控制交流負(fù)載回路的通斷，通常會(huì)用到繼電器。繼電器是機(jī)械式觸點(diǎn)的電磁元器件，可以實(shí)現(xiàn)弱電控制強(qiáng)電的目的。但是在帶電流分?jǐn)嘭?fù)載回路時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電弧腐蝕觸點(diǎn)，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點(diǎn)的響應(yīng)時(shí)間在ms級(jí)別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來(lái)控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來(lái)實(shí)現(xiàn)。1什么是可控硅可控硅是具有四層結(jié)構(gòu)的PNPN型半導(dǎo)體器件，可以看作是由兩個(gè)三極管所構(gòu)成的元器件，可控硅的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)如下圖所示?？煽毓鑿膶?dǎo)通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個(gè)電極分別是陽(yáng)極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個(gè)電極分別為T1，T2以及控制G?？煽毓璧脑趯?dǎo)通后，及時(shí)將控制信號(hào)去掉，可控硅仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)。在交流負(fù)載回路中，一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設(shè)計(jì)單片機(jī)控制可控硅回路的通斷時(shí)，比較好使用光耦做隔離。所設(shè)計(jì)的可控硅控制電路如下圖所示。單片機(jī)的輸出端接三極管的基極，通過(guò)三極管來(lái)控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負(fù)載。當(dāng)單片機(jī)輸出高電平時(shí)，光耦導(dǎo)通，此時(shí)可控硅的控制極有觸發(fā)信號(hào)，并且T1和T2上的交流電源滿足導(dǎo)通條件。單片機(jī)輸出低電平時(shí)，光耦截止。 可控硅調(diào)整器能與國(guó)內(nèi)外各種控制儀表、微機(jī)的輸出信號(hào)直接接口。無(wú)錫單雙可控硅

    采用比較常用的NPN三級(jí)管S8050和PNP三極管S8550來(lái)設(shè)計(jì)制作實(shí)際的測(cè)試電路板(PCB)，如圖5所示。圖6中所標(biāo)識(shí)的T2、T1和G與圖5所示的相同，也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個(gè)接線極。利用該模塊電路串入負(fù)載接通正或負(fù)的直流電源和觸發(fā)信號(hào)來(lái)測(cè)試，所得結(jié)果如圖7所示，在正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接入前電流表上的指示為0，當(dāng)正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接通并撤離后電流表指示依然保持原來(lái)的電流值。該實(shí)驗(yàn)表明該電路在正負(fù)電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號(hào)時(shí)，其測(cè)驗(yàn)結(jié)果如圖8所示。示波器探針1接觸發(fā)信號(hào)，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發(fā)信號(hào)為0是，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒(méi)有導(dǎo)通，當(dāng)觸發(fā)信號(hào)脈沖到來(lái)時(shí)，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經(jīng)導(dǎo)通。4結(jié)束語(yǔ)在詳細(xì)解讀了雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)之上，設(shè)計(jì)了一款以7個(gè)三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對(duì)管S8050和S8550制作出實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證了該電路的正確性。在今后具體運(yùn)用過(guò)程中可以通過(guò)對(duì)此電路的相關(guān)器件做適當(dāng)調(diào)整來(lái)滿足具體的需求和設(shè)計(jì)要求。同時(shí)。鹽城可控硅經(jīng)銷批發(fā)當(dāng)采用遠(yuǎn)端溫度檢測(cè)器時(shí)，整流器/充電機(jī)應(yīng)自動(dòng)調(diào)節(jié)蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。

