場效應管判斷跨導的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導的大小.對VMOSV溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，臺州V型槽場效應管，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓，臺州V型槽場效應管。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的，臺州V型槽場效應管。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內(nèi)電壓較高。當用手接觸柵極G時，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。場效應管高中低頻能量分配適當， 解析力和定位感均有較好表現(xiàn)，具有良好的聲場空間描繪能力 。臺州V型槽場效應管
場效應管測放大能力:用感應信號法具體方法：用萬用表電阻的R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，給場效應管加上1.5V的電源電壓，此時表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結型場效應管的柵極G，將人體的感應電壓信號加到柵極上。這樣，由于管的放大作用，漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化，也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化，由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。臺州V型槽場效應管場效應管可以用作可變電阻。
MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。
場效應晶體管既可以作為多數(shù)載流子器件（由多子導電），又可以作為少數(shù)載流子器件（由少子導電）。該器件由電荷載流子（電子或空穴）從源極流到漏極的有源溝道組成。源極導體和漏極導體通過歐姆接觸聯(lián)結。溝道的電導率是柵源電壓的函數(shù)。場效應晶體管的三個電極包括:源極(S)，載流子經(jīng)過源極進入溝道。通常，在源極處進入通道的電流由IS表示。漏極(D)，載流子通過漏極離開溝道。通常，在漏極處進入通道的電流由ID表示。漏極與源極之間的電壓由VDS表示。柵極(G)，調制溝道電導率的電極。通過向柵極施加電壓，可以控制ID。場效應管因而被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。
與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場效應管是電壓控制器件，管子的導電情況取決于柵極電壓的高低。浙江貼片場效應管
場效應管具有噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象。臺州V型槽場效應管
場效應管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當于一個開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經(jīng)開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關閉，導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。臺州V型槽場效應管
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