由以上分析我們可以畫出mos管工作原理圖中MOS管電路部分的工作過(guò)程（見圖）。工作原理同前所述。MOS管應(yīng)用電路MOS管明顯的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，也有照明調(diào)光�，F(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的需求：1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的mos管工作原理圖圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有，導(dǎo)致實(shí)際終加在gate上的電壓只有。這時(shí)候，我們選用標(biāo)稱gate電壓。同樣的問(wèn)題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。2、寬電壓應(yīng)用輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。同時(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候，江蘇MOS管技術(shù)指導(dǎo)，江蘇MOS管技術(shù)指導(dǎo)，江蘇MOS管技術(shù)指導(dǎo)，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。3、雙電壓應(yīng)用在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。江蘇MOS管技術(shù)指導(dǎo)

    MOS在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。上圖是MOS管工作原理圖導(dǎo)通時(shí)的波形�？梢钥闯觯瑢�(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。MOS管發(fā)熱原因分析一款路由產(chǎn)品的硬件開發(fā)中，其中一項(xiàng)是客戶需要非標(biāo)準(zhǔn)POE供電，可輸出的POE供電電壓為12/24/30/48V切換，大輸出功率設(shè)計(jì)為24W，電路采用反激式電源方案（電源芯片MP3910，芯片廠商提供方案），在調(diào)試該部分電路時(shí)出現(xiàn)MOS管（NMOS，SUD50N06）發(fā)熱嚴(yán)重，輸出電壓非帶載時(shí)正常，帶載時(shí)（開始帶載50%）,MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，輸出電壓被拉低，不論是輸出哪一路電壓，輸出只有9V左右，TLV431的穩(wěn)壓值只有1V左右。江蘇MOS管代理價(jià)格MOS管一般又叫場(chǎng)效應(yīng)管，與二極管和三極管不同，二極管只能通過(guò)正向電流，反向截止，不能控制。

    流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來(lái)決定了。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色。這種情況下，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source。Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對(duì)稱MOS管。制造非對(duì)稱晶體管有很多理由，但所有的終結(jié)果都是一樣的。一個(gè)引線端被優(yōu)化作為drain，另一個(gè)被優(yōu)化作為source。如果drain和source對(duì)調(diào)，這個(gè)器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channelMOS管，或NMOS。P-channelMOS(PMOS)管也存在，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒(méi)有channel形成。如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)。一個(gè)工程師可能說(shuō)，"PMOSVt從"，實(shí)際上PMOS的Vt是從。

    CE極間相當(dāng)“短路”,即呈“開”的狀態(tài)。三極管在截止?fàn)顟B(tài)(發(fā)射結(jié)、集電結(jié)都是反偏置)時(shí),其CE極間的電流極小(硅管基本上量不到),相當(dāng)于“斷開(即‘關(guān)’)”的狀態(tài)。三極管開關(guān)電路的特點(diǎn)是開關(guān)速度極快,遠(yuǎn)遠(yuǎn)比機(jī)械開關(guān)快;沒(méi)有機(jī)械接點(diǎn),不產(chǎn)生電火花;開關(guān)的控制靈敏,對(duì)控制信號(hào)的要求低;導(dǎo)通時(shí)開關(guān)的電壓降比機(jī)械開關(guān)大,關(guān)斷時(shí)開關(guān)的漏電流比機(jī)械開關(guān)大;不宜直接用于高電壓、強(qiáng)電流的控制。2020-08-30什么是高反壓開關(guān)三極管晶體三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài)，即為三極管的截止?fàn)顟B(tài)。開關(guān)三極管處于截止?fàn)顟B(tài)的特征是發(fā)射結(jié)，集電結(jié)均處于反向偏置。此時(shí)三極管能夠承受額電壓越高，其被擊穿的可能性越小，工作越可靠，所以在一些特殊電路中必須選用高反壓開關(guān)三極管，例如彩色電視機(jī)的行輸出電路，一般高反壓三極管的耐壓都在1500伏以上。2020-08-30有關(guān)三極管的開關(guān)作用三極管都有開關(guān)作用。普通三極管當(dāng)B極沒(méi)有電流時(shí)會(huì)截止的，但是可控硅（也是一種三極管）卻是只管導(dǎo)通不能控制截止，就是說(shuō)B極給電流導(dǎo)通之后不能控制EC截止。mos管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。

    mos管導(dǎo)通電阻的作用mos管導(dǎo)通電阻，一般在使用MOS時(shí)都會(huì)遇到柵極的電阻選擇和使用問(wèn)題，但有時(shí)對(duì)這個(gè)電阻很迷茫，現(xiàn)介紹一下它的作用：1.是分壓作用2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止3.防止柵極出現(xiàn)浪涌過(guò)壓（柵極上并聯(lián)的穩(wěn)壓管也是防止過(guò)壓產(chǎn)生）4.全橋柵極電阻也是同樣機(jī)理，盡快泄放柵極電荷，將MOS管盡快截止。避免柵極懸空，懸空的柵極MOS管將會(huì)導(dǎo)通，導(dǎo)致全橋短路5.驅(qū)動(dòng)管和柵極之間的電阻起到隔離、防止寄生振蕩的作用降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的原理與方法1.不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻則是總導(dǎo)通電阻的。由此可以推斷耐壓800V的MOS管的導(dǎo)通電阻將幾乎被外延層電阻占據(jù)。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規(guī)高壓MOS管結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的高導(dǎo)通電阻的根本原因。2.降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的思路。增加管芯面積雖能降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價(jià)是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流以上兩種辦法不能降低高壓MOS管的導(dǎo)通電阻。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。江蘇MOS管咨詢報(bào)價(jià)

按材料分類，可以分為分為耗盡型和增強(qiáng)型。江蘇MOS管技術(shù)指導(dǎo)

    JFET)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。(2)、絕緣柵型：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無(wú)論是什么溝道，它們又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。4、按溝道分類可分為N溝道和P溝道管（在符號(hào)圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）。三、MOS管的區(qū)別低壓mos管與高壓mos管的區(qū)別：高壓mos管電壓在400V~1000V左右，低壓mos管在1~40V左右。以上描述供參考，希望可以幫助到您聲明：本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容，如需轉(zhuǎn)載，請(qǐng)注明出處；本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容（文章、圖片、視頻）等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時(shí)和您確認(rèn)，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失，請(qǐng)電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當(dāng)處理措施。江蘇MOS管技術(shù)指導(dǎo)

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