    ?調(diào)節(jié)輸出分辨率：調(diào)相°；?移相范圍：0～180°；?驅(qū)動(dòng)輸出：寬度脈沖：8°~120°觸發(fā)可控硅模塊：驅(qū)動(dòng)電流800mA?手動(dòng)方式：外接10KΩ電位器調(diào)整?軟啟動(dòng)軟關(guān)斷時(shí)間：相角控制時(shí)，VR2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍?電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~***?電流限制：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)VR4電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~***?過(guò)流報(bào)警：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)VR9電位器調(diào)整。調(diào)整范圍10%~200%?散熱器超溫保護(hù):75℃溫度開關(guān)，常閉接點(diǎn)動(dòng)作時(shí)間：<10ms?起動(dòng)/停止開關(guān):外接開關(guān)?恒壓控制：電源電壓波動(dòng)±15%，負(fù)載阻抗變化10倍時(shí)，負(fù)荷電壓保持恒定，輸出電壓與控制信號(hào)成線性關(guān)系?恒流控制：電源電壓波動(dòng)±15%，負(fù)載阻抗變化10倍時(shí)，負(fù)荷電流保持恒定，輸出電流與控制信號(hào)成線性關(guān)系?工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+60℃濕度范圍：90%RH比較大無(wú)結(jié)露海拔高度2000m以下三相晶閘管閉環(huán)技術(shù)可控硅調(diào)壓器是移相觸發(fā)型的晶閘管電力控制器。觸發(fā)板具有過(guò)流、缺相、相序、晶閘管過(guò)熱等多種保護(hù)功能；可***應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓、電流、功率的調(diào)節(jié)，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)等。

    本實(shí)用新型涉及一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器。背景技術(shù)：?jiǎn)蜗嘟涣鞴虘B(tài)調(diào)壓器是集同步變壓器、相位檢測(cè)電路、移相觸發(fā)電路和輸出可控硅于一體，當(dāng)改變控制電壓的大小，就可改變輸出可控硅的觸發(fā)相角，即實(shí)現(xiàn)單相交流電的調(diào)壓。根據(jù)輸出可控硅器件不同分一只雙向可控硅的普通型，兩只單向可控硅反并聯(lián)的增強(qiáng)型和一只單向可控硅的半波型等三類。按單相交流負(fù)載的額定電壓分220V和380V兩類。主要用于工業(yè)電爐、電熱烘箱、燈光照明、變壓器原邊初級(jí)調(diào)壓、風(fēng)機(jī)水泵、力矩電機(jī)等設(shè)備中進(jìn)行調(diào)溫、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)速的控制?，F(xiàn)有的單相交流固態(tài)調(diào)壓器自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較差，無(wú)法滿足電氣化設(shè)備的發(fā)展需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，而提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較好的單相交流固態(tài)調(diào)壓器。本實(shí)用新型解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器，其特征在于：其電路結(jié)構(gòu)如下：整流橋的其中兩個(gè)腳連接交流電源的兩端，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極，穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2。電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無(wú)級(jí)平滑調(diào)節(jié)。

    P3電位器調(diào)整。調(diào)整范圍*電壓限制：板內(nèi)P1電位器或外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍0~****電流限制（選件）：內(nèi)置電流變換器，外接10KΩ電位器調(diào)整。調(diào)整范圍20%~****過(guò)流報(bào)警（選件）：內(nèi)置電流變換器，板內(nèi)P2電位器調(diào)整。調(diào)整范圍***~150%*散熱器超溫保護(hù):75℃溫度開關(guān)，常閉接點(diǎn)動(dòng)作時(shí)間：<10ms*起動(dòng)/停止開關(guān):外接開關(guān)*調(diào)功/調(diào)壓切換(選件):外接開關(guān)*工作環(huán)境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無(wú)結(jié)露海拔高度2000m以下存儲(chǔ)溫度：-30~+60℃其它要求：通風(fēng)良好，不受日光直射或熱輻射，無(wú)腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強(qiáng)度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調(diào)整器是移相型閉環(huán)電力控制器，其**部件采用國(guó)外生產(chǎn)的高性能、高可靠性的**級(jí)可控硅觸發(fā)**集成電路。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整?，F(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。觸發(fā)板應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié)，用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。單雙可控硅價(jià)位

可控硅觸發(fā)板現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。無(wú)錫單雙可控硅

    可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對(duì)于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講，焊接式模塊可以做到160A電流，同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時(shí)也有壓接式的。②從外形方面來(lái)講，焊接式的模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時(shí)候是沒(méi)有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場(chǎng)占有率是非常大的，有不少的公司都會(huì)使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價(jià)格方面來(lái)講，焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。無(wú)錫單雙可控硅

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