ㄖ?/p>

電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無級平滑調節(jié)。上海通用可控硅

    可控硅檢測方法與經驗可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點，它是大功率開關型半導體器件，廣泛應用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向。上海通用可控硅

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