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蘇州電子可控硅

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-08-07

    固態(tài)繼電器(過(guò)零觸發(fā)電路)MOC3061實(shí)物圖:電路如圖3所示,圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器,也屬于光電耦合器的一種,用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用,R6為觸發(fā)限流電阻,R7為BCR門(mén)極電阻,防止誤觸發(fā),提高抗干擾能力。當(dāng)單片機(jī)80C51的,MOC3061導(dǎo)通,觸發(fā)BCR導(dǎo)通,接通交流負(fù)載。另外,若雙向可控硅接感**流負(fù)載時(shí),由于電源電壓超前負(fù)載電流一個(gè)相位角,因此,當(dāng)負(fù)載電流為零時(shí),電源電壓為反向電壓,加上感性負(fù)載自感電動(dòng)勢(shì)el作用,使得雙向可控硅承受的電壓值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)電源電壓。雖然雙向可控硅反向?qū)?,但容易擊穿,故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯(lián)一個(gè)RC阻容吸收電路,實(shí)現(xiàn)雙向可控硅過(guò)電壓保護(hù),圖3中的C2、R8為RC阻容吸收電路。樣鑒別測(cè)試可控硅的好壞?鑒別可控硅三個(gè)極分別是什么?具體的方法和步驟如下:鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)。可控硅觸發(fā)板用于水泵、風(fēng)機(jī)等軟啟動(dòng)控制,調(diào)速節(jié)能控制等。蘇州電子可控硅

    **交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。(4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管,其比較高工作頻率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。(5)使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,比較大功率才能達(dá)到30W。(6)多管并聯(lián)后,由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,使放大器的高頻特性變壞,通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此,并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè),而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測(cè)可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽(yáng)極A1(T1),第二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓。蘇州電子可控硅在以大功率二極管或晶閘管為基礎(chǔ)的兩種基本類(lèi)型的整流器中,電網(wǎng)的高壓交流功率通過(guò)整流器變換為直流功率。

    應(yīng)用同樣方法改測(cè)其他電極,直到找出三個(gè)電極為止。也可以測(cè)任兩腳之間的正、反向電阻,若正、反向電阻均接近無(wú)窮大,則兩極即為陽(yáng)極A和陰極K,而另一腳即為門(mén)極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來(lái)判斷出各電極。例如:螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽(yáng)極A,較細(xì)的引線(xiàn)端為門(mén)極G,較粗的引線(xiàn)端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線(xiàn)端為門(mén)極G,平面端為陽(yáng)極A,另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,其外殼為陽(yáng)極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽(yáng)極A,且多與自帶散熱片相連。圖1為幾種普通晶閘管的引腳排列。(2)判斷其好壞:用萬(wàn)用表R×1kΩ檔測(cè)量普通晶閘管陽(yáng)極A與陰極K之間的正、反向電阻,正常時(shí)均應(yīng)為無(wú)窮大(∞);若測(cè)得A、K之間的正、反向電阻值為零或阻值均較小,則說(shuō)明晶閘管內(nèi)部擊穿短路或漏電。測(cè)量門(mén)極G與陰極K之間的正、反向電阻值,正常時(shí)應(yīng)有類(lèi)似二極管的正、反向電阻值(實(shí)際測(cè)量結(jié)果要較普通二極管的正、反向電阻值小一些),即正向電阻值較小(小于2kΩ),反向電阻值較**于80kΩ)。若兩次測(cè)量的電阻值均很大或均很小,則說(shuō)明該晶閘管G、K極之間開(kāi)路或短路。若正、反電阻值均相等或接近,則說(shuō)明該晶閘管已失效。

    當(dāng)T1與T2之間接通電源后,給G極正向觸發(fā)信號(hào)(相對(duì)于T1、T2所接電源負(fù)極而言),其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當(dāng)G極接負(fù)觸發(fā)信號(hào)時(shí),其工作過(guò)原理如圖4所示,此時(shí)Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通,繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡(jiǎn)稱(chēng)TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫(xiě),其意思是三端交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),目前主要用于對(duì)交流電源的控制,主要特點(diǎn)表現(xiàn)在能在四個(gè)象限來(lái)使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通,直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極,G觸發(fā)信號(hào)Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極,G觸發(fā)信號(hào)Vg的負(fù)。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負(fù)極,G觸發(fā)信號(hào)分別接Vg的正、負(fù)極。2類(lèi)雙向可控硅電路設(shè)計(jì)在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后,依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來(lái)設(shè)計(jì)一種類(lèi)似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示,電路采用用7個(gè)三極管和幾個(gè)電阻組成。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出,與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中,內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。除了為負(fù)載供電外,整流器/充電機(jī)應(yīng)能在10倍于放電時(shí)間的時(shí)間內(nèi),將蓄電池的放電功率恢復(fù)到95%。

    只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài),用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),雙向可控硅才截?cái)?,此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的檢測(cè)。萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋,用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳,此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G,紅表筆的引腳為陰極K,另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A,紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。三相恒壓|恒流|恒功率晶閘管功率控制器是移相觸發(fā)型的晶閘管電力控制器。蘇州電子可控硅

隔離開(kāi)關(guān)應(yīng)能同時(shí)提供滿(mǎn)足負(fù)載的電流和蓄電池的再充電電流,并能承受較大的短路電流。蘇州電子可控硅

    也可以用圖4中的測(cè)試電路測(cè)試普通晶閘管的觸發(fā)能力。電路中,vT為被測(cè)晶閘管,HL為6.3V指示燈(手電筒中的小電珠),GB為6V電源(可使用4節(jié)1.5V干電池或6V穩(wěn)壓電源),S為按鈕,R為限流電阻。當(dāng)按鈕S未接通時(shí),晶閘管VT處于阻斷狀態(tài),指示燈HL不亮(若此時(shí)HL亮,則是vT擊穿或漏電損壞)。按動(dòng)一下按鈕S后(使S接通一下,為晶閘管VT的門(mén)極G提供觸發(fā)電壓),若指示燈HL一直點(diǎn)亮,則說(shuō)明晶閘管的觸發(fā)能力良好。若指示燈亮度偏低,則表明晶閘管性能不良、導(dǎo)通壓降大(正常時(shí)導(dǎo)通壓降應(yīng)為1v左右)。若按鈕S接通時(shí),指示燈亮,而按鈕S斷開(kāi)時(shí),指示燈熄滅,則說(shuō)明晶閘管已損壞,觸發(fā)性能不良。2.雙向晶閘管的檢測(cè)(1)判別各電極:用萬(wàn)用表R×1或R×10檔分別測(cè)量雙向晶閘管三個(gè)引腳間的正、反向電阻值,若測(cè)得某一管腳與其他兩腳均不通,則此腳便是主電極T2。找出T2極之后,剩下的兩腳便是主電極Tl和門(mén)極G3。測(cè)量這兩腳之間的正、反向電阻值,會(huì)測(cè)得兩個(gè)均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測(cè)量中,黑表筆接的是主電極T1,紅表筆接的是門(mén)極G。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2,較細(xì)的引線(xiàn)端為門(mén)極G,較粗的引線(xiàn)端為主電極T1。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。蘇州電子可控硅

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